WS57C45
功能说明
该WS57C45与WSI的专利高性能产生的电可编程只读存储器
自对准分栅CMOS EPROM技术。它是作为2048 x 8位和引脚对引脚兼容
双极TTL熔断PROM中。在WS57C45包括片上的是D型的8位数据寄存器，它降低了
复杂性和在那里的PROM数据在寄存器中暂时保持微程序的流水线系统的成本。该
电路具有可编程同步（ OE
S
）或异步（ OE）的输出使能和异步
初始化（ INIT ） 。
使能引脚（ OE编程状态
S
或OE）将决定在上电时的gthe输出的状态。如果OE
S
有
被编程，则输出将处于断开或高阻抗状态。如果OE已被编程，
输出将关闭或高阻抗只有当OE输入为高。数据是通过将地址输入读
A
10
– A
0
和一个低电平，以使能输入。检索数据并加载到8位数据的主部
在地址建立时间注册。该数据被传输到数据寄存器的从输出下一个
低到高的时钟（ CP ）的过渡。然后输出缓冲器呈现数据的输出（O
7
– O
0
).
当使用异步使能（OE ），输出缓冲器可以在任何时候通过切换使能禁用
输入为逻辑高电平。它们可以被重新启用通过切换使能到一个逻辑低电平。
当使用sychronous使能（OE
S
），则输出回复到一个高阻抗或OFF状态时的下一个正
时钟沿继OE
S
输入转换为高电平状态。的输出将返回到激活状态下一个
时钟上升沿时， OE
S
输入处于低电平状态。的地址和同步使能输入端可自由
改变以下一个时钟上升沿由于输出不会改变，直到下一个从低到高时钟转变。
这使得能够访问所述下一个数据的位置，同时预先编址数据是存在于该输出端。
以避免竞态条件，并简化了系统的定时， 8位边沿触发数据寄存器时钟直接来自
从系统时钟。
该WS57C45具有异步初始化输入（ INIT ） 。该功能可以在上电和超时使用
周期来实现的功能，例如一开始地址或初始化总线控制字。初始化输入使
可以直接加载到输出数据寄存器第二千○四十九8位字的内容。 INIT（初始化）输入可用于
加载任意8位数据模式到寄存器，因为每个位是可由用户编程。如果未编程，
启动init将导致清除寄存器（输出低电平） 。当所有位进行编程， actrivating INIT
结果在预设的寄存器（输出高电平） 。
当被激活时低时， INIT输入导致第二千〇四十九字的直接加载到主机和从机
输出寄存器的部分。这是独立于任何其它的输入，包括时钟（ CP ）的输入。初始化
数据将出现在输出端之后的异步使能（OE ）取为低电平状态。
编程信息
接通电源WS57C45与CP / PGM ， OE / OE正常的读操作模式
S
和INIT / V
PP
在V
IH
。然后
采取INIT / V
PP
到V
PP
。该部分是然后在编程禁止模式操作和输出线是在高
阻抗状态。请参考图5，如图5中所示，地址，编程和验证数据的一个字节。重复
要编程该序列的每个位置。
当智能编程时，编程脉冲宽度为1毫秒的长度。每个地址是
编程和验证，直到它正确地验证直到并包括5次。地点验证后，一
额外的编程脉冲应该应用是X 1倍于先前编程的总和的持续时间
前脉冲进行到下一个地址，并重复该过程。
初始化字节编程
该WS57C45有数据的，可用于初始化数据寄存器中的值的第二千○四十九字节。该字节
包含值“0” ，当它从工厂运出。用户必须用编程的值以外的第二千零四十九字节
大于“0”为数据寄存器初始化如果不需要该值。除了下面的细节时，用户可
程序中相同的方式与其它的2048字节的第二千○四十九字节。第一，因为所有的2048地址被用完时，
超电压功能，地址是用来使一个附加的地址。实际地址包括V
PP
上一个
1
和V
IL
上一个
2
。参考模式选择表。初始字节的编程和验证
通过执行一个初始化函数在操作完成。
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