WS57C191C/291C
军事HIGH SPEED 2K
x
8 CMOS PROM / RPROM
主要特点
超快速存取时间
— t
加
= 35 ns的
— t
CS
= 20 ns的
引脚兼容Am27S191 / 291
和N82S191双极PROM中
免疫闭锁
- 高达200 mA的
低功耗
快速编程
可在300至600英里DIP
ESD保护超过2000V
概述
该WS57C191C / 291C是一个非常高性能16K紫外线擦除电重新可编程只读
只读存储器（ RPROM ） 。它是在先进的CMOS技术，这使得它在双极操作制
PROM的速度，而功耗仅为25 ％，其双极型晶体管所需的功率。该WS57C191C / 291C
还配置了标准双极PROM引脚排列这对它们的系统提供了一种简便的升级途径
目前使用双极PROM中。
该WS57C191C被封装在常规600密耳DIP封装。该WS57C291C打包在一个空间
节省300万DIP封装配置。
模式选择
引脚
模式
CS1/V
PP
CS2
CS3
V
CC
输出
引脚配置
顶视图
CERDIP
读
产量
关闭
产量
关闭
节目
节目
VERIFY
产量
关闭
V
IL
V
IH
X
V
PP
V
IL
X
V
IH
X
V
IL
X
V
IH
X
V
IH
X
X
X
V
IH
V
IL
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
D
OUT
高Z
高Z
D
IN
D
OUT
高Z
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
O
0
O
1
O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
A
8
A
9
A10
CS1/V
PP
CS2
CS3
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
产品选择指南
参数
地址访问时间（最大值）
CS到输出有效时间（最大值）
WS57C191C/291C-35
35纳秒
20纳秒
WS57C191C/291C-45
45纳秒
20纳秒
WS57C191C/291C-55
55纳秒
20纳秒
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WS57C191C/291C
订购信息
产品型号
WS57C191C
WS57C191C-35DMB
WS57C191C-45DMB
WS57C191C-55DMB
WS57C291C
WS57C291C-35TMB
WS57C291C-45TMB
WS57C291C-55TMB
35
45
55
24引脚CERDIP ， 0.3"
24引脚CERDIP ， 0.3"
24引脚CERDIP ， 0.3"
T1
T1
T1
军事
军事
军事
MIL-STD-883C
MIL-STD-883C
MIL-STD-883C
35
45
55
24引脚CERDIP ， 0.6"
24引脚CERDIP ， 0.6"
24引脚CERDIP ， 0.6"
D1
D1
D1
军事
军事
军事
MIL-STD-883C
MIL-STD-883C
MIL-STD-883C
速度
（纳秒）
包
TYPE
操作
WSI
封装温度制造
制图
范围
程序
注意：
9.实际部件标记将不包括缩写"WS."
编程/算法/清除/编程器
请参阅
第5-1页
该WS57C191C和WS57C291C使用算法的三维5-9页上显示编程。
有关完整的数据资料和电气规范请参阅第2-7页。
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