WTK9431
表面安装P- CHANNEL
增强型MOSFET
D
P B
铅（Pb ） - 免费
漏电流
-3.5安培
漏源电压
-20电压
1
3
S
S
8
7
D
2
D
6
S
产品特点：
*超级高密度
*电池设计低R
DS （ ON）
* R
DS （ ON）
<130米@V
GS
= -4.5V
* R
DS （ ON）
<180米@V
GS
= -2.5V
*简单的驱动要求
*低导通电阻
*快速切换
D
G
4
5
1
描述：
SOP-8
该WTK9431为设计人员提供了最佳组合
快速开关，加固装置的设计，低导通电阻的
和成本效益。
该SOP -8封装普遍首选的所有商业工业
表面安装的应用和适合于低电压应用，如DC / DC转换器。
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
(3)
(T
A
=25°C)
(T
A
=70°C)
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
R θ
JA
T
J
TSTG
价值
-20
±8
-3.5
-2.8
-18
2.5
50
+150
-55到+150
团结
V
V
A
A
W
° C / W
°C
°C
漏电流脉冲
(1,2)
功耗
最大最大结点到环境
工作结温范围
存储温度范围
器件标识
WTK9431=9431SC
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07-Nov-08
WTK9431
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
STATIC
特征
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
民
-20
-0.4
-
典型值
-
-
-
-
最大
-
-1.0
+
-100
-1
-25
130
180
单位
V
V
nA
A
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
D
=-250 A
门源阈值电压
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250 A
栅极 - 源极漏电流
+
V
DS
=0V, V
GS
=-8V
零栅极电压漏极电流
V
DS
=-16V, V
GS
=0V
V
DS
=-12V, V
GS
=0V
漏源导通电阻
(2)
V
GS
= -10V ，我
D
=-5.3A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-4.2A
正向跨导
(2)
V
DS
= -5V ，我
D
=-3.5A
-
R
DS （
on
)
g
fs
-
-
-
-
-
6.5
m
S
-
动态
输入电容
V
DS
=-10V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
输出电容
V
DS
=-10V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
反向传输电容
V
DS
=-10V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
-
-
-
405
170
45
-
-
-
PF
开关
导通延迟时间
(2)
V
DD
= -5V ，我
D
= -1A ，V
GS
= -4.5V ，R
G
= 6
上升时间
V
DD
= -5V ，我
D
= -1A ，V
GS
= -4.5V ，R
G
= 6
转邻
时间
V
DD
= -5V ，我
D
= -1A ，V
GS
= -4.5V ，R
G
= 6
下降时间
V
DD
= -5V ，我
D
= -1A ，V
GS
= -4.5V ，R
G
= 6
总栅极电荷
(2)
V
DS
= -5V ，我
D
=-5.3A,V
GS
=-4.5V
栅极 - 源电荷
V
DS
= -5V ，我
D
=-5.3A,V
GS
=-4.5V
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= -5V ，我
D
=-5.3A,V
GS
=-4.5V
漏源二极管的正向电压
(2)
V
GS
= 0V时，我
S
=-2.1A
连续源电流（体二极管）
V
D
=V
G
=0V, V
S
=-1.2V
t
tf
Qg
QGS
QGD
t
d
(
on
)
tr
)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6.5
20
31
21
6
0.8
1.3
-
-
-
nS
nS
nS
nS
nc
nc
nc
V
A
-
-
-
8.5
-
-
-1.2
-2.1
V
SD
I
S
注意事项： 1，脉冲宽度有限的最大结温。
2.脉冲宽度300μS ，占空比≤ 2 ％ 。
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫;安装于民的时候125 ° C / W 。铜垫。
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特性曲线
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SOP -8封装外形尺寸
单位：mm
1
L
θ
E1
D
7 (4X)
A
C
7(4X)
2A
A1
e
B
eB
符号
A
A1
B
C
D
E1
Be
e
L
θ
MILLIMETERS
最大
民
1.75
1.35
0.20
0.10
0.45
0.35
0.18
0.23
4.69
4.98
3.56
4.06
5.70
6.30
1.27 BSC
0.60
0.80
0
8
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