WS57C49C
军事HIGH SPEED 8K
x
8 CMOS PROM / RPROM
主要特点
超快速存取时间
— t
加
= 35 ns的
— t
CS
= 20 ns的
引脚兼容双极PROM中
免疫闭锁
- 高达200 mA的
低功耗
快速编程
ESD保护超过2000 V
可在300至600英里DIP ， CLLCC ，
和扁平
概述
该WS57C49C是一个高性能64K紫外线可擦电重新可编程只读存储器
（ RPROM ） 。它是在先进的CMOS技术，这使得它在双极PROM的操作制
速度，而功耗仅为25 ％，其双极型晶体管所需的功率。的另一个优点
WS57C49C过双极PROM器件是，它采用了成熟的EPROM技术的事实。这使
整个存储器阵列进行组装后的切换特性和功能进行测试。不像它的设备
不能被擦除，在窗口包每WS57C49C是100％测试了最坏情况的测试模式都
之前和组装后。
该WS57C49C配置在标准双极PROM引脚排列这为提供了一种简便的升级途径
这是目前使用双极PROM的，或者它的前身， WS57C49B系统。
模式选择
引脚
模式
读
产量
关闭
节目
节目
VERIFY
CS1/VPP
VIL
VIH
VPP
VIL
VCC
VCC
VCC
VCC
VCC
输出
DOUT
高Z
引脚配置
顶视图
芯片载体
NC
CERDIP /扁平
A
5
A
6
A
7
V
CC
A
8
A
9
DIN
DOUT
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
O
0
4 3 2
28 27 26
1
5
25
6
24
7
23
8
22
9
21
10
20
11
19
12 13 14 15 16 17 18
O
1
O
2
NC
3
O
4
O
5
A
7
A
6
A
5
A
10
A
4
CS1/V
PP
A
3
A
11
A
2
A
12
A
1
NC
A
0
O
7
O
0
O
6
O
1
O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
A
8
A
9
A10
CS1/V
PP
A
11
A
12
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
GND
产品选择指南
参数
地址访问时间（最大值）
CS到输出有效时间（最大值）
WS57C49C-35
35纳秒
20纳秒
WS57C49C-45
45纳秒
25纳秒
WS57C49C-55
55纳秒
25纳秒
WS57C49C-70
70纳秒
25纳秒
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4-9
WS57C49C
订购信息
产品型号
WS57C49C-35CMB
*
WS57C49C-35TMB
*
WS57C49C-35DMB
WS57C49C-45CMB
*
WS57C49C-45DMB
*
WS57C49C-45TMB
*
WS57C49C-55CMB
*
WS57C49C-55DMB
*
WS57C49C-55FMB
*
WS57C49C-55TMB
*
WS57C49C-70CMB
*
WS57C49C-70TMB
*
速度
（纳秒）
35
45
45
45
45
45
55
55
55
55
70
70
包
TYPE
28垫CLLCC
24引脚CERDIP ， 0.3"
24引脚CERDIP ， 0.6"
28垫CLLCC
24引脚CERDIP ， 0.6"
24引脚CERDIP ， 0.3"
28垫CLLCC
24引脚CERDIP ， 0.6"
24引脚陶瓷扁平
24引脚CERDIP ， 0.3"
28垫CLLCC
28引脚CERDIP ， 0.3"
WSI
封装工作
温度制造
制图
范围
程序
C1
T1
D1
C1
D1
T1
C1
D1
F1
T1
C1
T1
军事
军事
军事
军事
军事
军事
军事
军事
军事
军事
军事
军事
MIL-STD-883C
MIL-STD-883C
MIL-STD-883C
MIL-STD-883C
MIL-STD-883C
MIL-STD-883C
MIL-STD-883C
MIL-STD-883C
MIL-STD-883C
MIL-STD-883C
MIL-STD-883C
MIL-STD-883C
注意：
实际零件标记将不包括缩写"WS."
*
SMD产品。为DESC SMD号码请参见第4-1页。
编程/算法/清除/编程器
请参阅
第5-1页
该WS57C49C使用算法的三维5-9页上显示编程。
有关完整的数据资料和电气规范请参阅第2-39页。
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