高速超低功率SRAM
8K字由8位
WS6264
概述
该
WS6264
是一种高性能，高速度和超低功耗CMOS静态随机
存取记忆体组织为8,192字由8位，并从单一4.5V至5.5V的电源电压工作。
先进的CMOS工艺和电路技术同时提供高速，超低功耗的特点，并
在5.0V工作电压为70ns的最大访问时间。易存储器扩展，通过使用两个芯片提供
使能输入（ / CE1 ， CE2 ）和低电平有效输出使能（ / OE ） 。
该
WS6264
具有自动断电功能，从而降低功率消耗显著
当芯片被取消。该
WS6264
在JEDEC标准的28引脚SOP （ 300万），并提供PDIP
（600密耳）的软件包。
特点
工作电压： 4.5 5.5V
超低功耗：
工作电流1mA @ 1MHz的& CMOS待机电流1.0uA （典型值）在VCC = 5.0V
高速存取时间： 70ns的。
自动断电，当芯片被取消。
三态输出与TTL兼容。
数据保持电源电压低至2.0V 。
易于扩展与/ CE1 ， CE2和/ OE选项。
产品系列
产品系列
WS6264LLFP
WS6264LLP
WS6264LLFPI
WS6264LLPI
0~70 C
o
工作温度。
VCC范围
速度快（纳秒）
待机电流（典型值）。
I
CCSB1
1.0uA
套餐类型
28 SOP
4.5~5.5V
70
28 PDIP
28 SOP
28 PDIP
o
-40~85 C
70
1.0uA
1.0版
1
高速超低功率SRAM
8K字由8位
WS6264
引脚说明
名字
A0 – A12
TYPE
输入
功能
地址输入，用于在RAM中选择8192 ×8位的字中的一个
/ CE1为低电平有效和CE2为高电平有效。这两个芯片使必须
/CE1,CE2
输入
当从或读出的数据写入到该设备处于活动状态。如果任何一个芯片使能不
活性，取消选择器件和在备用电源关断模式。在DQ
引脚将处于高阻抗状态，当设备被取消。
写使能输入为低电平有效。 IT控制读取和写入操作。
/ WE
输入
与选择的芯片中，当/ WE为高电平和/ OE为低电平时，输出数据将
存在于DQ管脚，当/ WE为低电平时，数据到DQ本
销将被写入到所选择的存储位置。
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能有效而
/ OE
输入
芯片选择和写允许处于非活动状态，数据将存在于
DQ引脚，它们将被激活。 DQ管脚将在高阻抗
状态时， / OE是无效的。
DQ0~DQ7
VCC
GND
NC
I / O
动力
动力
这些8个双向端口用于读取数据或将数据写入
内存。
电源
地
无连接
真值表
模式
待机
产量
关闭
读
写
/CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
/ WE
X
X
H
H
L
/ OE
X
X
H
L
X
DQ0~7
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
VCC电流
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
1.0版
3
高速超低功率SRAM
8K字由8位
WS6264
等级
-0.5 VCC + 0.5
-40到+125
-65到+150
1.0
50
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
相对于GND端子电压
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
单位
V
O
O
C
C
W
mA
1.强调超过绝对最大额定值可能会导致永久性的损坏
该设备。这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他条件
超出本规范的业务部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0~70
o
C
-40~85
o
C
VCC
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
电容
(1)
(TA=25℃,f=1.0MHz)
符号
C
IN
C
DQ
参数
输入电容
输入/输出电容
传导
VIN=0V
VDI/O=0V
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
1，本参数是保证，而不是100 ％测试。
1.0版
4
高速超低功率SRAM
8K字由8位
WS6264
（ TA =
0 70℃ ， VCC = 5.0V ）
)
o
o
DC电气特性
名字
V
IL
V
IH
I
IL
I
OL
V
OL
V
OH
I
CC
I
CCSB
参数
保证输入低
电压
(2)
保证输入高
电压
(2)
输入漏电流
Vcc=5.0V
测试条件
民
-0.5
典型值
(1)
最大
0.8
单位
V
Vcc=5.0V
V
CC
=最大，V
IN
= 0至V
CC
V
CC
= MAX ， / CE1 = V
Ih
或
2.2
-1
Vcc+0.5
1
V
uA
输出漏电流
CE2 = V
白细胞介素，
或/ OE = V
Ih
或
/ WE = V
IL
V
IO
= 0V至V
CC
-1
1
uA
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
TTL待机电源
V
CC
=最大，我
OL
= 1毫安
V
CC
=分钟，我
OH
= -1mA
/CE1=V
IL
, I
DQ
=0mA,
F=F
最大
=1/ t
RC
/CE1=V
IH
, I
DQ
=0mA,
/CE1≧V
CC
-0.2V ， CE2 = 0.2V ，
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V,
o
0.4
2.4
V
V
30
mA
10
mA
I
CCSB1
CMOS待机电流
1
10
uA
1.典型的特点是在TA = 25℃。
2.这是相对于设备的接地由于系统或测试人员通知绝对值和所有过冲
包括在内。
1.0版
5
高速超低功率SRAM
8K字由8位
WS6264
概述
该
WS6264
是一种高性能，高速度和超低功耗CMOS静态随机
存取记忆体组织为8,192字由8位，并从单一4.5V至5.5V的电源电压工作。
先进的CMOS工艺和电路技术同时提供高速，超低功耗的特点，并
在5.0V工作电压为70ns的最大访问时间。易存储器扩展，通过使用两个芯片提供
使能输入（ / CE1 ， CE2 ）和低电平有效输出使能（ / OE ） 。
该
WS6264
具有自动断电功能，从而降低功率消耗显著
当芯片被取消。该
WS6264
在JEDEC标准的28引脚SOP （ 300万），并提供PDIP
（600密耳）的软件包。
特点
工作电压： 4.5 5.5V
超低功耗：
工作电流1mA @ 1MHz的& CMOS待机电流1.0uA （典型值）在VCC = 5.0V
高速存取时间： 70ns的。
自动断电，当芯片被取消。
三态输出与TTL兼容。
数据保持电源电压低至2.0V 。
易于扩展与/ CE1 ， CE2和/ OE选项。
产品系列
产品系列
WS6264LLFP
WS6264LLP
WS6264LLFPI
WS6264LLPI
0~70 C
o
工作温度。
VCC范围
速度快（纳秒）
待机电流（典型值）。
I
CCSB1
1.0uA
套餐类型
28 SOP
4.5~5.5V
70
28 PDIP
28 SOP
28 PDIP
o
-40~85 C
70
1.0uA
1.0版
1
高速超低功率SRAM
8K字由8位
WS6264
引脚说明
名字
A0 – A12
TYPE
输入
功能
地址输入，用于在RAM中选择8192 ×8位的字中的一个
/ CE1为低电平有效和CE2为高电平有效。这两个芯片使必须
/CE1,CE2
输入
当从或读出的数据写入到该设备处于活动状态。如果任何一个芯片使能不
活性，取消选择器件和在备用电源关断模式。在DQ
引脚将处于高阻抗状态，当设备被取消。
写使能输入为低电平有效。 IT控制读取和写入操作。
/ WE
输入
与选择的芯片中，当/ WE为高电平和/ OE为低电平时，输出数据将
存在于DQ管脚，当/ WE为低电平时，数据到DQ本
销将被写入到所选择的存储位置。
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能有效而
/ OE
输入
芯片选择和写允许处于非活动状态，数据将存在于
DQ引脚，它们将被激活。 DQ管脚将在高阻抗
状态时， / OE是无效的。
DQ0~DQ7
VCC
GND
NC
I / O
动力
动力
这些8个双向端口用于读取数据或将数据写入
内存。
电源
地
无连接
真值表
模式
待机
产量
关闭
读
写
/CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
/ WE
X
X
H
H
L
/ OE
X
X
H
L
X
DQ0~7
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
VCC电流
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
1.0版
3
高速超低功率SRAM
8K字由8位
WS6264
等级
-0.5 VCC + 0.5
-40到+125
-65到+150
1.0
50
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
相对于GND端子电压
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
单位
V
O
O
C
C
W
mA
1.强调超过绝对最大额定值可能会导致永久性的损坏
该设备。这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他条件
超出本规范的业务部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0~70
o
C
-40~85
o
C
VCC
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
电容
(1)
(TA=25℃,f=1.0MHz)
符号
C
IN
C
DQ
参数
输入电容
输入/输出电容
传导
VIN=0V
VDI/O=0V
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
1，本参数是保证，而不是100 ％测试。
1.0版
4
高速超低功率SRAM
8K字由8位
WS6264
（ TA =
0 70℃ ， VCC = 5.0V ）
)
o
o
DC电气特性
名字
V
IL
V
IH
I
IL
I
OL
V
OL
V
OH
I
CC
I
CCSB
参数
保证输入低
电压
(2)
保证输入高
电压
(2)
输入漏电流
Vcc=5.0V
测试条件
民
-0.5
典型值
(1)
最大
0.8
单位
V
Vcc=5.0V
V
CC
=最大，V
IN
= 0至V
CC
V
CC
= MAX ， / CE1 = V
Ih
或
2.2
-1
Vcc+0.5
1
V
uA
输出漏电流
CE2 = V
白细胞介素，
或/ OE = V
Ih
或
/ WE = V
IL
V
IO
= 0V至V
CC
-1
1
uA
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
TTL待机电源
V
CC
=最大，我
OL
= 1毫安
V
CC
=分钟，我
OH
= -1mA
/CE1=V
IL
, I
DQ
=0mA,
F=F
最大
=1/ t
RC
/CE1=V
IH
, I
DQ
=0mA,
/CE1≧V
CC
-0.2V ， CE2 = 0.2V ，
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V,
o
0.4
2.4
V
V
30
mA
10
mA
I
CCSB1
CMOS待机电流
1
10
uA
1.典型的特点是在TA = 25℃。
2.这是相对于设备的接地由于系统或测试人员通知绝对值和所有过冲
包括在内。
1.0版
5
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