WS57C128FB
高速16K
x
8 CMOS EPROM
主要特点
非常快的访问时间
= 35 ns的
标准EPROM引脚
DIP和表面贴装包装
可用的
低功耗
EPI处理
- 闭锁抗扰度高达200 mA的
概述
该WS57C128FB是一个高性能128K紫外线可擦除电可编程只读存储器。这是
采用先进的CMOS技术，这使得它在双极运行速度，而功耗制造
只有90毫安。
在WS57C128FB的两个主要特点是它的低功耗和高速。这些特性使其成为理想的
溶液应用于需要快速的存取时间，功耗低，并且非挥发性。典型的应用包括
不利用海量存储设备和/或系统的电路板空间有限。
该WS57C128FB配置在标准EPROM引脚排列，提供了系统的一个简单的升级路径
这是目前使用标准的EPROM 。在EPROM中有两个600英里DIP封装，这两种
J-引线和无引线表面贴装封装。
模式选择
引脚
模式
读
产量
关闭
待机
节目
节目
VERIFY
节目
抑制
PGM
X
X
X
VIL
VIH
X
CE
VIL
X
VIH
VIL
VIL
VIH
OE
VIL
VIH
X
VIH
VIL
X
VPP
VCC
VCC
VCC
VPP
VPP
VPP
VCC产出
引脚配置
顶视图
芯片载体
VCC
VCC
VCC
VCC
VCC
高Z
高Z
DIN
DOUT
高Z
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
O
0
A
7
A
12
V
PP
NC
V
CC
PGM
A
13
CERDIP
V
PP
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
O
0
O
1
O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
PGM
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
VCC
DOUT
X可以为VIL或VIH 。
4 3 2
32 31 30
1
5
29
6
28
7
27
8
26
9
25
10
24
11
23
12
22
13
21
14 15 16 17 18 19 20
O
1
O
2
GND
A
8
A
9
A
11
NC
OE
A
10
CE
O
7
O
6
NC
3
O
4
O
5
产品选择指南
参数
地址访问时间（最大值）
芯片选择时间（最大值）
输出使能时间（最大值）
WS57C128FB-35
35纳秒
35纳秒
20纳秒
WS57C128FB-45
45纳秒
45纳秒
25纳秒
WS57C128FB-55
55纳秒
55纳秒
25纳秒
WS57C128FB-70
70纳秒
70纳秒
25纳秒
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3-7
WS57C128FB
绝对最大额定值*
储存温度............................- 65 °至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面....................................- 0.6V至+ 7V
V
PP
相对于地面...................- 0.6V至+ 13V
ESD保护................................................ ..
＆ GT ;
2000V
*
注意：
超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件
在这个业务部门的说明
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对
极限条件下的长时间
时间会影响器件的可靠性。
工作范围
范围
广告
产业
军事
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
V
CC
+5V ± 10%
+5V ± 10%
+5V ± 10%
DC读取特性
在整个工作范围与V
PP
= V
CC
符号
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
I
SB1
I
SB2
I
CC1
参数
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
V
CC
待机电流（ CMOS ）
V
CC
待机电流（ TTL ）
V
CC
工作电流（ CMOS ）
测试条件
（注5 ）
（注5 ）
I
OL
= 16毫安
I
OH
= - 4毫安
（注1及3 ）
（注2和3）
（注1及4 ）
输出不装
（注2和4）
输出不装
V
PP
= V
CC
V
CC
– 0.4
V
IN
= 5.5V或GND
V
OUT
= 5.5 V或GND
–10
–10
Comm'l
产业
军事
Comm'l
产业
军事
2.4
500
15
30
40
40
50
60
60
100
V
CC
10
10
民
– 0.1
2.0
最大
0.8
V
CC
+ 0.3
0.4
单位
V
V
V
V
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
V
A
A
I
CC2
I
PP
V
PP
I
LI
I
LO
注意事项：
V
CC
工作电流（ TTL ）
V
PP
电源电流
V
PP
读取电压
输入漏电流
输出漏电流
1. CMOS输入： GND ± 0.3V或V
CC
± 0.3V.
2. TTL输入： V
IL
≤
0.8V, V
IH
≥
2.0V.
3.加入1毫安/ MHz的频率的交流电组成部分。
4，加4毫安/ MHz的频率的交流电组成部分。
5.这是绝对的电压相对于设备的接地引脚和
包括所有因系统和/或测试噪音过冲。
不要尝试没有合适的设备来测试这些值。
AC阅读特点
在整个工作范围与V
PP
= V
CC
参数
地址输出延迟
CE到输出延迟
OE为输出延迟
输出禁止以
输出的浮动
地址输出保持
符号
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
t
OH
0
57C128FB -35 57C128FB -45 57C128FB -55
民
最大
民
最大
民
最大
57C128FB-70
民
最大
单位
35
35
20
20
0
45
45
25
25
0
55
55
25
25
0
70
70
25
25
ns
3-8
WS57C128FB
AC读取时序图
地址
t
加
CE
有效
t
OH
t
CE
OE
t
DF
t
OE
输出
有效
t
DF
电容
(6)
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫
符号
C
IN
C
OUT
C
VPP
参数
输入电容
输出电容
V
PP
电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
V
PP
= 0 V
典型值
(7)
4
8
18
最大
6
12
25
单位
pF
pF
pF
注意事项：
6.该参数仅取样，而不是100％测试。
7.典型值是对于T
A
= 25 ° C和标称电源电压。
测试负载
（高阻抗测试系统）
交流测试输入/输出波形
97.5
2.01 V
D.U.T.
3.0
2.0
0.8
TEST
要点
2.0
0.8
30 pF的
（包括SCOPE
，夹具
电容）
0.0
AC测试输入驱动的3.0 V的逻辑"1"和0.0 V
对于逻辑"0."定时测量是在2.0 V做了
逻辑"1"和0.8 V的逻辑"0" 。
注意：
8.提供足够的去耦电容应尽可能靠近该器件实现了出版的AC和DC参数。
一个0.1微法的电容并联一个0.01微法的电容器连接V之间
CC
并推荐地。
去耦不足可能会导致访问时间降解或其它瞬态性能故障。
3-9
WS57C128FB
编程信息
DC特性
(T
A
= 25 ±5℃ ，V
CC
= 6.25 V ± 0.25 V, V
PP
= 12.75 ± 0.25 V)
符号
I
LI
I
PP
I
CC
V
OL
V
OH
注意：
参数
输入漏电流
(V
IN
= V
CC
或GND ）
V
PP
在电源电流
编程脉冲（ CE = PGM = V
IL
)
V
CC
电源电流
在验证输出低电压
(I
OL
= 16 mA）的
在验证输出高电压
(I
OH
= -4毫安）
民
–10
最大
10
60
30
0.4
单位
A
mA
mA
V
V
2.4
9. V
CC
必须要么巧合或V前申请
PP
并删除或者巧合或V后
PP
.
10. V
PP
必须不大于13伏，包括过冲。在CE = PGM = V
IL
, V
PP
不可转换为5伏到
12.5伏，反之亦然。
11.在开机的PGM引脚必须被拉高（ ≥ V
IH
）无论是一致或电源之前被应用到V
PP
.
AC特性
(T
A
= 25 ±5℃ ，V
CC
= 6.25 V ± 0.25 V, V
PP
= 12.75 ± 0.25 V)
符号
t
AS
t
CES
t
OES
t
OS
t
AH
t
OH
t
DF
t
OE
t
VS
t
PW
参数
地址建立时间
芯片使能建立时间
输出使能设置时间
数据建立时间
地址保持时间
数据保持时间
芯片禁用到输出的浮动延迟
数据有效从输出使能
V
PP
建立时间
PGM脉冲宽度
2
100
200
民
2
2
2
2
0
2
0
130
130
典型值
最大
单位
s
s
s
s
s
s
ns
ns
s
s
编程波形
地址
t
AS
数据
t
OS
V
PP
V
PP
V
CC
t
VS
V
IH
CE
V
IL
t
CES
V
IH
PGM
V
IL
t
PW
V
IH
OE
V
IL
t
OES
数据稳定
t
OH
高Z
t
OE
解决稳定
t
AH
数据输出
有效
t
DF
3-10
WS57C128FB
订购信息
产品型号
WS57C128FB-35D
WS57C128FB-45D
WS57C128FB-45DMB
WS57C128FB-45J
WS57C128FB-45L
WS57C128FB-55CMB
WS57C128FB-55D
WS57C128FB-55DMB
WS57C128FB-70D
WS57C128FB-70DM
WS57C128FB-70DMB
注意：
速度
（纳秒）
35
45
45
45
45
55
55
55
70
70
70
包
TYPE
28引脚CERDIP ， 0.6"
28引脚CERDIP ， 0.6"
28引脚CERDIP ， 0.6"
32引脚PLDCC
32引脚CLDCC
32垫CLLCC
28引脚CERDIP ， 0.6"
28引脚CERDIP ， 0.6"
28引脚CERDIP ， 0.6"
28引脚CERDIP ， 0.6"
28引脚CERDIP ， 0.6"
操作
包
温度
制图
范围
D2
D2
D2
J4
L3
C2
D2
D2
D2
D2
D2
Comm'l
Comm'l
军事
Comm'l
Comm'l
军事
Comm'l
军事
Comm'l
军事
军事
WSI
制造业
程序
标准
标准
MIL-STD-883C
标准
标准
MIL-STD-883C
标准
MIL-STD-883C
标准
标准
MIL-STD-883C
12.实际部件标记将不包括缩写"WS."
编程/算法/清除/编程器
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第5-1页
该WS57C128FB使用算法的三维5-9页上显示编程。
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3-11
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