WSF2816-39XX
128K
X
16 SRAM / 512K
X
16闪存模块
特点
■
为35ns （ SRAM ），并为90ns的存取时间（ FLASH）
■
包装
66针， PGA型， 1.075 ＆ QUOT ;方HIP ，密封
陶瓷HIP （ 400包）
68引线，密封CQFP （ G2U ） ， 22.4毫米（ 0.880 ＆ QUOT ; ）广场
（ 510包） 3.56毫米（ 0.140 ＆ QUOT ; ）的高度。设计适合
JEDEC的68引线0.990 “ CQFJ足迹（图2）
■
128Kx16 SRAM
■
512Kx16 5V FLASH
■
组织为SRAM的128Kx16和闪存512Kx16
内存有独立的数据总线
■
内存这两个模块是用户可配置为256Kx8
■
低功耗CMOS
■
商用，工业和军用温度范围
■
TTL兼容的输入和输出
■
内置的去耦电容和地面多销
低噪音运行
■
重量：
WSF2816-39G2UX - 8克典型
WSF2816-39H1X - 13克典型
FLASH内存功能
■
10万次擦除/编程
■
部门架构
8个大小相等的各64K字节扇区
行业的任何组合可以同时删除。
还支持整片擦除
■
5伏编程; 5V ±10 ％电源
■
嵌入式擦除和编程算法
■
硬件写保护
注意：对于编程的信息，请参阅闪存编程4M5
应用笔记。
图。 1
1
SD
8
SD
9
SD
10
A
13
A
14
A
15
A
16
A
18
SD
0
SD
1
SD
2
11
引脚配置WSF2816-39H1X
顶视图
12
SWE
2
SCS
2
GND
SD
11
A
10
A
11
A
12
V
CC
SCS
1
NC
SD
3
22
33
23
SD
15
SD
14
SD
13
SD
12
OE
A
17
SWE
1
SD
7
SD
6
SD
5
SD
4
FD
8
FD
9
FD
10
A
6
A
7
NC
A
8
A
9
FD
0
FD
1
FD
2
44
34
V
CC
FCS
2
FWE
2
FD
11
A
3
A
4
A
5
FWE
1
FCS
1
GND
FD
3
55
45
FD
15
FD
14
FD
13
FD
12
A
0
A
1
A
2
FD
7
FD
6
56
引脚说明
FD
0-15
闪存数据输入/输出
SD
0-15
SRAM的数据输入/输出
A
0-18
SWE
1-2
SCS
1-2
OE
V
CC
GND
NC
FWE
1-2
FCS
1-2
地址输入
SRAM写使能
SRAM芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
Flash写使能
FLASH的片选
框图
FD
5
FD
4
66
2003年11月修订版5
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
WSF2816-39XX
图。 2
引脚配置WSF2816-39G2UX
顶视图
引脚说明
FD
0-15
A
0-18
SWE
1-2
SCS
1-2
OE
VCC
闪存数据输入/输出
地址输入
SRAM写使能
SRAM芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
SD
0-15
SRAM的数据输入/输出
白68引G2U CQFP
科幻LLS相同的网络连接T和功能
JEDEC的68引线CQFJ或68
PLCC 。但G2U有TCE
铅检测的优势
的CQFP形式。
GND
NC
FWE
1-2
Flash写使能
FCS
1-2
FLASH的片选
框图
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2
WSF2816-39XX
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
信号电压相对于GND
结温
电源电压
参数
闪存数据保留
闪存耐久性（写入/擦除周期）
20年
100,000
TEST
OE电容
WE电容
CS电容
数据I / O容量
地址线电容
符号
T
A
T
英镑
V
G
T
J
V
CC
-0.5
民
-55
-65
-0.5
最大
+125
+150
7.0
150
7.0
单位
°C
°C
V
°C
V
SCS
H
L
L
L
OE
X
L
H
X
SRAM真值表
SWE
X
H
H
L
模式
待机
读
读
写
数据I / O
高Z
数据输出
高Z
DATA IN
动力
待机
活跃
活跃
活跃
电容
(T
A
= +25°C)
符号
C
OE
C
WE
C
CS
C
I
/
O
C
AD
条件
V
IN
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
IN
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
IN
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
IN
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
IN
= 0V ， F = 1.0MHz的
最大
50
20
20
20
50
单位
pF
pF
pF
pF
pF
注意事项：
1.强调以上的绝对最大额定值可能会造成永久性的损害
到设备。在最高级别扩展操作可能会降低
性能和可靠性的影响。
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
IH
V
IL
民
4.5
2.2
-0.5
最大
5.5
V
CC
+ 0.3
+0.8
单位
V
V
V
此参数由设计保证，但未经测试。
DC特性
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
输入漏电流
输出漏电流
SRAM的工作电源电流×16模式
待机电流
SRAM输出低电压
SRAM输出高电压
闪光V
CC
工作电流为读（ 1 ）
闪光V
CC
工作电流为程序或
擦除（ 2 ）
闪光输出低电压
闪光输出高电压
闪光输出高电压
闪光低V
CC
锁定电压
符号
I
LI
I
LO
I
CCx16
I
SB
V
OL
V
OH
I
CC1
I
CC2
V
OL
V
OH1
V
OH2
V
LKO
条件
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
SCS = V
IH
， OE = V
IH ，
V
OUT
= GND到V
CC
SCS = V
IL
， OE = FCS = V
IH ，
F = 5MHz时，V
CC
= 5.5
FCS = SCS = V
IH
， OE = V
IH ，
F = 5MHz时，V
CC
= 5.5
I
OL
= 8.0毫安，V
CC
= 4.5
I
OH
= -4.0mA ，V
CC
= 4.5
FCS = V
IL
， OE = SCS = V
IH
FCS = V
IL
， OE = SCS = V
IH
I
OL
= 8.0毫安，V
CC
= 4.5
I
OH
= -2.5毫安，V
CC
= 4.5
I
OH
= -100 μA ，V
CC
= 4.5
0.85× V
CC
V
CC
-0.4
3.2
2.4
120
140
0.45
民
最大
10
10
325
20
0.4
单位
A
A
mA
mA
V
V
mA
mA
V
V
V
V
注意事项：
1.我
CC
目前上市的包括直流工作电流和频率相关元件（ @ 5兆赫） 。
的频率分量通常是小于2mA /兆赫，使用OE在V
IH
.
2. I
CC
积极而嵌入算法（编程或擦除）正在进行中。
3.直流测试条件： V
IL
= 0.3V, V
IH
= V
CC
- 0.3V
3
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WSF2816-39XX
SRAM交流特性
(V
CC
= 5.0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
读周期
读周期时间
地址访问时间
从地址变更输出保持
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出中低Z
输出使能到输出中低Z
芯片禁用高Z输出
输出禁止到输出中高Z
符号
民
t
RC
t
AA
t
OH
t
ACS
t
OE
t
CLZ
1
t
OLZ
t
CHZ
t
OHZ
1
1
1
SRAM交流特性
(V
CC
= 5.0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
单位
参数
写周期
写周期时间
片选写的结束
地址有效到写结束
数据有效到写结束
把脉冲宽度
地址建立时间
地址保持时间
输出写入结束活动
写使能到输出中高Z
从时间写数据保持
符号
民
t
WC
t
CW
t
AW
t
DW
t
WP
t
AS
t
AH
t
OW
1
1
-35
最大
35
35
0
35
20
3
0
20
20
-35
最大
35
25
25
20
25
0
0
4
20
0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
WHZ
t
DH
1.此参数由设计保证，但未经测试。
1.此参数由设计保证，但未经测试。
图。 3
AC测试电路
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
典型值
V
IL
= 0, V
IH
= 3.0
5
1.5
1.5
单位
V
ns
V
V
输出时序参考电平
注意事项：
VZ的可编程范围为-2V至+ 7V 。
IOL & IOH可编程从0到16毫安。
测试仪阻抗Z0 = 75
.
VZ典型VOH和VOL的中点。
人工晶状体& IOH被调整，以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
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4
WSF2816-39XX
图。 4 SRAM
时序波形 - 读周期
地址
t
RC
t
AA
SCS
t
RC
地址
t
ACS
t
CLZ
国有企业
t
CHZ
t
AA
t
OH
数据I / O
以前的数据有效
数据有效
t
OE
t
OLZ
数据I / O
高阻抗
t
OHZ
数据有效
读周期1 ， （ SCS = OE = V
IL
， SWE = V
IH
)
读周期2 （ SWE = V
IH
)
图。 5 SRAM
写周期 - SWE控制下的
t
WC
地址
t
AW
t
CW
SCS
t
AH
t
AS
SWE
t
WP
t
OW
t
WHZ
t
DW
t
DH
数据I / O
数据有效
写周期1 ， SWE控
图。 6 SRAM
写周期 - SCS控制下的
TCW
地址
WS32K32-XHX
TCW
TAH
TAS
SCS
TWA
TWP
SWE
TDW
数据I / O
TDH
数据有效
写周期2 ， SCS控
5
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