怀特电子设计
特点
■
25ns的（ SRAM）和120ns的访问时间（ FLASH）
■
包装
?? 66针， PGA类型， 1.385"方HIP ，密封
陶瓷HIP （ 402包）
?? 68铅，密封CQFP （ G2T ） ， 22.4毫米（ 0.880" ）
正方形（ 509包） 4.57毫米（ 0.180" ）的高度。
旨在满足JEDEC 68领先0.990" CQFJ
足迹（图2） 。待开发包。
■
128Kx32 SRAM
■
512Kx32 5V闪存
■
组织为SRAM和512Kx32的128Kx32
闪存与普通数据总线
■
低功耗CMOS
■
商用，工业和军用温度范围
■
TTL兼容的输入和输出
WSF41632-22XX
初步*
128K
X
32 SRAM & 512Kx32闪存混合模块
■
重量 - 13克典型
■
内置的去耦电容和多接地引脚
对于低噪音运行
FLASH内存功能
■
10万次擦除/编程最低
■
部门架构
??每一个64K字节的8大小相等的行业
行业的任何组合可以同时
删除。还支持整片擦除
■
5伏编程; 5V ±10 ％电源
■
嵌入式擦除和编程算法
■
硬件写保护
■
页编程操作和内部程序
控制时间。
*此数据表描述了正在研发的产品，不能完全
特点，并随时更改，恕不另行通知。
注意：对于编程的信息，请参阅闪存编程
4M5应用笔记。
图。 1
1
I / O
8
I / O
9
I / O
10
A
14
A
16
A
11
A
0
A
18
I / O
0
I / O
1
I / O
2
11
22
12
引脚配置WSF41632-22H2X
23
FWE
2
SWE
2
GND
I / O
11
A
10
A
9
A
15
V
CC
FCS
SCS
I / O
3
33
P
IN
D
ESCRIPTION
D
0-31
数据输入/输出
地址输入
SRAM写入启用
SRAM芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
闪存写入启用
FLASH的片选
A
0-18
SWE
1-4
SCS
OE
V
CC
GND
NC
FWE
1-4
FCS
T
OP
V
IEW
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
OE
A
17
FWE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
24
I / O
25
I / O
26
A
7
A
12
SWE
1
A
13
A
8
I / O
16
I / O
17
I / O
18
34
V
CC
SWE
4
FWE
4
I / O
27
A
4
A
5
A
6
FWE
3
SWE
3
GND
I / O
19
44
45
I / O
31
I / O
30
I / O
29
I / O
28
A
1
A
2
A
3
I / O
23
I / O
22
I / O
21
I / O
20
55
56
B
LOCK
D
IAGRAM
FWE
1
OE
A0-18
SCS
FCS
SWE
1
FWE
2
SWE
2
FWE
3
SWE
3
FWE
4
SWE
4
512K ×8闪存
128K ×8 SRAM
512K ×8闪存
128K ×8 SRAM
512K ×8闪存
128K ×8 SRAM
512K ×8闪存
128K ×8 SRAM
66
I/O0-7
I/O8-15
I/O16-23
I/O24-31
2002年10月第4版
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
怀特电子设计
图。 2
引脚配置WSF41632-22G2TX
顶视图
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
SWE
3
GND
SWE
4
FWE
1
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
V
CC
9 8 7 6 5 4 3 2 1 68 67 66 65 64 63 62 61
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
GND
I / O
8
I / O
9
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
I / O
14
I / O
15
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
I / O
16
I / O
17
I / O
18
I / O
19
I / O
20
I / O
21
I / O
22
I / O
23
GND
I / O
24
I / O
25
I / O
26
I / O
27
I / O
28
I / O
29
I / O
30
I / O
31
WSF41632-22XX
P
IN
D
ESCRIPTION
D
0-31
A
0-18
SWE
1-4
SCS
OE
V
CC
0.940"
数据输入/输出
地址输入
SRAM写入启用
SRAM芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
闪存写入启用
FLASH的片选
GND
NC
FWE
1-4
FCS
该WEDC 68领先G2T
CQFP填充相同的契合
和功能与
JEDEC 68领先CQFJ或
68 PLCC 。但G2T有
传统文化表现形式和铅监察窗
的化优势
CQFP形式。
A
16
FCS
OE
SWE
2
NC
FWE
2
FWE
3
FWE
4
NC
SCS
SWE
1
B
LOCK
D
IAGRAM
FWE
1
OE
A0-18
SCS
FCS
SWE
1
FWE
2
SWE
2
FWE
3
SWE
3
FWE
4
SWE
4
A
11
A
12
A
13
A
14
V
CC
A
15
512K ×8闪存
128K ×8 SRAM
512K ×8闪存
128K ×8 SRAM
512K ×8闪存
128K ×8 SRAM
512K ×8闪存
128K ×8 SRAM
I/O0-7
I/O8-15
I/O16-23
I/O24-31
怀特电子设计公司亚利桑那州凤凰城 （ 602 ） 437-1520
2
怀特电子设计
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
参数
工作温度
储存温度
信号电压相对于GND
结温
电源电压
参数
闪存数据保留
闪存耐久性（写入/擦除周期）
20年
100000分钟
TEST
OE电容
F / S WE 1-4电容
F / S CS电容
D
0
-
31
电容
单位
V
V
V
A
0
- A
16
电容
符号
T
A
T
英镑
V
G
T
J
V
CC
-0.5
民
-55
-65
-0.5
最大
+125
+150
7.0
150
7.0
单位
°C
°C
V
°C
V
SCS
H
L
L
L
OE
X
L
H
X
SWE
X
H
H
L
WSF41632-22XX
SRAM牛逼
RUTH
T
ABLE
模式
待机
读
读
写
数据I / O
高Z
数据输出
高Z
DATA IN
动力
待机
活跃
活跃
活跃
注意：
1. FCS必须保持高电平时SCS低。
注意：
1.强调以上的绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。在扩展操作
最高级别可能会降低性能并影响可靠性。
C
APACITANCE
(T
A
= +25°C)
符号
C
OE
C
WE
C
CS
C
I
/
O
C
AD
条件
V
IN
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
IN
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
IN
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
IN
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
IN
= 0V ， F = 1.0MHz的
最大单位
80
30
50
30
80
pF
pF
pF
pF
pF
R
ECOMMENDED
O
操作摄像机
C
ONDITIONS
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
IH
V
IL
民
4.5
2.2
-0.5
最大
5.5
V
CC
+ 0.3
+0.8
此参数由设计保证，但未经测试。
DC
极特
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55°C
TO
+125°C)
参数
输入漏电流
输出漏电流
SRAM的工作电源电流×32模式
待机电流
SRAM输出低电压
SRAM输出高电压
闪光V
CC
工作电流为读（ 1 ）
闪光V
CC
工作电流为程序或
擦除（ 2 ）
闪光输出低电压
闪光输出高电压
闪光输出高电压
闪光低V
CC
锁定电压
符号
I
LI
I
LO
I
CCx32
I
SB
V
OL
V
OH
I
CC1
I
CC2
V
OL
V
OH1
V
OH2
V
LKO
条件
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
SCS = V
IH
， OE = V
IH ，
V
OUT
= GND到V
CC
SCS = V
IL
， OE = FCS = V
IH ，
F = 5MHz时，V
CC
= 5.5
FCS = SCS = V
IH
， OE = V
IH ，
F = 5MHz时，V
CC
= 5.5
I
OL
= 8毫安，V
CC
= 4.5
I
OH
= -4.0mA ，V
CC
= 4.5
FCS = V
IL
， OE = SCS = V
IH
FCS = V
IL
， OE = SCS = V
IH
I
OL
= 8.0毫安，V
CC
= 4.5
I
OH
= -2.5毫安，V
CC
= 4.5
I
OH
= -100 μA ，V
CC
= 4.5
0.85× V
CC
V
CC
-0.4
3.2
4.2
2.4
260
300
0.45
民
最大
10
10
620
80
0.4
单位
A
A
mA
mA
V
V
mA
mA
V
V
V
V
注意事项：
1.我
CC
目前上市的包括直流工作电流和频率相关元件（ @ 5兆赫） 。
的频率分量通常是小于2mA /兆赫，使用OE在V
IH
.
2. I
CC
积极而嵌入算法（编程或擦除）正在进行中。
3.直流测试条件： V
IL
= 0.3V, V
IH
= V
CC
- 0.3V
3
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怀特电子设计
SRAM交流特性
(V
CC
= 5.0V ，T
A
= -55°C
TO
+125°C)
参数
读周期
读周期时间
地址访问时间
从地址变更输出保持
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出中低Z
输出使能到输出中低Z
芯片禁用高Z输出
输出禁止到输出中高Z
t
RC
t
AA
t
OH
t
ACS
t
OE
t
CLZ
t
OLZ
t
CHZ
1
1
1
WSF41632-22XX
SRAM交流特性
(V
CC
= 5.0V ，T
A
= -55°C
TO
+125°C)
符号
民
25
-25
最大
单位
ns
25
ns
ns
25
15
ns
ns
ns
ns
12
12
ns
ns
参数
写周期
写周期时间
片选写的结束
地址有效到写结束
数据有效到写结束
把脉冲宽度
地址建立时间
地址保持时间
输出写入结束活动
写使能到输出中高Z
从时间写数据保持
符号
民
t
WC
t
CW
t
AW
t
DW
t
WP
t
AS
t
AH
t
OW
1
t
WHZ
1
t
DH
0
25
20
20
15
20
3
0
3
-25
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
15
ns
ns
0
3
0
t
OHZ
1
1.此参数由设计保证，但未经测试。
1.此参数由设计保证，但未经测试。
图。 2
AC测试电路
参数
I
OL
电流源
AC牛逼
美东时间
C
ONDITIONS
典型值
V
IL
= 0, V
IH
= 3.0
5
1.5
1.5
单位
V
ns
V
V
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
输出时序参考电平
D.U.T.
C
EFF
= 50 pF的
V
Z
≈
1.5V
（双极性电源供电）
I
OH
电流源
注意事项：
V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
＆放大器;我
OH
可编程从0到16毫安。
测试仪抗Z
0
= 75
W.
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
＆放大器;我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
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4
怀特电子设计
图。 3 SRAM
时序波形 - 读周期
WSF41632-22XX
t
RC
地址
t
AA
SCS
t
RC
地址
t
ACS
t
CLZ
国有企业
t
CHZ
t
AA
t
OH
数据I / O
以前的数据有效
数据有效
t
OE
t
OLZ
数据I / O
高阻抗
t
OHZ
数据有效
读周期1 ， （ SCS = OE = V
IL
， SWE = FCS = V
IH
)
读周期2 （ SWE = FCS = V
IH
)
图。 4 SRAM
写周期 - SWE控制下的
t
WC
地址
t
AW
t
CW
SCS
t
AH
t
AS
SWE
t
WP
t
OW
t
WHZ
t
DW
t
DH
数据I / O
数据有效
写周期1 ， SWE控（ FCS = V
IH
)
图。 5 SRAM
写周期 - SCS控制下的
t
WC
地址
WS32K32-XHX
t
CW
t
AH
t
AS
SCS
t
AW
t
WP
SWE
t
DW
数据I / O
数据有效
t
DH
写周期2 ， SCS控（ FCS = V
IH
)
5
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