WTK4501
N型和P沟道增强
MODE POWER MOSFET
P B
铅（Pb ） - 免费
7,8漏
N沟道
漏源电压
30电压
漏电流
7安培
P沟道
漏源电压
-30电压
漏电流
-5.3安培
2门
产品特点：
*低栅极变化
*低导通电阻
N-二ch R上
DS （ ON）
<42米@V
GS
= 4.5V
P- ch R上
DS （ ON）
<90米@V
GS
= -4.5V
* SOP- 8封装
4门
1来源
5,6漏
3源
1
SOP-8
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
等级
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
总功耗
最大结到环境
3
工作结温范围
存储温度范围
T
A
=25C
T
A
=25C
T
A
=75C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
R
θJA
T
J
T
英镑
价值
N-二CHANNL
P- CHANNL
30
±20
7
5.8
20
2.0
62.5
+150
-55~+150
-30
±16
-5.3
-4.7
-20
A
W
° C / W
C
C
单位
V
V
A
器件标识
WTK4501=4501SS
WEITRON
HTTP ： www.weitron.com.tw
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07-May-07
WTK4501
N沟道电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
民
30
-
-
-
典型值
-
-
-
-
最大
-
1
25
±100
单位
V
A
nA
开关特性
漏源击穿电压
V
GS
=0,I
D
=250 A
漏极 - 源极漏电流
TJ = 25°C ，V
DS
=30V, V
GS
=0V
TJ = 70 ° C，V
DS
=24V, V
GS
=0V
栅极 - 源极漏电流
V
GS
=±20V
基本特征
门源阈值电压
V
DS
=V
GS
, I
D
=250 A
漏源导通电阻
V
GS
=10V,I
D
=7A
V
GS
=4.5V,I
D
=5A
正向跨导
V
DS
=10V,I
D
=7A
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
1.0
-
-
-
-
-
-
13
3.0
28
42
-
V
m
S
Dymamic特点
输入电容
V
GS
=0V, V
DS
= 20V ， F = 1.0MHz的
输出电容
V
GS
=0V, V
DS
= 20V ， F = 1.0MHz的
反向传输电容
V
GS
=0V, V
DS
= 20V ， F = 1.0MHz的
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
-
-
-
645
150
95
-
-
-
pF
开关特性
导通延迟时间
2
V
DS
=15V, V
GS
= 10V ，我
D
= 1A ，R
G
=3.3Ω, R
D
=15Ω
上升时间
V
DS
=15V, V
GS
= 10V ，我
D
= 1A ，R
G
=3.3Ω, R
D
=15Ω
打开-O FF延迟时间
V
DS
=15V, V
GS
= 10V ，我
D
= 1A ，R
G
=3.3Ω, R
D
=15Ω
下降时间
V
DS
=15V, V
GS
= 10V ，我
D
= 1A ，R
G
=3.3Ω, R
D
=15Ω
总栅极电荷
2
V
DS
=24V,V
GS
=4.5V,I
D
=7A
栅极 - 源电荷
V
DS
=24V,V
GS
=4.5V,I
D
=7A
门源变化
V
DS
=24V,V
GS
=4.5V,I
D
=7A
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
-
-
-
-
-
-
-
6
5.2
18.8
4.4
8.4
2.1
4.7
-
-
ns
-
-
-
-
-
nC
源极 - 漏极二极管的特性
正向电压上
2
I
S
= 7A ，V
GS
=0V
连续源电流（体二极管）
V
D
=V
G
=0V, V
S
=1.2V
V
SD
I
S
-
-
-
-
1.2
1.67
V
A
注：1，脉冲宽度有限的最大结温。
2.脉冲宽度≤ 300US ，占空比≤ 2 ％ 。
3.表面安装1
2
铜垫FR4电路板，安装在闽的时候135 ° C / W 。铜垫。
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WEITRON
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07-May-07
WTK4501
P沟道电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
民
-30
-
-
-
典型值
-
-
-
-
最大
-
-1
-25
±100
单位
V
A
nA
开关特性
漏源击穿电压
V
GS
=0,I
D
=-250 A
漏极 - 源极漏电流
TJ = 25°C ，V
DS
=-30V, V
GS
=0V
TJ = 70 ° C，V
DS
=-24V, V
GS
=0V
栅极 - 源极漏电流
V
GS
=±16V
基本特征
门源阈值电压
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250 A
漏源导通电阻
2
V
GS
= -10V ，我
D
=-5.3A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-4.2A
正向跨导
V
DS
=-10V,I
D
=-5.3A
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
-1.0
-
-
-
-
-
-
8.5
-3.0
50
90
-
V
m
S
Dymamic特点
输入电容
V
GS
=0V, V
DS
= -15V ， F = 1.0MHz的
输出电容
V
GS
=0V, V
DS
= -15V ， F = 1.0MHz的
反向传输电容
V
GS
=0V, V
DS
= -15V ， F = 1.0MHz的
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
-
-
-
790
440
120
-
-
-
pF
开关特性
导通延迟时间
2
V
DS
=-15V, V
GS
= -10V ，我
D
= -1A ，R
G
=6 , R
D
=15
上升时间
V
DS
=-15V, V
GS
= -10V ，我
D
= -1A ，R
G
=6 , R
D
=15
打开- O延迟时间
V
DS
=-15V, V
GS
= -10V ，我
D
= -1A ，R
G
=6 , R
D
=15
下降时间
V
DS
=-15V, V
GS
= -10V ，我
D
= -1A ，R
G
=6 , R
D
=15
总栅极电荷
2
V
DS
=-15V, V
GS
= -10V ，我
D
=-5.3A
栅极 - 源电荷
V
DS
=-15V, V
GS
= -10V ，我
D
=-5.3A
门源变化
V
DS
=-15V, V
GS
= -10V ，我
D
=-5.3A
t
D（上）
t
r
t
（O
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
)
-
-
-
-
-
-
-
12
20
45
27
20
3.5
2
-
-
ns
-
-
-
-
-
nC
源极 - 漏极二极管的特性
正向电压上
2
I
S
= -2.6A ，V
GS
=0V
连续源电流（体二极管）
V
D
=V
G
=0V, V
S
=-1.2V
V
SD
I
S
-
-
-
-
-1.2
-1.67
V
A
注：1，脉冲宽度有限的最大结温。
2.脉冲宽度≤ 300US ，占空比≤ 2 ％ 。
3.表面安装1
2
铜垫FR4电路板，安装在闽的时候135 ° C / W 。铜垫。
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WEITRON
3/10
07-May-07
WTK4501
特性曲线N沟道
WEITRON
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07-May-07
WTK4501
N沟道
WEITRON
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07-May-07
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