WTK4435
表面安装P- CHANNEL
增强型MOSFET
P B
铅(Pb ) - 免费
漏电流
-8安培
漏源电压
D
G
4
5
D
1
2
3
S
S
S
8
7
6
D
D
产品特点:
-30电压
*超级高密度
*电池设计低R
DS ( ON)
* R
DS ( ON)
<20米@V
GS
= -10V
* R
DS ( ON)
<35米@V
GS
= -4.5V
*简单的驱动要求
*低导通电阻
*快速切换
1
SOP-8
描述:
该WTK4435提供设计师与快速切换的最佳组合,
坚固耐用的设备设计,低导通电阻和成本-E ectiveness 。
该SOP -8封装普遍首选的所有商业工业表面
安装的应用程序,并适用于低电压应用,如DC / DC转换器。
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
等级
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
(1)
功耗
(T
A
=25°C)
(T
A
=25°C)
(T
A
=70°C)
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
R θ
JA
T
J
TSTG
价值
-30
±20
-8
-6
-50
2.5
50
+150
-55到+150
团结
V
V
A
A
W
° C / W
°C
°C
最大最大结点到环境
工作结温范围
存储温度范围
器件标识
WTK4435=4435SC
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03-May-07
WTK4435
电气特性
特征
(T
A
= 25°C ü nless另有说明)
符号
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
民
典型值
-
-
-
最大
-
-3.0
±100
-1
-5
20
35
单位
V
V
nA
A
STATIC
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时,我
D
= -250微安
门源阈值电压
V
DS
=V
GS
, I
D
= -250微安
栅极 - 源极漏电流
+
V
DS
=0V, V
GS
=-20V
零栅极电压漏极电流
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
漏源导通电阻
V
GS
= -10V ,我
D
=-8A
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-5A
正向跨导
V
DS
= -10V ,我
D
=-8A
-30
-1.0
-
-
-
R
DS (
on
)
g
fs
-
-
-
-
-
20
m
S
-
动态
输入电容
V
DS
=-15V, V
GS
= 0V , F = 1MHz的
输出电容
V
DS
=-15V, V
GS
= 0V , F = 1MHz的
反向传输电容
V
DS
=-15V, V
GS
= 0V , F = 1MHz的
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
-
-
-
2800
1400
350
-
-
-
PF
开关
导通延迟时间
(2)
V
DS
= -15V ,我
D
= -1A ,V
GS
= -10V ,R
G
= 6
, R
D
= 15
上升时间
V
DS
= -15V ,我
D
= -1A ,V
GS
= -10V ,R
G
= 6
, R
D
= 15
打开-O时间
V
DS
= -15V ,我
D
= -1A ,V
GS
= -10V ,R
G
= 6
, R
D
= 15
下降时间
V
DS
= -15V ,我
D
= -1A ,V
GS
= -10V ,R
G
= 6
, R
D
= 15
总栅极电荷
(2)
V
DS
= -15V ,我
D
= -4.6A ,V
GS
=-10V
栅极 - 源电荷
V
DS
= -15V ,我
D
= -4.6A ,V
GS
=-10V
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= -15V ,我
D
= -4.6A ,V
GS
=-10V
漏源二极管的正向电压
(2)
V
GS
= 0V时,我
S
=-2.1A
连续源电流(体二极管)
V
D=
V
G
=0V, V
S
=-1.2V
脉冲源电流(体二极管)
(1)
注意事项: 1,脉冲宽度有限的最大结温。
2.脉冲宽度≤ 300US ,占空比≤ 2 % 。
t
tf
Qg
QGS
QGD
t
d
(
on
)
tr
)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
30
20
120
80
47
9.5
8
-0.75
-
-
-
nS
nS
nS
nS
nc
nc
nc
V
A
A
-
-
-
-
-
-
-1.2
-2.1
-50
V
SD
I
S
I
SM
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