WT4410M
表面安装N沟道
增强型MOSFET
P B
铅（Pb ） - 免费
漏电流
10
安培
漏源
电压
30
电压
D
1
3
S
S
8
7
D
2
D
6
S
产品特点：
*超级高密度电池设计低R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
<11米
@V
GS
=10V
R
DS （ ON）
＆ LT ; 15米
@V
GS
=4.5V
*坚固可靠
* SO- 8封装
D
最大额定值
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
等级
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（ TJ = 125℃ ）
(1)
漏电流脉冲
(2)
漏源二极管的正向电流
(1)
功耗
(1)
最大最大结点到环境
工作结存储
温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
R
θ
JA
T
J
， TSTG
价值
30
团结
V
V
A
A
A
W
C / W
C
G
4
5
1
SO-8
+
-20
10
30
2.3
2.5
50
-55到150
器件标识
WT4410M=SDM4410
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01-Jul-05
WT4410M
电气特性
STATIC
(2)
特征
（ TA = 25℃除非另有说明）
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
民
典型值
-
1.5
-
-
最大
-
3
+
-100
1
13.5
20
单位
V
V
nA
uA
m
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 250微安
门源阈值电压
V
DS
=V
GS
, I
D
= 250微安
栅极 - 源极漏电流
+
V
DS
=0V, V
GS
=-16V
零栅极电压漏极电流
V
DS
=24V, V
GS
=0V
漏源导通电阻
V
GS
= 10V ，我
D
=10A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5A
通态漏电流
V
DS
=10V, V
GS
=10A
正向跨导
V
DS
= 10V ，我
D
=20A
30
1
-
-
-
-
40
r
DS （
on
)
11
15
I
D（上）
g
fs
-
18
-
-
A
S
-
动态
(3)
输入电容
V
DS
=15V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
输出电容
V
DS
=15V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
反向传输电容
V
DS
=15V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
-
-
-
1375
670
200
-
-
-
PF
开关
(3)
导通延迟时间
V
GS
=10V,V
DD
= 15V ，我
D
= -1A ，R
根
=6
上升时间
V
GS
=10V,V
DD
= 15V ，我
D
= -1A ，R
根
=6
打开-O FF时间
V
GS
=10V,V
DD
= 15V ，我
D
= -1A ，R
根
=6
下降时间
V
GS
=10V,V
DD
= 15V ，我
D
= -1A ，R
根
=6
总栅极电荷
V
DS
= 10V ，我
D
= 10A ，V
GS
=10V
V
DS
= 10V ，我
D
= 10A ，V
GS
=4.5V
栅极 - 源电荷
V
DS
= 10V ，我
D
= 10A ，V
GS
=10V
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 10V ，我
D
= 10A ，V
GS
=10V
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0V时，我
S
=2.3A
t
d
(
on
)
tr
t
D（关闭）
tf
Qg
-
-
-
-
-
-
-
-
-
30
32
132
30
-
nS
nS
nS
nS
nc
-
-
-
50
24
40
20
8.2
5.3
0.76
QGS
QGD
-
-
1.1
nc
nc
V
V
SD
注： 1.表面安装在FR4板吨< 10秒。
_
_
_
2.脉冲测试： PW < 300US ，占空比< 2 ％ 。
3.设计保证，不受生产测试。
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WT4410M
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V
GS
=10,9,8,7,6,5,4V
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
我们将其R ON
25
20
15
10
5
-55 C
0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
T
j
=125 C
20
15
10
5
0
25 C
V
GS
=3V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图1 。输出特性
1500
1200
900
600
300
0
0
5
10
15
20
西塞
科斯
CRSS
25
30
R
DS （ ON）
，导通电阻（ Ω ）
C，电容（
P
F)
图2传输特性
0.030
0.025
0.020
0.015
0.010
0.005
0
0
5
10
15
-55 C
T
j
=125 C
25 C
V
GS
=10V
20
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图3电容
1.09
1.06
1.03
1.00
0.97
0.94
0.91
-50 -25
0
25 50
75 100 125 150
BV
DSS
，归一化
漏源击穿电压（ V）
栅源阈值电压（ V）
图4导通电阻变化与
漏电流和温度
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25 0
25 50 75 100 125 150
I
D
，漏电流（ A）
V
DS
=V
GS
I
D
=250uA
I
D
=-250uA
V
th
，归一化
T
j
，结温（ C）
T
j
，结温（ C）
图5门阈值变化
随温度
图6击穿电压的变化
随温度
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15
10
5
V
DS
=15V
0
0
5
10
15
20
I
S
，源极 - 漏极电流（A）
我们将其R ON
40.0
25
g
FS
，跨导（ S）
10.0
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
DS
，漏源电流（A ）
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图7跨导变化
与漏极电流
V
GS
，门源电压（ V）
图8体二极管的正向电压
变化与源电流
40
I
D
，漏电流（ A）
10
8
6
4
2
0
V
DS
=10V
I
D
=40A
10
R
(
DS
ON
im
)L
it
10m
100
ms
s
1
1
DC
1s
0.1
0.03
0.1
V
DS
=10V
单脉冲
T
C
=25 C
1
10
30 50
0
5
10 15
20 25
30
35 40
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏源电流（ V）
图9栅极电荷
V
DD
图10最大安全工作区
t
on
t
关闭
t
r
90%
V
IN
D
V
的s
R
GE
G
R
L
V
OUT
t
D（上）
V
OUT
t
D（关闭）
90%
10%
t
f
10%
INVE TE
90%
S
V
IN
50%
10%
50%
PULS WIDTH ê
图11开关测试电路
图12开关波形
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我们将其R ON
10
R（T ） ，归一化暂态
热阻
占空比= 0.5
1
0.2
0.1
P
DM
t
1
t
2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.00001
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
1. R
θ
j
A
（吨） = R （t）的R *
θ
j
A
2. R
θ
j
A
=请查阅技术资料
3. TJ
M
-TA = P
DM
* R
θ
j
A
(t)
4.占空比D = T
1
/t
2
10
100
1000
方波脉冲持续时间（秒）
图13归一化瞬态热阻抗CUREVE
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