WS57C49C
HIGH SPEED 8K
x
8 CMOS PROM / RPROM
主要特点
超快速存取时间
— t
加
= 25纳秒
— t
CS
= 12 ns的
引脚兼容双极PROM中
免疫闭锁
- 高达200 mA的
低功耗
快速编程
ESD保护超过2000 V
可在300英里DIP和PLDCC
概述
该WS57C49C是一个高性能64K紫外线可擦电重新可编程只读存储器
（ RPROM ） 。它是在先进的CMOS技术，这使得它在双极PROM的操作制
速度，而功耗仅为25 ％，其双极型晶体管所需的功率。的另一个优点
WS57C49C过双极PROM器件是，它采用了成熟的EPROM技术的事实。这使
整个存储器阵列进行组装后的切换特性和功能进行测试。不像它的设备
不能被擦除，在窗口包每WS57C49C是100％测试了最坏情况的测试模式都
之前和组装后。
该WS57C49C配置在标准双极PROM引脚排列这为提供了一种简便的升级途径
这是目前使用双极PROM的，或者它的前身， WS57C49B系统。
框图
引脚配置
顶视图
8
A5 - A12
ROW
地址
ROW
解码器
EPROM阵列
芯片载体
NC
65,536位
CERDIP /塑料DIP
扁平
A
7
A
6
A
5
A
10
A
4
CS1/V
PP
A
3
A
11
A
2
A
12
A
1
NC
A
0
O
7
O
0
O
6
O
1
O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
A
8
A
9
A10
CS1/V
PP
A
11
A
12
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
A
5
A
6
A
7
5
A0 - A4
COLUMN
地址
V
CC
A
8
A
9
COLUMN
解码器
SENSE
放大器器
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
O
0
4 3 2
28 27 26
1
5
25
6
24
7
23
8
22
9
21
10
20
11
19
12 13 14 15 16 17 18
O
1
O
2
NC
3
O
4
O
5
CS1 / V
PP
GND
8
输出
产品选择指南
参数
地址访问时间（最大值）
CS到输出有效时间（最大值）
57C49C-25
25纳秒
12纳秒
57C49C-35
35纳秒
20纳秒
57C49C-45
45纳秒
25纳秒
57C49C-55
55纳秒
25纳秒
57C49C-70
70纳秒
25纳秒
返回到主菜单
2-39
WS57C49C
绝对最大额定值*
储存温度............................- 65 °至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面....................................- 0.6V至+ 7V
V
PP
相对于地面...................- 0.6V至+ 13V
ESD保护................................................ ..
＆ GT ;
2000V
模式选择
引脚
模式
读
产量
关闭
节目
节目
VERIFY
CS1/V
PP
V
IL
V
IH
V
PP
V
IL
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
输出
D
OUT
高Z
D
IN
D
OUT
*
注意：
超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件
在这个业务部门的说明
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对
极限条件下的长时间
时间会影响器件的可靠性。
工作范围
范围
广告
产业
军事
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
V
CC
+5V ± 10%
+5V ± 10%
+5V ± 10%
DC读取特性
在整个工作范围。 （见上文）
符号
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
参数
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
V
CC
工作电流
（ CMOS）的
（注3）
（注3）
I
OL
= 16毫安
I
OH
= -4毫安
V
CC
= 5.5 V ， F = 0兆赫（注1 ） ，
输出不加载
新增3毫安/ MHz的交流操作
V
CC
= 5.5 V ， F = 0兆赫（注2 ） ，
输出不加载
新增3毫安/ MHz的交流操作
V
IN
= 5.5V或GND
V
OUT
= 5.5 V或GND
Comm'l
产业
军事
Comm'l
产业
军事
–10
–10
2.4
30
35
35
40
50
50
10
10
测试条件
民
–0.1
2.0
最大
0.8
V
CC
+ 0.3
0.4
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
I
CC1
I
CC2
V
CC
工作电流
（ TTL）的
输入漏
当前
输出漏
当前
I
LI
I
LO
注意事项：
1. CMOS输入： GND ± 0.3V或V
CC
± 0.3V.
2. TTL输入： V
IL
≤
0.8V, V
IH
≥
2.0V.
3.这是绝对的电压相对于设备的接地引脚，包括所有因系统和/或测试噪音过冲。
不要尝试没有合适的设备来测试这些值。
2-40
WS57C49C
AC阅读特点
在整个工作范围。 （见上文）
参数
地址输出延迟
CS1到输出延迟
输出禁止以
输出的浮动
*
地址输出保持
符号
t
加
t
CS
t
DF
t
OH
0
57C49C-25 57C49C-35 57C49C-45 57C49C-55 57C49C-70
民
最大
民
最大
民
最大
民
最大
民
最大
单位
25
12
12
0
35
20
25
0
45
25
25
0
55
25
25
0
70
25
ns
25
*
采样，未经100％测试。
AC读取时序图
地址
有效
t
加
t
OH
CS
t
CS
输出
有效
t
DF
2-41
WS57C49C
电容
(4)
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫
符号
C
IN
C
OUT
C
VPP
参数
输入电容
输出电容
V
PP
电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
V
PP
= 0 V
典型值
(5)
4
8
18
最大
6
12
25
单位
pF
pF
pF
注意事项：
4.此参数仅取样，而不是100％测试。
5.Typical数值为T
A
= 25 ° C和标称电源电压。
测试负载
（高阻抗测试系统）
交流测试输入/输出波形
98
2.01 V
D.U.T.
3.0
1.5
0.0
30 pF的
（包括SCOPE
，夹具
电容）
TEST
要点
1.5
AC测试输入驱动的3.0 V的逻辑"1"和0.0 V
对于逻辑"0."定时测量是在1.5 V的制作
输入和输出的转换在两个方向上。
注意：
6.提供充分的去耦电容尽可能靠近该器件，从而实现所公布的AC和DC参数。
一个0.1微法的电容并联一个0.01微法的电容器连接V之间
CC
并推荐地。
去耦不足可能会导致访问时间降解或其它瞬态性能故障。
2-42
QQ：2880707522 复制
