WTC2301
p沟道增强
MODE POWER MOSFET
P B
铅（Pb ） - 免费
1
门
3
漏
漏电流
-2.6安培
漏源电压
-20
电压
产品特点：
*超级高密度电池设计低R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
<130m@V
GS
=12V
*坚固可靠
*有能力2.5V栅极驱动
*简单的驱动要求
* SOT- 23封装
来源
2
3
1
2
SOT-23
应用
*在笔记本电脑的电源管理
*便携式设备
*电池供电系统
最大额定值
(T
A
=25℃
等级
漏源电压
栅源电压
昆仑连续的漏电流
3
,V
GS
@12V(T
A
,V
GS
@12V(T
A
漏电流脉冲
1,2
除非另有规定编）
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
R
θJA
T
J
, T
英镑
价值
20
±12
-2.6
-2.1
- 10
1.38
90
-55~+150
单位
V
A
总计宝迪斯疫情周报sipation （T
A
=25C)
最大结到环境
3
工作结存储温度范围
W
° C / W
C
器件标识
WTC2301=2301
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WEITRON
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12-May-05
WTC2301
电气特性
(T
A
= 25℃
特征
除非另有说明）
符号
民
典型值
最大
单位
STATIC
漏源击穿电压
V
GS
=0,I
D
=-250μA
门源阈值电压
V
DS
=V
GS
,I
D
=-250
μA
门光源L eakage光凭目前
V
GS
= ±12V
漏极嗖RCE泄漏当前作（T
j
=25C)
V
DS
=-20V,V
GS
=0
漏极嗖RCE泄漏当前作（T
j
=70C)
V
DS
=-16V,V
GS
=0
漏源导通电阻
2
V
GS
=-5.0V,I
D
=-2.8A
V
GS
=-2.8V,I
D
=-2.0A
正向跨导
V
DS
= -5.0 V，I
D
=-2.8A
g
fs
R
DS （O N）
-
-
-
-
-
4.4
130
190
-
mΩ
I
DSS
-
-
-10
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
-20
-0.5
-
-
-
-
-
-
-
V
-
±100
-1
μA
nA
S
动态
输入电容
V
GS
=0V,V
DS
=-6V,f=1.0MHz
输出电容
V
GS
=0V,V
DS
=-6V,f=1.0MHz
反向传输电容
V
GS
=0V,V
DS
=-6V,f=1.0MHz
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
-
-
-
295
170
65
-
-
-
pF
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WEITRON
2/6
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WTC2301
开关
导通延迟时间
2
V
DS
=-15V,V
GS
=-10V,I
D
=-1A,R
D
=15Ω ,R
G
=6Ω
上升时间
V
DS
=-15V,V
GS
=-10V,I
D
=-1A,R
D
=15Ω ,R
G
=6Ω
关闭德打好时间
V
DS
=-15V,V
GS
=-10V,I
D
=-1A,R
D
=15Ω ,R
G
=6Ω
下降时间
V
DS
=-15V,V
GS
=-10V,I
D
=-1A,R
D
=15Ω ,R
G
=6Ω
总栅极电荷
2
V
DS
=-6.0V,V
GS
=-5.0V,I
D
=-2.8A
门源哈耶
V
DS
=-6.0V,V
GS
=-5.0V,I
D
=-2.8A
栅极 - 漏极焊割
V
DS
=-6.0V,V
GS
=-5.0V,I
D
=-2.8A
t
d
（上）
-
-
-
-
-
-
-
5.2
9.7
19
29
5.2
1.36
0.6
-
-
ns
t
d
（关闭）
-
-
10
-
-
nC
tr
tf
Q
g
Q
gs
Q
gd
源极 - 漏极二极管的特性
正向电压上
2
V
GS
=0V,I
S
= -1.6一个TJ = 25℃
V
SD
-
-
-
-
-
-
- 1.2
-1
- 10
V
A
A
连续源电流（体二极管）
V
D
=V
G
=0V,V
S
=-1.2V
脉冲源电流（体二极管）
1
I
S
I
SM
注：1，脉冲宽度有限的最高，结温。
2.脉冲宽度
≦
300μS ，占空比
≦
2%.
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫; 270安装在最小的时候℃ / W ，铜垫。
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10
TA=25°C
V
GS
= -5V
V
GS
= -4V
10
TA=25°C
8
V
GS
= -5V
V
GS
= -4V
V
GS
= -3V
-I
D
，漏电流（ A）
8
6
-I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= -3V
6
4
4
V
G
= -2V
2
V
G
= -2V
2
0
0
1
2
3
4
5
6
0
0
图1典型的输出特性
800
1.8
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图2典型的输出特性
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
1
2
3
4
5
6
600
I
D
= -2A
T
A
= 25°C
归一化
DS （ ON）
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
I
D
= -2.8A
V
G
= -5V
R
DS （ ON）
(m)
400
200
0
0
图3导通电阻V.S.栅极电压
10.0
1.4
-V
GS
，栅极至源极电压（V ）
2
4
6
8
10
0.6
-50
0
50
100
150
图4归一导通电阻
T
j
，结温（ ° C）
T
j
= 150°C
1.0
-I
S
( A )
-V
GS （ TH）
(V)
1.3
1.0
T
j
= 25°C
0.6
0
0
图5正向特性
反向二极管
-V
DS
，源极到漏极电压（V ）
0.5
0.9
0.2
-50
图6栅极阈值电压V.S.
结温
T
j
，结温（ ° C）
0
50
100
150
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WTC2301
5
1000
F = 1.0MHz的
-V
GS
，门源电压（ V）
I
D
= -2.8A
4
V
DS
= -6V
西塞
3
C（ pF）的
100
2
科斯
1
CRSS
0
0
2
4
6
0
1
3
5
7
9
11
13
图7.栅极电荷特性
100
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图8.典型的电容特性
1
占空比= 0.5
0.2
10
归热响应（R
ja
)
θ
0.1
0.1
0.05
P
DM
-I
D
(A)
1
1ms
10ms
0.01
0.01
t
T
0.1
T
A
= 25°C
单脉冲
0.01
100ms
Is
DC
1
10
100
占空比系数= T / T
PEAK TJ = P
DM
个R
θju
+ T
u
R
θJA
= 270 ° C / W
单脉冲
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.1
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
V
DS
90%
图10.有效的瞬态热阻抗
VG
Q
G
Q
GS
Q
GD
-5V
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间电路
图12栅极电荷波形
WEITRON
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