WS512K32 - XXX / EDI8C32512CA
HI-可靠性产品
512Kx32 SRAM模块， SMD 5962-94611
特点
s
15 * ， 17 ， 20 ， 25 ， 35 ， 45 ， 55ns存取时间
s
包装
66针， PGA类型， 1.075"平方米，全封闭陶瓷HIP
（ 400包） 。
68领先， 40毫米密封薄型CQFP的3.5mm （ 0.140" ）
（封装502） ，待开发包。
68引线，密封CQFP （ G2T ） ， 22.4毫米（ 0.880" ）方
（ 509包） 4.57毫米（ 0.180" ）的高度。
旨在满足JEDEC 68领先0.990" CQFJ足迹（图3） 。
s
组织为512Kx32 ，用户可配置为1Mx16或2Mx8
s
商用，工业和军用温度范围
s
TTL兼容的输入和输出
s
5伏电源
s
低功耗CMOS
s
内置的去耦电容和多接地引脚为低
噪音运行
s
重量
WS512K32 - XH1X - 13克典型
WS512K32 - XG2TX / EDI8C32512CA -E - 13克典型
WS512K32 - XG4TX - 20克典型
注意：
对于非SMD新设计，请使用WS512K32-
XXX零件号进行查询和订单。
*仅适用于商业和工业温度15ns的存取时间。
这个速度是不充分的特点，并随时更改，恕不另行通知。
图。 1
1
I / O
8
I / O
9
I / O
10
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
I / O
0
I / O
1
I / O
2
11
引脚配置WS512K32N ， XH1X
顶视图
12
WE
2
CS
2
GND
I / O
11
A
10
A
11
A
12
V
CC
CS
1
NC
I / O
3
22
33
23
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
OE
A
18
WE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
24
I / O
25
I / O
26
A
6
A
7
NC
A
8
A
9
I / O
16
I / O
17
I / O
18
44
34
V
CC
CS
4
WE
4
I / O
27
A
3
A
4
A
5
WE
3
CS
3
GND
I / O
19
55
45
I / O
31
I / O
30
I / O
29
I / O
28
A
0
A
1
A
2
I / O
23
I / O
22
I / O
21
I / O
20
8
8
8
8
引脚说明
56
I / O
0-31
A
0-18
WE
1-4
CS
1-4
OE
V
CC
GND
NC
数据输入/输出
地址输入
写入启用
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
框图
宽E
1
CS
1
OE
A
0
-
18
512K ×8
512K ×8
宽E
2
CS
2
宽E
3
CS
3
宽E
4
CS
4
512K ×8
512K ×8
66
I / O
0-7
I / O
8-15
I / O
16-23
I / O
24-31
1999年6月第4版
1
怀特电子设计公司凤凰城，亚利桑那州 （ 602 ） 437-1520
WS512K32 - XXX /
EDI8C32512CA
图。 2
引脚配置WS512K32 ， XG4TX
顶视图
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
CS
1
GND
CS
3
WE
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
V
CC
引脚说明
I / O
0-31
A
0-18
数据输入/输出
地址输入
写入启用
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
9 8 7 6 5 4 3 2 1 68 67 66 65 64 63 62 61
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
GND
I / O
8
I / O
9
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
I / O
14
I / O
15
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
8
8
8
WE
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
I / O
16
I / O
17
I / O
18
I / O
19
I / O
20
I / O
21
I / O
22
I / O
23
GND
I / O
24
I / O
25
I / O
26
I / O
27
I / O
28
I / O
29
I / O
30
I / O
31
CS
1-4
OE
V
CC
GND
NC
框图
CS
1
WE
OE
A
0-18
512K ×8
512K ×8
CS
2
CS
3
CS
4
512K ×8
512K ×8
8
V
CC
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
CS
2
OE
CS
4
A
17
A
18
NC
NC
NC
NC
NC
I / O
0-7
I / O
8-15
I / O
16-23
I / O
24-31
图。 3
引脚配置WS512K32 ， XG2TX
和EDI8C32512CA -E
顶视图
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
CS
3
GND
CS
4
WE
1
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
V
CC
引脚说明
I / O
0-31
A
0-18
I / O
16
I / O
17
I / O
18
I / O
19
I / O
20
I / O
21
I / O
22
I / O
23
GND
I / O
24
I / O
25
I / O
26
I / O
27
I / O
28
I / O
29
I / O
30
I / O
31
数据输入/输出
地址输入
写入启用
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
9 8 7 6 5 4 3 2 1 68 67 66 65 64 63 62 61
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
GND
I / O
8
I / O
9
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
I / O
14
I / O
15
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
CS
2
A
17
WE
2
WE
3
WE
4
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
V
CC
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
CS
1
A
18
OE
WE
1-4
CS
1-4
OE
0.940"
V
CC
GND
地
白68引G2T CQFP
NC
没有连接
科幻LLS相同的网络连接T和功能
JEDEC的68引线CQFJ或68
PLCC 。但G2T有TCE
铅检测的优势
的CQFP形式。
框图
宽E
1
CS
1
OE
A
0
-
18
512K ×8
512K ×8
宽E
2
CS
2
宽E
3
CS
3
宽E
4
CS
4
NC
NC
512K ×8
512K ×8
8
8
8
8
I / O
0-7
I / O
8-15
I / O
16-23
I / O
24-31
怀特电子设计公司凤凰城，亚利桑那州 （ 602 ） 437-1520
2
WS512K32 - XXX /
EDI8C32512CA
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
信号电压相对于GND
结温
电源电压
符号
T
A
T
英镑
V
G
T
J
V
CC
-0.5
民
-55
-65
-0.5
最大
+125
+150
Vcc+0.5
150
7.0
单位
°C
°C
V
°C
V
CS
H
L
L
L
OE
X
L
H
X
WE
X
H
H
L
真值表
模式
待机
读
输出禁用
写
数据I / O
高Z
数据输出
高Z
DATA IN
动力
待机
活跃
活跃
活跃
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度（ MIL）
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
民
4.5
2.2
-0.5
-55
最大
5.5
V
CC
+ 0.3
+0.8
+125
单位
V
V
V
°C
参数
OE电容
WE
1-4
电容
HIP （ PGA ）
CQFP G4T
CQFP G2T / E
CS
1-4
电容
数据I / O容量
地址输入电容
电容
(T
A
= +25°C)
符号
C
OE
C
WE
条件
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
20
50
20
C
CS
C
I / O
C
AD
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
I / O
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
20
20
50
pF
pF
pF
最大
50
单位
pF
pF
此参数由设计保证，但未经测试。
DC特性
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流×32模式
待机电流
输出低电压
输出高电压
符号
I
LI
I
LO
I
CC ×32
I
SB
V
OL
V
OH
条件
民
V
CC
= 5.5, V
IN
= G
ND
到V
CC
CS = V
IH
， OE = V
IH
, V
OUT
= GND到V
CC
CS = V
IL
， OE = V
IH
中，f = 5MHz时， VCC = 5.5
CS = V
IH
， OE = V
IH
中，f = 5MHz时， VCC = 5.5
I
OL
= 8毫安15 - 为35ns ，
I
OL
= 2.1毫安45 - 55ns ， VCC = 4.5
I
OH
= -4.0mA 15 - 为35ns ，
I
OH
= -1.0mA 45 - 55ns ， VCC = 4.5
2.4
最大
10
10
540
80
0.4
单位
A
A
mA
mA
V
V
注： DC测试条件： V
IH
= V
CC
-0.3V, V
IL
= 0.3V
数据保持特性
(T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
数据保持电源电压
数据保持电流
符号
V
DR
I
CCDR1
条件
民
CS
≥
V
CC
-0.2V
V
CC
= 3V
2.0
3.2
典型值
最大
5.5
28*
V
mA
单位
*在低功率版本也已经推出，请致电厂家的信息。
3
怀特电子设计公司凤凰城，亚利桑那州 （ 602 ） 437-1520
WS512K32 - XXX /
EDI8C32512CA
AC特性
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
读周期
读周期时间
地址访问时间
从地址变更输出保持
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出中低Z
输出使能到输出中低Z
芯片禁用高Z输出
输出禁止到输出中高Z
t
RC
t
AA
t
OH
t
ACS
t
OE
t
CLZ
t
OLZ
1
符号
-15*
民
15
15
0
15
8
2
0
12
12
2
0
0
最大
民
17
-17
最大
民
20
17
0
17
9
2
0
12
12
-20
最大
民
25
20
0
20
10
2
0
12
12
-25
最大
民
35
25
0
25
12
4
0
12
12
-35
最大
民
45
35
0
35
25
4
0
15
15
-45
最大
-55
民
55
45
0
45
25
4
0
20
20
20
20
55
25
55
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1
t
CHZ
1
t
OHZ
1
*仅适用于商业和工业温度15ns的存取时间。这个速度是不充分的特点，并随时更改，恕不另行通知。
1.此参数由设计保证，但未经测试。
AC特性
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
写周期
写周期时间
片选写的结束
地址有效到写结束
数据有效到写结束
把脉冲宽度
地址建立时间
地址保持时间
输出写入结束活动
写使能到输出中高Z
数据保持时间
t
WC
t
CW
t
AW
t
DW
t
WP
t
AS
t
AH
t
OW
1
符号
-15*
民
15
13
13
10
13
2
0
2
8
0
0
最大
17
15
15
11
15
2
0
2
-17
民
最大
20
15
15
12
15
2
0
3
9
0
-20
民
最大
民
25
17
17
13
17
2
0
4
11
0
-25
最大
民
35
25
25
20
25
2
0
4
13
0
-35
最大
45
35
35
25
35
2
5
5
15
0
-45
民
最大
55
50
50
25
40
2
5
5
20
0
-55
最小最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
20
ns
ns
t
WHZ
1
t
DH
*仅适用于商业和工业温度15ns的存取时间。这个速度是不充分的特点，并随时更改，恕不另行通知。
1.此参数由设计保证，但未经测试。
2.最小为2ns的地址建立时间是在G2T和H1包。吨
AS
最低为G4T包是为0ns 。
图。 4
AC测试电路
电流源
I
OL
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
D.U.T.
V
Z
典型值
V
IL
= 0, V
IH
= 3.0
5
1.5
1.5
单位
V
ns
V
V
≈
1.5V
输出时序参考电平
C
EFF
= 50 pF的
（双极性电源供电）
I
OH
电流源
注意事项：
V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
＆放大器;我
OH
可编程从0到16毫安。
测试仪抗Z
0
= 75
.
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
＆放大器;我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
怀特电子设计公司凤凰城，亚利桑那州 （ 602 ） 437-1520
4
WS512K32 - XXX /
EDI8C32512CA
图。五
时序波形 - 读周期
地址
t
RC
t
AA
CS
t
RC
地址
t
ACS
t
CLZ
OE
t
CHZ
t
AA
t
OH
数据I / O
以前的数据有效
数据有效
t
OE
t
OLZ
数据I / O
高阻抗
t
OHZ
数据有效
读周期1 （ CS = OE = V
IL
我们= V
IH
)
读周期2 （WE = V
IH
)
图。 6
写周期 - 我们控制
t
WC
地址
t
AW
t
CW
CS
t
AH
t
AS
WE
t
WP
t
OW
t
WHZ
t
DW
t
DH
数据I / O
数据有效
写周期1 ，我们控制
图。 7
写周期 - CS控
t
WC
地址
WS32K32-XHX
t
CW
t
AH
t
AS
CS
t
AW
t
WP
WE
t
DW
数据I / O
数据有效
t
DH
写周期2 ， CS控
5
怀特电子设计公司凤凰城，亚利桑那州 （ 602 ） 437-1520
QQ：2880707522 复制
