WTC2302
N沟道增强
MODE POWER MOSFET
1
门
3
漏
漏电流
3.2 AMPERS
排水烃源电压
20电压
产品特点:
*超级高密度电池设计低R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
<90m@V
GS
=4.5V
*坚固可靠
*有能力2.5V栅极驱动
*简单的驱动要求
* SOT- 23封装
来源
2
3
1
2
SOT-23
最大额定值
(T
A
=25℃
等级
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
,V
GS
@4.5V(T
A
,V
GS
@4.5V(T
A
漏电流脉冲
1,2
总功率耗散(T
A
=25 ℃ )
最大结到环境
3
除非另有规定编)
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
R
JA
T
J
, T
英镑
价值
20
单位
V
±12
3.2
2.6
10
1.38
90
-55~+150
W
℃/W
℃
A
工作结存储温度范围
器件标识
WTC2302=2302
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WEITRON
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09-May-05
WTC2302
电气特性
(T
A
= 25℃
特征
除非另有说明)
符号
民
典型值
最大
单位
STATIC
漏源击穿电压
V
GS
=0,I
D
=250μA
门源阈值电压
V
DS
=V
GS
,I
D
=250
μA
栅极 - 源极漏电流
V
GS
=
±12V
漏极 - 源极漏电流(T
j
=25℃)
V
DS
=20V,V
GS
=0
漏极 - 源极漏电流(T
j
=70℃)
V
DS
=20V,V
GS
=0
漏源导通电阻
V
GS
=4.5V,I
D
=3.6A
V
GS
=2.5V,I
D
=3.1A
正向跨导
V
DS
=5V,I
D
=3.6A
g
fs
R
DS ( ON)
-
-
-
-
-
6
85
115
-
mΩ
I
DSS
-
-
10
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
20
0.5
-
-
-
-
-
-
-
V
1.2
nA
±100
1
μA
S
动态
输入电容
V
GS
=0V,V
DS
=10V,f=1.0MHz
输出电容
V
GS
=0V,V
DS
=10V,f=1.0MHz
反向传输电容
V
GS
=0V,V
DS
=10V,f=1.0MHz
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
-
-
-
145
100
50
-
-
-
pF
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WEITRON
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WTC2302
开关
导通延迟时间
2
V
DS
=10V,V
GS
=5V,I
D
=3.6A,R
D
=2.8Ω,R
G
=6Ω
上升时间
V
DS
=10V,V
GS
=5V,I
D
=3.6A,R
D
=2.8Ω,R
G
=6Ω
打开-O FF延迟时间
V
DS
=10V,V
GS
=5V,I
D
=3.6A,R
D
=2.8Ω,R
G
=6Ω
下降时间
V
DS
=10V,V
GS
=5V,I
D
=3.6A,R
D
=2.8Ω,R
G
=6Ω
总栅极电荷
2
V
DS
=10V,V
GS
=4.5V,I
D
=3.6A
栅极 - 源电荷
V
DS
=10V,V
GS
=4.5V,I
D
=3.6A
栅极 - 漏极变化
V
DS
=10V,V
GS
=4.5V,I
D
=3.6A
t
d
(上)
-
-
-
-
-
-
-
5.2
37
15
5.7
4.4
0.6
1.9
-
-
ns
t
d
(关闭)
-
-
-
-
-
nC
tr
tf
Q
g
Q
gs
Q
gd
源极 - 漏极二极管的特性
正向电压上
2
V
GS
=0V,I
S
=1.6A
V
SD
-
-
-
-
-
-
1.2
1
10
V
连续源电流(体二极管)
V
D
=V
G
=0V,V
S
=1.2V
脉冲源电流(体二极管)
1
I
S
I
SM
A
A
注:1,脉冲宽度有限的最高,结温。
2.脉冲宽度
≦
300μS ,占空比
≦
2%.
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫; 270安装在最小的时候℃ / W ,铜垫。
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WTC2302
10
TA=25°C
5
4.5V
3.5V
TA=150°C
4.5V
3.5V
3.0V
2.5V
I
D
,漏电流( A)
8
2.5V
I
D
,漏电流( A)
3.0V
4
6
3
V
G
=2.0V
2
1
0
4
V
G
=2.0V
2
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
图1典型的输出特性
100
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图2典型的输出特性
1.8
V
DS
,漏极至源极电压( V)
90
I
D
= 3.1A
T
A
= 25°C
归一化
DS ( ON)
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
I
D
= 3.6A
V
G
= 4.5V
R
DS ( ON)
(m)
80
70
60
2
图3导通电阻V.S.栅极电压
10.0
1.4
V
GS
,栅极至源极电压(V )
3
4
5
0.6
-50
0
50
100
150
图4归一化导通电阻
T
j
,结温( ° C)
1.0
V
GS ( TH)
(V)
1.3
1.0
T
j
= 150°C
T
j
= 25°C
I
F
( A )
0.6
0
0
图5正向特性
反向二极管
V
DS
,源极到漏极电压(V )
0.5
0.9
0.2
-50
图6栅极阈值电压V.S.
结温
T
j
,结温( ° C)
0
50
100
150
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WTC2302
1000
F = 1.0MHz的
V
GS
,门源电压( V)
12
10
8
6
4
2
0
I
D
= 3.6A
V
DS
= 4.5V
西塞
C( pF)的
100
科斯
CRSS
0
2
4
6
8
10
0
1
5
9
13
17
21
25
29
图7.栅极电荷特性
100
Q
G
,总栅极电荷( NC)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图8.典型的电容特性
1
占空比= 0.5
0.2
10
归热响应(R
ja
)
θ
0.1
0.1
0.05
P
DM
I
D
(A)
1
1ms
10ms
0.01
0.01
t
T
0.1
T
A
= 25°C
单脉冲
0.01
100ms
Is
DC
1
10
100
占空比系数= T / T
PEAK TJ = P
DM
个R
θju
+ T
u
R
θJA
= 270 ° C / W
单脉冲
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.1
V
DS
,漏极至源极电压( V)
T,脉冲宽度(S )
图9.最高安全工作区
V
DS
90%
图10.有效的瞬态热阻抗
VG
Q
G
Q
GS
Q
GD
4.5V
10%
V
GS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
收费
Q
图11.开关时间电路
图12栅极电荷波形
WEITRON
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09-May-05