WS57C256F
高速32K
x
8 CMOS EPROM
快速访问时间
— t
加
= 35 ns的
— t
CE
= 35 ns的
主要特点
免疫闭锁
- 高达200 mA的
低功耗
- 200 μA待机我
CC
ESD保护超过2000伏特
可在300英里DIP和PLDCC
DESC SMD 5962-86063号
概述
该WS57C256F是一款高性能的32K ×8紫外线擦除EPROM 。它是采用先进的制
CMOS工艺技术，使其能够在速度快35纳秒地址访问时间操作（T
加
）和35纳秒
芯片使能时间（t
CE
） 。它的目的是利用WSI专利的自对准分割栅EPROM的细胞，从而产生
低功率设备具有非常符合成本效益的芯片尺寸。这256 K产品的低待机功率能力（ 200 μA
在CMOS界面环境）是特别有吸引力的。
此产物，以其高速度能力，特别适合于使用与今天的快速DSP处理器和
高时钟频率的微处理器。该WS57C256F的35纳秒的速度使这些先进处理器的操作
而不引入任何不希望的等待状态。该WS57C256F也非常适合在现代应用中使用，并且是
建议由领先的调制解调器芯片组制造商在这些应用中使用。
该WS57C256F可在多种封装类型，包括节省空间的300英里DIP ，表面
安装PLDCC ，和其他窗口和非窗口的选项。而其标准的JEDEC EPROM引脚提供
针对目前的64K和128K EPROM用户自动升级密度路径。
模式选择
引脚
模式
读
产量
关闭
待机
节目
节目
VERIFY
节目
抑制
签名
3
CE /
PGM
VIL
X
VIH
VIL
X
VIH
VIL
VIL
OE
VIL
VIH
X
VIH
VIL
VIH
VIL
VIL
A9
X
X
X
X
X
X
A0
X
X
X
X
X
X
VPP VCC产出
引脚配置
顶视图
芯片载体
A
7
A
12
V
PP
NC
V
CC
A
14
A
13
CERDIP
V
PP
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
O
0
O
1
O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE / PGM
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
VCC VCC
VCC VCC
VCC VCC
VPP
2
VCC
VPP
2
VCC
VPP
2
VCC
DOUT
高Z
高Z
DIN
DOUT
高Z
23 H
4
EO
5
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
O
0
VH
2
VIL VCC VCC
VH
2
VIH VCC VCC
4 3 2
32 31 30
1
5
29
6
28
7
27
8
26
9
25
10
24
11
23
12
22
13
21
14 15 16 17 18 19 20
O
1
O
2
GND
A
8
A
9
A
11
NC
OE
A
10
CE / PGM
O
7
O
6
NC
3
O
4
O
5
注意事项：
1. X可以是V
IL
或V
IH
.
2. V
IH
= V
PP
= 12.75 ± 0.25 V.
3. A1 - A8 ， A10 - A14 = V
IL
.
4.制造商签名。
5.设备签名。
产品选择指南
参数
地址访问时间（最大值）
输出使能时间（最大值）
WS57C256F-35
35纳秒
15纳秒
WS57C256F-45
45纳秒
20纳秒
WS57C256F-55
55纳秒
25纳秒
WS57C256F-70
70纳秒
30纳秒
返回到主菜单
3-13
WS57C256F
绝对最大额定值*
储存温度............................- 65 °至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面....................................- 0.6V至+ 7V
V
PP
AND A
9
相对于地面......- 0.6V至+ 14V
ESD保护................................................ ..
＆ GT ;
2000V
*
注意：
超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件
在这个业务部门的说明
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对
极限条件下的长时间
时间会影响器件的可靠性。
工作范围
范围
广告
产业
军事
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
V
CC
+5V ± 10%
+5V ± 10%
+5V ± 10%
DC读取特性
在整个工作范围与V
PP
= V
CC
符号
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
I
SB1
I
SB2
I
CC1
I
CC2
I
PP
V
PP
I
LI
I
LO
注意事项：
参数
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
V
CC
待机电流（ CMOS ）
V
CC
待机电流（ TTL ）
V
CC
工作电流（ CMOS ）
V
CC
工作电流（ TTL ）
V
PP
电源电流
V
PP
读取电压
输入漏电流
输出漏电流
测试条件
（注4 ）
（注4 ）
I
OL
= 16毫安
I
OH
= - 4毫安
CE = V
CC
± 0.3 V
（注1 ）
CE = V
IH
（注2 ）
（注1及3 ）
输出不装
（注2和3）
输出不装
V
PP
= V
CC
Comm'l
IND /英里
Comm'l
IND /英里
Comm'l
IND /英里
Comm'l
IND /英里
民
– 0.1
2.0
2.4
最大
0.8
V
CC
+ 0.3
0.4
200
500
3
5
25
30
50
60
100
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
V
A
A
V
CC
– 0.4
V
IN
= 5.5V或GND
V
OUT
= 5.5 V或GND
–10
–10
V
CC
10
10
1. CMOS输入： GND ± 0.3V或V
CC
± 0.3V.
2. TTL输入： V
IL
≤
0.8V, V
IH
≥
2.0V.
3.新增3毫安/ MHz的频率的交流电组成部分。
4.这是绝对的电压相对于设备的接地引脚和
包括所有因系统和/或测试噪音过冲。
不要尝试没有合适的设备来测试这些值。
AC阅读特点
在整个工作范围。与V
PP
= V
CC
参数
地址输出延迟
CE到输出延迟
OE为输出延迟
输出禁止到输出的浮动
地址输出保持
符号
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
t
OH
0
57C256F-35
民
最大
57C256F-45
民
最大
57C256F-55
民
最大
57C256F-70
民
最大
单位
35
35
15
20
0
45
45
20
20
0
55
55
25
25
0
70
70
30
30
ns
3-14
WS57C256F
AC读取时序图
地址
t
加
CE
有效
t
OH
t
CE
OE
t
DF
t
OE
输出
有效
t
DF
电容
(5)
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫
符号
C
IN
C
OUT
C
VPP
参数
输入电容
输出电容
V
PP
电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
V
PP
= 0 V
典型值
(6)
4
8
18
最大
6
12
25
单位
pF
pF
pF
注意事项：
5.此参数仅取样，而不是100％测试。
6.典型值是在t
A
= 25 ° C和标称电源电压。
测试负载
（高阻抗测试系统）
交流测试输入/输出波形
98
2.01 V
D.U.T.
3.0
2.0
0.8
TEST
要点
2.0
0.8
30 pF的
（包括SCOPE
，夹具
电容）
0.0
AC测试输入驱动的3.0 V的逻辑"1"和0.0 V
对于逻辑"0."定时测量是在2.0 V做了
逻辑"1"和0.8 V的逻辑"0" 。
注意：
7.提供足够的去耦电容应尽可能靠近该器件实现了出版的AC和DC参数。
一个0.1微法的电容并联一个0.01微法的电容器连接V之间
CC
并推荐地。
去耦不足可能会导致访问时间降解或其它瞬态性能故障。
3-15
WS57C256F
编程信息
DC特性
(T
A
= 25 ±5℃ ，V
CC
= 6.25 V ± 0.25 V, V
PP
= 12.75 ± 0.25 V)
符号
I
LI
I
PP
I
CC
V
OL
V
OH
注意：
参数
输入漏电流
(V
IN
= V
CC
或GND ）
V
PP
在电源电流
编程脉冲（ CE / PGM = V
IL
)
V
CC
电源电流（注8 ）
在验证输出低电压
(I
OL
= 16 mA）的
在验证输出高电压
(I
OH
= -4毫安）
民
–10
最大
10
60
35
0.4
单位
A
mA
mA
V
V
2.4
8. V
CC
必须要么巧合或V前申请
PP
并删除或者巧合或V后
PP
.
9. V
PP
必须不大于13伏，包括过冲。在CE = PGM = V
IL
, V
PP
不可转换为5伏到
12.5伏，反之亦然。
10.在开机的PGM引脚必须被拉高（ ≥ V
IH
）无论是一致或电源之前被应用到V
PP
.
AC特性
(T
A
= 25 ±5℃ ，V
CC
= 6.25 V ± 0.25 V, V
PP
= 12.75 ± 0.25 V)
符号
t
AS
t
COH
t
OES
t
OS
t
AH
t
OH
t
DF
t
OE
t
VS
/t
CES
t
PW
t
在OCx
参数
地址建立时间
CE高到OE高
输出使能设置时间
数据建立时间
地址保持时间
数据保持时间
芯片禁用到输出的浮动延迟
数据有效从输出使能
V
PP
建立时间/ CE建立时间
PGM脉冲宽度
OE低到CE "Don't Care"
2
100
2
200
民
2
2
2
2
0
2
0
130
130
典型值
最大
单位
s
s
s
s
s
s
ns
ns
s
s
s
编程波形
地址
t
AS
数据
t
OS
V
PP
V
PP
V
CC
t
VS
数据稳定
t
OH
高Z
t
OE
解决稳定
t
AH
数据输出
有效
t
DF
V
IH
CE / PGM
V
IL
t
CES
t
在OCx
t
COH
t
PW
V
IH
OE
V
IL
t
OES
3-16
WS57C256F
订购信息
产品型号
WS57C256F-35C
WS57C256F-35D
WS57C256F-35J
WS57C256F-35L
WS57C256F-35P
WS57C256F-35T
WS57C256F-45C
WS57C256F-45D
WS57C256F-45P
WS57C256F-45T
WS57C256F-55C
WS57C256F-55CMB
WS57C256F-55D
WS57C256F-55DM
WS57C256F-55DMB
WS57C256F-55J
WS57C256F-55L
WS57C256F-55P
WS57C256F-55T
WS57C256F-55TMB
WS57C256F-70CMB
*
WS57C256F-70D
WS57C256F-70DMB
*
WS57C256F-70J
WS57C256F-70JI
WS57C256F-70T
速度
（纳秒）
35
35
35
35
35
35
45
45
45
45
55
55
55
55
55
55
55
55
55
55
70
70
70
70
70
70
包
TYPE
32垫CLLCC
28引脚CERDIP ， 0.6"
32引脚PLDCC
32引脚CLDCC
28引脚塑料DIP ， 0.6"
28引脚CERDIP ， 0.3"
32垫CLLCC
28引脚CERDIP ， 0.6"
28引脚塑料DIP ， 0.6"
28引脚CERDIP ， 0.3"
32垫CLLCC
32垫CLLCC
28引脚CERDIP ， 0.6"
28引脚CERDIP ， 0.6"
28引脚CERDIP ， 0.6"
32引脚PLDCC
32引脚CLDCC
28引脚塑料DIP ， 0.6"
28引脚CERDIP ， 0.3"
28引脚CERDIP ， 0.3"
32垫CLLCC
28引脚CERDIP ， 0.6"
28引脚CERDIP ， 0.6"
32引脚PLDCC
32引脚PLDCC
28引脚CERDIP ， 0.3"
操作
WSI
包
温度制造
制图
范围
程序
C2
D2
J4
L3
P3
T2
C2
D2
P3
T2
C2
C2
D2
D2
D2
J4
L3
P3
T2
T2
C2
D2
D2
J4
J4
T2
Comm'l
Comm'l
Comm'l
Comm'l
Comm'l
Comm'l
Comm'l
Comm'l
Comm'l
Comm'l
Comm'l
军事
Comm'l
军事
军事
Comm'l
Comm'l
Comm'l
Comm'l
军事
军事
Comm'l
军事
Comm'l
产业
Comm'l
标准
标准
标准
标准
标准
标准
标准
标准
标准
标准
标准
MIL-STD-883C
标准
标准
MIL-STD-883C
标准
标准
标准
标准
MIL-STD-883C
MIL-STD-883C
标准
MIL-STD-883C
标准
标准
标准
注意：
11.实际部件标记将不包括缩写"WS."
*
SMD产品。请参阅第4 DESC SMD数量。
编程/算法/清除/编程器
请参阅
第5-1页
该WS57C256F使用算法的三维5-9页上显示编程。
当使用的数据I / O编程，算法57C256FB建议与使用
WS57C256F最佳编程的结果。
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3-17
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