怀特电子设计
512Kx32 3.3V SRAM模块
特点
■
■
■
15 *访问时间， 17 ， 20ns的
低电压操作
包装
66针， PGA型， 1.385英寸见方的密封
陶瓷HIP （ 402包）
68引线，密封CQFP （ G2 ） ， 22毫米（ 0.880
寸）的平方（ 500包） 。专为科幻吨
JEDEC 68导致0.990" CQFJ足迹
■
■
■
组织为512Kx32 ;用户刀豆网络可配置为
1Mx16或2Mx8
耐辐射与外延层模
商用和工业温度范围
■
■
■
■
■
WS512K32BV-XXXE
*先进
3.3V电源
BiCMOS工艺
TTL兼容的输入和输出
内置的去耦电容和多接地引脚
对于低噪音运行
重量
WS512K32BV - XG2XE - 8克典型
WS512K32NBV - XH2XE - 13克典型
*本产品正在开发中，是不是对外贸易资质网络编辑或特点，并须
更改或取消，恕不另行通知。
引脚配置WS512K32NBV ， XH2XE
顶视图
1
I / O
8
I / O
9
I / O
10
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
I / O
0
I / O
1
I / O
2
11
22
12
WE＃
2
CS ＃
2
GND
I / O
11
A
10
A
11
A
12
V
CC
CS ＃
1
NC
I / O
3
33
23
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
OE ＃
A
18
WE＃
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
24
I / O
25
I / O
26
A
6
A
7
34
V
CC
45
N
OT
CO
RE
ME
CS ＃
4
WE＃
4
I / O
27
A
3
A
4
A
5
WE＃
3
CS ＃
3
GND
I / O
19
44
ED
ND
56
I / O
31
I / O
30
I / O
29
I / O
28
A
0
A
1
A
2
I / O
23
I / O
22
I / O
21
I / O
20
OR
F
EW
N
I/O0-31
A0-18
CS#1-4
OE ＃
V
CC
GND
NC
ES
D
NS
IG
引脚说明
数据输入/输出
地址输入
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
WE＃ 1-4写入启用
NC
A
8
A
9
I / O
16
I / O
17
I / O
18
框图
WE＃ 1 CS ＃ 1
OE ＃
A0-18
512K ×8
512K ×8
WE＃ 2 CS ＃ 2
WE＃ 3 CS ＃ 3
WE＃ 4 CS ＃ 4
512K ×8
512K ×8
55
66
8
8
8
8
I/O0-7
I/O8-15
I/O16-23
I/O24-31
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
1999年12月，
第2版
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
WS512K32BV-XXXE
引脚配置WS512K32BV ， XG2XE
顶视图
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
CS ＃
3
GND
CS ＃
4
WE＃
1
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
V
CC
引脚说明
I/O0-31
A0-18
WE#1-4
I / O
16
I / O
17
I / O
18
I / O
19
I / O
20
I / O
21
I / O
22
I / O
23
GND
I / O
24
I / O
25
I / O
26
I / O
27
I / O
28
I / O
29
I / O
30
I / O
31
数据输入/输出
地址输入
写入启用
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
9 8 7 6 5 4 3 2 1 68 67 66 65 64 63 62 61
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
GND
I / O
8
I / O
9
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
I / O
14
I / O
15
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
CS#1-4
OE ＃
V
CC
GND
NC
框图
WE＃ 1 CS ＃ 1
OE ＃
A0-18
512K ×8
512K ×8
WE＃ 2 CS ＃ 2
WE＃ 3 CS ＃ 3
WE＃ 4 CS ＃ 4
512K ×8
512K ×8
CS ＃
1
OE ＃
CS ＃
2
A
17
WE＃
2
WE＃
3
WE＃
4
V
CC
A
18
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
11
NC
NC
8
8
8
8
I/O0-7
I/O8-15
I/O16-23
I/O24-31
该WEDC 68领先G2 CQFP填充相同的配合和
函数作为JEDEC 68领先CQFJ或68 PLCC 。但
在G2拥有的TCE和铅的检测优势
在CQFP形式。
0.940"
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2
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怀特电子设计
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
信号电压相对于GND
结温
电源电压
符号
T
A
T
英镑
V
G
T
J
V
CC
-0.5
民
-40
-65
-0.5
最大
+85
+150
4.6
150
4.6
单位
°C
°C
V
°C
V
CS ＃
H
L
L
L
OE ＃
X
L
X
H
X
H
L
H
WS512K32BV-XXXE
真值表
WE＃
模式
待机
读
写
输出禁用
数据I / O
高Z
数据输出
DATA IN
高Z
动力
待机
活跃
活跃
活跃
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
IH
V
IL
民
3.0
2.2
-0.3
最大
3.6
V
CC
+ 0.3
+0.8
单位
V
V
V
参数
OE ＃电容
WE＃ 1-4电容
HIP （ PGA ）
CQFP G2
CS ＃ 1-4电容
数据I / O容量
电容
(T
A
= +25°C)
符号条件
C
OE
C
WE
最大单位
pF
pF
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的50
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的20
20
C
CS
C
I / O
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的20
V
I / O
= 0 V ， F = 1.0 MHz的20
pF
pF
pF
地址输入电容C
AD
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的50
此参数由设计保证，但未经测试。
DC特性
(V
CC
= 3.3V ± 0.3V, V
SS
= 0V ，T
A
= -40 ° C至+ 85°C ）
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流（ ×32模式）
待机电流
输出低电压
输出高电压
注： DC测试条件： V
IH
= V
CC
-0.3V, V
IL
= 0.3V
符号
I
LI
I
LO
I
CC
x 32
I
SB
V
OL
V
OH
条件
V
IN
= GND到V
CC
CS ＃ = V
IH
， OE ＃ = V
IH
, V
OUT
= GND到Vcc
CS ＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
中，f = 5MHz时，V
CC
= 3.6V
CS ＃ = V
IH
， OE ＃ = V
IH
中，f = 5MHz时，V
CC
= 3.6V
I
OL
= 8毫安
I
OH
= -4.0mA
2.4
民
最大
10
10
480
110
0.4
单位
A
A
mA
mA
V
V
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3
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
AC特性
(V
CC
= 3.3V ，T
A
= -40 ° C至+ 85°C ）
参数
读周期
读周期时间
地址访问时间
从地址变更输出保持
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出中低Z
输出使能到输出中低Z
芯片禁用高Z输出
输出禁止到输出中高Z
1.此参数由设计保证，但未经测试。
*先进的信息。
符号
t
RC
t
AA
t
OH
t
ACS
t
OE
t
CLZ
1
t
OLZ
1
t
CHZ
1
1
WS512K32BV-XXXE
-15*
民
15
15
0
15
7
2
0
7
7
2
0
0
最大
民
17
-17
最大
17
0
17
8
2
0
8
8
民
20
-20
最大
20
20
10
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10
10
ns
ns
t
OHZ
AC特性
(V
CC
= 3.3V ，T
A
= -40 ° C至+ 85°C ）
参数
写周期
写周期时间
片选写的结束
地址有效到写结束
数据有效到写结束
把脉冲宽度
地址建立时间
地址保持时间
输出写入结束活动
写使能到输出中高Z
数据保持时间
1.此参数由设计保证，但未经测试。
*先进的信息。
符号
t
WC
t
CW
t
AW
t
DW
t
WP
t
AS
t
AH
t
OW
1
-15*
民
15
10
10
8
12
0
0
2
8
0
0
最大
民
17
12
12
9
14
0
0
3
-17
最大
民
20
14
14
10
14
0
0
3
8
0
-20
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
WHZ
1
t
DH
9
ns
ns
AC测试电路
参数
I
OL
电流源
AC测试条件
典型值
V
IL
= 0, V
IH
= 2.5
5
1.5
1.5
单位
V
ns
V
V
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
输出时序参考电平
D.U.T.
C
EFF
= 50 pF的
V
Z
1.5V
（双极性电源供电）
I
OH
电流源
注意事项：
V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
＆放大器;我
OH
可编程从0到16毫安。
Tester Impedance Z0 = 75 ½.
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
＆放大器;我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
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怀特电子设计
时序波形 - 读周期
WS512K32BV-XXXE
t
RC
地址
t
AA
t
RC
地址
t
AA
t
OH
OE ＃
CS ＃
t
ACS
t
CLZ
t
CHZ
数据I / O
以前的数据有效
数据有效
数据I / O
t
OE
t
OLZ
t
OHZ
数据有效
读周期1 （ CS ＃ = OE ＃ = V
IL
， WE＃ = V
IH
)
高阻抗
读周期2 （ WE＃ = V
IH
)
写周期 - WE＃控制
t
WC
地址
t
AW
t
CW
CS ＃
t
AS
WE＃
t
WHZ
数据I / O
t
DW
数据有效
写周期1 ， WE ＃控制
t
WP
t
OW
t
DH
t
AH
写周期 - CS ＃控制
t
WC
地址
t
AW
t
AS
CS ＃
t
WP
WE＃
t
DW
数据I / O
数据有效
写周期2 ， CS ＃控制
t
DH
t
CW
t
AH
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1999年12月，
第2版
5
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
WS512K32BV-XXXE
512Kx32 3.3V SRAM模块
特点
s
15访问时间
17 ， 20ns的
s
MIL -STD- 883标准的设备可用
s
低电压操作
s
包装
66针， PGA型， 1.385英寸见方的密封陶瓷HIP
（ 402包）
68引线，密封CQFP （ G2 ） ， 22毫米（ 0.880英寸）的平方
（ 500包） 。旨在满足JEDEC 68铅0.990 ＆ QUOT ; CQFJ
脚印
s
组织为512Kx32 ;用户可配置为1Mx16或2Mx8
s
耐辐射与外延层模
s
s
s
s
s
商用，工业和军用温度范围
3.3伏电源
BiCMOS工艺
TTL兼容的输入和输出
内置的去耦电容和多接地引脚为低
噪音运行
s
重量
WS512K32BV - XG2XE - 8克典型
WS512K32NBV - XH2XE - 13克典型
*此数据表描述了正在研发的产品，不能完全
特点，并随时更改，恕不另行通知。
这个速度是先进的信息。
初步*
4
引脚配置WS512K32NBV ， XH2XE
顶视图
1
I / O
8
I / O
9
I / O
10
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
I / O
0
I / O
1
I / O
2
11
22
12
WE
2
CS
2
GND
I / O
11
A
10
A
11
A
12
V
CC
CS
1
NC
I / O
3
33
23
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
OE
A
18
WE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
24
I / O
25
I / O
26
A
6
A
7
NC
A
8
A
9
I / O
16
I / O
17
I / O
18
44
34
V
CC
CS
4
WE
4
I / O
27
A
3
A
4
A
5
WE
3
CS
3
GND
I / O
19
55
45
I / O
31
I / O
30
56
SRAM模块
引脚说明
I / O
0-31
A
0-18
WE
1-4
CS
1-4
I / O
29
I / O
28
A
0
A
1
数据输入/输出
地址输入
写入启用
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
OE
V
CC
GND
NC
框图
A
2
WE
1
CS
1
WE
2
CS
2
WE
3
CS
3
WE
4
CS
4
I / O
23
I / O
22
OE
A
0-18
512K ×8
512K ×8
512K ×8
512K ×8
I / O
21
I / O
20
66
I / O
0-7
I / O
8-15
I / O
16-23
I / O
24-31
8
8
8
8
1998年2月
1
白微电子凤凰城，亚利桑那州 （ 602 ） 437-1520
WS512K32BV-XXXE
引脚配置WS512K32BV ， XG2XE
顶视图
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
CS
3
GND
CS
4
WE
1
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
V
CC
引脚说明
I / O
0-31
数据输入/输出
A
0-18
I / O
16
I / O
17
I / O
18
I / O
19
I / O
20
I / O
21
I / O
22
I / O
23
GND
I / O
24
I / O
25
I / O
26
I / O
27
I / O
28
I / O
29
I / O
30
I / O
31
9 8 7 6 5 4 3 2 1 68 67 66 65 64 63 62 61
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
GND
I / O
8
I / O
9
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
I / O
14
I / O
15
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
WE
2
WE
3
WE
4
V
CC
OE
CS
2
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
CS
1
A
17
A
18
地址输入
写入启用
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
4
SRAM模块
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
NC
NC
WE
1-4
CS
1-4
OE
0.940"
VCC
GND
白68引G2 CQFP罢了
NC
没有连接
作为同样的配合和功能
JEDEC 68领先CQFJ或68 PLCC 。
但G2拥有TCE和铅
检查优点的
框图
CQFP形式。
WE
1
CS
1
OE
A
0-18
512K ×8
512K ×8
WE
2
CS
2
WE
3
CS
3
WE
4
CS
4
512K ×8
512K ×8
8
8
8
8
I / O
0-7
I / O
8-15
I / O
16-23
I / O
24-31
白微电子凤凰城，亚利桑那州 （ 602 ） 437-1520
2
WS512K32BV-XXXE
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
信号电压相对于GND
结温
电源电压
符号
T
A
T
英镑
V
G
T
J
V
CC
-0.5
民
-55
-65
-0.5
最大
+125
+150
4.6
150
4.6
单位
°C
°C
V
°C
V
CS
H
L
L
L
OE
X
L
X
H
X
H
L
H
真值表
WE
模式
待机
读
写
输出禁用
数据I / O
高Z
数据输出
DATA IN
高Z
动力
待机
活跃
活跃
活跃
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
IH
V
IL
民
3.0
2.2
-0.3
最大
3.6
V
CC
+ 0.3
+0.8
单位
V
V
V
参数
OE电容
WE
1-4
电容
HIP （ PGA ）
CQFP G2
CS
1-4
电容
数据I / O容量
地址输入电容
电容
(T
A
= +25°C)
符号
C
OE
C
WE
条件
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
20
20
C
CS
C
I / O
C
AD
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
I / O
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
20
20
50
pF
pF
pF
最大
50
单位
pF
pF
此参数由设计保证，但未经测试。
4
SRAM模块
DC特性
(V
CC
= 3.3V
±
0.3V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流（ ×32模式）
待机电流
输出低电压
输出高电压
注： DC测试条件： V
IH
= V
CC
-0.3V, V
IL
= 0.3V
符号
I
LI
I
LO
I
CC
x 32
I
SB
V
OL
V
OH
条件
民
V
IN
= GND到V
CC
CS = V
IH
， OE = V
IH
, V
OUT
= GND到V
CC
CS = V
IL
， OE = V
IH
中，f = 5MHz时，V
CC
= 3.6V
CS = V
IH
， OE = V
IH
中，f = 5MHz时，V
CC
= 3.6V
I
OL
= 8毫安
I
OH
= -4.0mA
2.4
最大
10
10
480
110
0.4
单位
A
A
mA
mA
V
V
3
白微电子凤凰城，亚利桑那州 （ 602 ） 437-1520
WS512K32BV-XXXE
AC特性
(V
CC
= 3.3V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
读周期
读周期时间
地址访问时间
从地址变更输出保持
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出中低Z
输出使能到输出中低Z
芯片禁用高Z输出
输出禁止到输出中高Z
t
RC
t
AA
t
OH
t
ACS
t
OE
t
CLZ
t
OLZ
1
符号
民
15
-15*
最大
民
17
15
0
15
7
2
0
7
7
2
0
0
-17
最大
民
20
17
0
17
8
2
0
8
8
-20
最大
单位
ns
20
ns
ns
20
10
ns
ns
ns
ns
10
10
ns
ns
1
t
CHZ
1
t
OHZ
1
1.此参数由设计保证，但未经测试。
*先进的信息。
4
参数
写周期
写周期时间
片选写的结束
地址有效到写结束
数据有效到写结束
把脉冲宽度
地址建立时间
地址保持时间
输出写入结束活动
写使能到输出中高Z
数据保持时间
AC特性
(V
CC
= 3.3V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
符号
民
t
WC
t
CW
t
AW
t
DW
t
WP
t
AS
t
AH
t
OW
1
-15*
最大
民
17
12
12
9
14
0
0
3
8
0
0
-17
最大
民
20
14
14
10
14
0
0
3
8
0
-20
最大
单位
SRAM模块
15
10
10
8
12
0
0
2
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
9
ns
ns
t
WHZ
1
t
DH
1.此参数由设计保证，但未经测试。
*先进的信息。
AC测试电路
I
OL
电流源
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
典型值
V
IL
= 0, V
IH
= 2.5
5
1.5
1.5
单位
V
ns
V
V
D.U.T.
C
EFF
= 50 pF的
V
Z
≈
1.5V
输出时序参考电平
（双极性电源供电）
I
OH
电流源
注意事项：
V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
＆放大器;我
OH
可编程从0到16毫安。
测试仪抗Z
0
= 75
.
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
＆放大器;我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
白微电子凤凰城，亚利桑那州 （ 602 ） 437-1520
4
WS512K32BV-XXXE
时序波形 - 读周期
t
RC
地址
t
AA
CS
t
RC
地址
t
ACS
t
CLZ
OE
t
CHZ
t
AA
t
OH
数据I / O
以前的数据有效
数据有效
t
OE
t
OLZ
数据I / O
高阻抗
t
OHZ
数据有效
读周期1 （ CS = OE = V
IL
我们= V
IH
)
读周期2 （WE = V
IH
)
写周期 - 我们控制
t
WC
地址
4
SRAM模块
t
AW
t
CW
t
AH
CS
t
AS
WE
t
WP
t
OW
t
WHZ
t
DW
t
DH
数据I / O
数据有效
写周期1 ，我们控制
写周期 - CS控
t
WC
地址
WS32K32-XHX
t
AS
t
AW
t
CW
t
AH
CS
t
WP
WE
t
DW
数据I / O
数据有效
t
DH
写周期2 ， CS控
5
白微电子凤凰城，亚利桑那州 （ 602 ） 437-1520
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