WS57C51C
军事高速16K
x
8 CMOS PROM / RPROM
主要特点
超快速存取时间
—
45纳秒
引脚兼容Am27S51
和N82HS1281
免疫闭锁
—
高达200 mA的
低功耗
快速编程
ESD保护超过2000 V
概述
该WS57C51C是一个高性能128K紫外线可擦电重新可编程只读存储器
（ RPROM ） 。它是在先进的CMOS技术，这使得它在双极PROM的操作制
速度，而功耗仅为25 ％，其双极型晶体管所需的功率。的另一个优点
WS57C51C过双极PROM器件是，它采用了成熟的EPROM技术的事实。这使
整个存储器阵列进行组装后的切换特性和功能进行测试。不像它的设备
不能被擦除，在窗口包每WS5751C是100％测试了最坏情况的测试模式都
之前和组装后。
该WS57C51C提供低功耗替代它们致力于双极PROM的设计
足迹。这是一个直接的简易替换为相同的体系结构（ 16K ×8 ）的双极PROM 。无需软件，
硬件和布局的变化需要进行。
模式选择
引脚CS1 /
VPP
模式
读
产量
关闭
产量
关闭
产量
关闭
产量
关闭
节目
节目
VERIFY
VIL
VIH
X
X
X
VPP
VIL
CS2
VIL
X
VIH
X
X
VIH
VIL
CS3
VIH
X
X
VIL
X
X
VIH
CS4
VIL
X
X
X
VIH
X
VIL
VCC
VCC
VCC
VCC
VCC
VCC
VCC
VCC
输出
引脚配置
顶视图
芯片载体
DOUT
高Z
高Z
高Z
高Z
DIN
DOUT
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
O
0
O
1
A
6
A
7
A
8
A
9
V
CC
A
10
A
11
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
O
0
O
1
O
2
GND
CERDIP
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
A10
A11
A12
A13
CS1/VPP
CS2
CS3
CS4
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
4 3 2
32 31 30
1
5
29
6
28
7
27
8
26
9
25
10
24
11
23
12
22
13
21
14 15 16 17 18 19 20
O
2
NC
GND
A
12
A
13
CS1/V
PP
CS2
CS3
CS4
NC
O
7
O
6
O
3
NC
4
O
5
产品选择指南
参数
地址访问时间（最大值）
CS到输出有效时间（最大值）
WS57C51C-45
45纳秒
20纳秒
WS57C51C-55
55纳秒
25纳秒
WS57C51C-70
70纳秒
30纳秒
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4-11
WS57C51C
订购信息
速度
产品型号
包
TYPE
包
制图
操作
温度
范围
军事
军事
军事
军事
军事
军事
WSI
制造业
程序
MIL-STD-883C
MIL-STD-883C
MIL-STD-883C
MIL-STD-883C
MIL-STD-883C
MIL-STD-883C
WS57C51C-45CMB
WS57C51C-45DMB
WS57C51C-45TMB
WS57C51C-55CMB
WS57C51C-55DMB
WS57C51C-55TMB
注意事项：
45
45
45
55
55
55
32垫CLLCC
28引脚CERDIP ， 0.6"
28引脚CERDIP ， 0.3"
32垫CLLCC
28引脚CERDIP ， 0.6"
28引脚CERDIP ， 0.3"
C2
D2
T2
C2
D2
T2
9.实际部件标记将不包括缩写"WS."
编程/算法/清除/编程器
请参阅
第5-1页
该WS57C51C使用算法的三维5-9页上显示编程。
有关完整的数据资料和电气规范请参阅第2-47页。
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