怀特电子设计
128K
X
32 SRAM /闪存模块
特点
25ns的存取时间（ SRAM ）和70 ， 90和
为120ns （ FLASH ）
包装：
66针， PGA型， 1.385英寸见方的臀部，
密封陶瓷HIP （ 402包）
128Kx32 SRAM
128Kx32 5V闪存
组织为SRAM和128Kx32的128Kx32
闪存与普通数据总线
低功耗CMOS
商用，工业和军用温度
范围
TTL兼容的输入和输出
内置的去耦电容和多接地引脚
对于低噪音运行
重量 - 13克典型
WSF128K32-XH2X
初步*
FLASH内存功能
万次擦除/编程
部门架构
??每个16K字节等于8部门规模
行业的任何组合可以同时
删除。还支持整片擦除
5伏编程; 5V ±10 ％电源
嵌入式擦除和编程算法
硬件写保护
页编程操作和内部程序
控制时间。
*本产品正在开发中，没有充分的特点，并且可随时更改
恕不另行通知。
注：编程可应要求提供的资料。
图1 - 引脚配置WSF128K32 ， XH2X
顶视图
1
I / O
8
I / O
9
I / O
10
A
14
A
16
A
11
A
0
NC
I / O
0
I / O
1
I / O
2
11
22
12
FWE
2
#
SWE
2
#
GND
I / O
11
A
10
A
9
A
15
V
CC
FCS ＃
SCS ＃
I / O
3
33
23
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
OE ＃
NC
FWE
1
#
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
24
I / O
25
I / O
26
A
7
A
12
SWE
1
#
A
13
A
8
I / O
16
I / O
17
I / O
18
44
34
V
CC
SWE
4
#
FWE
4
#
I / O
27
A
4
A
5
A
6
FWE
3
#
SWE
3
#
GND
I / O
19
55
45
I / O
31
I / O
30
I / O
29
I / O
28
A
1
A
2
A
3
FWE
1
#
SWE
1
#
引脚说明
56
D0-31
A0-16
SWE1-4#
SCS ＃
OE ＃
V
CC
GND
NC
FWE1-4#
FCS ＃
数据输入/输出
地址输入
SRAM写使能
SRAM芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
Flash写使能
FLASH的片选
框图
FWE
2
#
SWE
2
#
FWE
3
#
SWE
3
#
FWE
4
#
SWE
4
#
OE ＃
A
0-16
SCS ＃
FCS ＃
I / O
23
I / O
22
I / O
21
I / O
20
66
128K ×8闪存
128K ×8 SRAM
128K ×8闪存
128K ×8 SRAM
128K ×8闪存
128K ×8 SRAM
128K ×8闪存
128K ×8 SRAM
I / O
0-7
I / O
8-15
I / O
16-23
I / O
24-31
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绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
信号电压相对于GND
结温
电源电压
符号
T
A
T
英镑
V
G
T
J
V
CC
民
-55
-65
-0.5
-0.5
最大
+125
+150
7.0
150
7.0
单位
°C
°C
V
°C
V
SCS ＃
H
L
L
L
OE ＃
X
L
H
X
WSF128K32-XH2X
初步
SRAM真值表
SWE ＃
X
H
H
L
模式
待机
读
读
写
数据I / O
高Z
数据输出
高Z
DATA IN
动力
待机
活跃
活跃
活跃
注意：
1. FCS ＃必须保持高电平时SCS ＃低。
参数
闪存数据保留
闪存耐久性（写入/擦除周期）
10年
10,000
参数
OE ＃电容
F / S WE
1-4
＃电容
F / S CS ＃电容
D
0-31
电容
A
0-16
电容
电容
TA = + 25°C
符号
C
OE
C
WE
C
CS
C
I / O
C
AD
条件
最大单位
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的80 pF的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的30 pF的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的50 pF的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的30 pF的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的80 pF的
注意：
1.强调以上的绝对最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。延长运行在最高水平可能会降低性能，
影响可靠性。
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
IH
V
IL
民
4.5
2.2
-0.5
最大
5.5
V
CC
+ 0.3
+0.8
单位
V
V
V
此参数由设计保证，但未经测试。
DC特性
V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ， -55°C
≤
T
A
≤
+125°C
参数
输入漏电流
输出漏电流
SRAM的工作电源电流×32模式
待机电流
SRAM输出低电压
SRAM输出高电压
闪光V
CC
工作电流为读（ 1 ）
闪光V
CC
工作电流为程序或
擦除（ 2 ）
闪光输出低电压
闪光输出高电压
闪光输出高电压
闪光低V
CC
锁定电压
符号
I
LI
I
LO
I
CCx32
I
SB
V
OL
V
OH
I
CC1
I
CC2
V
OL
V
OH1
V
OH2
V
LKO
条件
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
SCS ＃ = V
IH
， OE ＃ = V
IH
, V
OUT
= GND到V
CC
SCS ＃ = V
IL
， OE ＃ = FCS ＃ = V
IH
中，f = 5MHz时，V
CC
= 5.5
FCS ＃ = SCS ＃ = V
IH
， OE ＃ = V
IH
中，f = 5MHz时，V
CC
= 5.5
I
OL
= 8毫安，V
CC
= 4.5
I
OH
= -4.0mA ，V
CC
= 4.5
FCS ＃ = V
IL
， OE ＃ = SCS ＃ = V
IH
FCS ＃ = V
IL
， OE ＃ = SCS ＃ = V
IH
I
OL
= 8.0毫安，V
CC
= 4.5
I
OH
= -2.5毫安，V
CC
= 4.5
I
OH
= -100 μA ，V
CC
= 4.5
民
最大
10
10
670
80
0.4
220
280
0.45
0.85× V
CC
V
CC
-0.4
3.2
单位
A
A
mA
mA
V
V
mA
mA
V
V
V
V
2.4
注意事项：
1.我
CC
目前上市的包括直流工作电流和频率相关元件（ @ 5兆赫） 。
的频率分量通常是小于2mA /兆赫，使用OE ＃在V
IH
.
2. I
CC
积极而嵌入算法（编程或擦除）正在进行中。
3.直流测试条件： V
IL
= 0.3V, V
IH
= V
CC
- 0.3V
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SRAM交流特性
V
CC
= 5.0V ， -55°C
≤
T
A
≤
+125°C
参数
读周期
读周期时间
地址访问时间
从地址变更输出保持
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出中低Z
输出使能到输出中低Z
芯片禁用高Z输出
输出禁止到输出中高Z
符号
民
t
RC
t
AA
t
OH
t
ACS
t
OE
t
CLZ
1
t
OLZ
1
t
CHZ
1
t
OHZ
1
25
25
0
25
15
3
0
12
12
-25
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
参数
写周期
WSF128K32-XH2X
初步
SRAM交流特性
V
CC
= 5.0V ， -55°C
≤
T
A
≤
+125°C
符号
民
t
WC
t
CW
t
AW
t
DW
t
WP
t
AS
t
AH
t
OW
1
t
WHZ
1
t
DH
25
20
20
15
20
3
0
3
15
0
-25
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
1.此参数由设计保证，但未经测试。
写周期时间
片选写的结束
地址有效到写结束
数据有效到写结束
把脉冲宽度
地址建立时间
地址保持时间
输出写入结束活动
写使能到输出中高Z
从时间写数据保持
1.此参数由设计保证，但未经测试。
图2 - AC测试电路
AC测试条件
I
OL
电流源
D.U.T.
C
EFF
= 50 pF的
V
Z
≈ 1.5V
（双极性电源供电）
参数
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
输出时序参考电平
典型值
V
IL
= 0, V
IH
= 3.0
5
1.5
1.5
单位
V
ns
V
V
I
OH
电流源
注意事项：
V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
＆放大器;我
OH
可编程从0到16毫安。
测试仪阻抗Z0 = 75 Ω 。
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
＆放大器;我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
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WSF128K32-XH2X
初步
图3 - SRAM时序波形 - 读周期
t
RC
地址
t
AA
t
RC
地址
SCS ＃
t
ACS
t
AA
t
OH
SOE ＃
t
CHZ
t
CLZ
t
OE
t
OLZ
数据I / O
高阻抗
数据I / O
以前的数据有效
数据有效
t
OHZ
数据有效
读周期1 ， （ SCS ＃ = OE ＃ = V
IL
， SWE ＃ = FCS ＃ = V
IH
)
读周期2 （ SWE ＃ = FCS ＃ = V
IH
)
图4 - SRAM写周期 - SWE ＃控制
t
WC
地址
t
AW
t
CW
SCS ＃
t
AH
t
AS
SWE ＃
t
WP
t
OW
t
WHZ
t
DW
数据有效
t
DH
数据I / O
写周期1 ， SWE ＃控制（ FCS ＃ = V
IH
)
图5 - SRAM写周期 - SCS ＃控制
t
WC
地址
t
AS
SCS ＃
t
AW
t
CW
t
AH
t
WP
SWE ＃
t
DW
数据I / O
数据有效
t
DH
写周期2 ， SCS ＃控制（ FCS ＃ = V
IH
)
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V
CC
= 5.0V ， -55°C
≤
T
A
≤
+125°C
参数
写周期时间
片选建立时间
写使能脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
芯片选择保持时间
写使能脉冲宽度高
的字节编程操作时间（min ）
芯片和扇区擦除时间
阅读恢复时间之前写
V
CC
建立时间
芯片编程时间
输出使能设置时间
输出使能保持时间（ 1 ）
1.对于切换和数据＃投票。
t
OES
t
OEH
0
10
t
AVAV
t
ELWL
t
WLWH
t
AVWL
t
DVWH
t
WHDX
t
WLAX
t
WHEH
t
WHWL
t
WHWH1
t
WHWH2
t
GHWL
t
VCS
符号
民
t
WC
t
CS
t
WP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
CH
t
WPH
70
0
45
0
45
0
45
0
20
14
2.2
0
50
12.5
0
10
60
-70
最大
民
90
0
45
0
45
0
45
0
20
14
2.2
0
50
-90
WSF128K32-XH2X
初步
FLASH交流特性 - 写/擦除/编程操作， FWE ＃控制
-120
最大
民
120
0
50
0
50
0
50
0
20
14
60
2.2
0
50
12.5
0
10
12.5
60
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
美国证券交易委员会
s
s
美国证券交易委员会
ns
ns
单位
FLASH交流特性 - 读操作只有
V
CC
= 5.0V ， -55°C
≤
T
A
≤
+125°C
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
OE ＃到输出有效
芯片选择到输出高Z（ 1 ）
OE ＃高到输出高Z（ 1 ）
从地址输出保持， FCS ＃或OE ＃变化，
取其科幻RST
1.由设计保证，未经测试。
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ
t
GHQZ
t
AXQX
符号
民
t
RC
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
t
DF
t
OH
0
70
70
70
35
20
20
0
-70
最大
民
90
90
90
40
25
25
0
-90
最大
民
120
120
120
50
30
30
-120
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
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