WS57C71C
军事高速32K
x
8 CMOS PROM / RPROM
超快速存取时间
- 45纳秒
主要特点
免疫闭锁
- 高达200 mA的
低功耗
快速编程
ESD保护超过2000V
可在300至600英里DIP
和CLLCC
概述
该WS57C71C是一个高性能256K紫外线可擦电重新可编程只读存储器
（ RPROM ） 。它是制造先进的CMOS工艺，并采用节水灌溉的专利的自对准分栅
EPROM单元。
该WS57C71C的行业标准PROM引脚配置提供从16K ×8简便的升级途径
装置。
这RPROM能够以速度一样快操作的35 ns地址存取时间，这使它能够被用于
直接与当今快速微处理器和DSP处理器，而不会引入任何的等待状态。所有的输入和
输出为TTL兼容。该WS57C71C是即使以最快的速度运行的低功耗器件。该
DIP版本打包为用户提供300英寸宽DIP封装节省电路板空间。
模式选择
引脚
模式
读
产量
关闭
产量
关闭
产量
关闭
节目
节目
VERIFY
节目
抑制
CS1/
VPP
VIL
VIH
X
X
VPP
VIL
VPP
CS2
VIH
X
VIL
X
X
VIH
X
CS3
VIL
X
X
VIH
VIH
VIL
VIL
VCC
VCC
VCC
VCC
VCC
VCC
VCC
VCC
输出
DOUT
高Z
高Z
高Z
DIN
DOUT
高Z
引脚配置
顶视图
芯片载体
A
7
A
8
A
9
NC
V
CC
A
10
A
11
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
O
0
O
1
O
2
GND
CERDIP
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
A10
A11
A12
A13
A14
CS3
CS2
CS1/VPP
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
O
0
4 3 2
32 31 30
1
5
29
6
28
7
27
8
26
9
25
10
24
11
23
12
22
13
21
14 15 16 17 18 19 20
O
1
O
2
GND
A
12
A
13
A
14
NC
CS3
CS2
CS1/VPP
O
7
O
6
NC
3
O
4
O
5
产品选择指南
参数
地址访问时间（最大值）
CS到输出有效时间（最大值）
WS57C71C-45
45纳秒
20纳秒
WS57C71C-55
55纳秒
20纳秒
WS57C71C-70
70纳秒
30纳秒
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WS57C71C
订购信息
产品型号
WS57C71C-45TMB
WS57C71C-55CMB
WS57C71C-55DMB
WS57C71C-55TMB
WS57C71C-70TMB
速度
（纳秒）
45
55
55
55
70
包
TYPE
28引脚CERDIP ， 0.3"
32垫CLLCC
28引脚CERDIP ， 0.6"
28引脚CERDIP ， 0.3"
28引脚CERDIP ， 0.3"
WSI
封装工作
温度制造
制图
范围
程序
T2
C2
D2
T2
T2
军事
军事
军事
军事
军事
MIL-STD-883C
MIL-STD-883C
MIL-STD-883C
MIL-STD-883C
MIL-STD-883C
注意：
9.实际部件标记将不包括缩写"WS."
编程/算法/清除/编程器
请参阅
第5-1页
该WS57C71C使用算法的三维5-9页上显示编程。
有关完整的数据资料和电气规范请参阅第2-55页。
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