怀特电子设计
512Kx32 SRAM模块， SMD 5962-94611
特点
■
■
70访问时间， 85 ， 100 ，为120ns
包装
?? 68铅，密封CQFP （ G2T ）
1
, 22.4mm (0.880
寸）的平方。 4.57毫米（ 0.180英寸）高（包
509)
■
■
■
组织为512Kx32 ，用户刀豆网络可配置为
1Mx16或2Mx8
商用，工业和军用温度
范围
TTL兼容的输入和输出
■
■
■
■
5V电源
低功耗CMOS
WS512K32-XXX
内置的去耦电容和多接地引脚
对于低噪音运行
重量
WS512K32 - XG2TX
1
- 8克典型
注1 ：套餐不推荐用于新的设计。
本产品如有更改，恕不另行通知。
图1 - 引脚配置WS512K32 ， XG2TX
1
顶视图
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
CS ＃
3
GND
CS ＃
4
WE＃
1
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
V
CC
引脚说明
I/O0-31
A0-18
WE#1-4
CS#1-4
OE ＃
V
CC
GND
NC
数据输入/输出
地址输入
写入启用
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
9 8 7 6 5 4 3 2 1 68 67 66 65 64 63 62 61
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
GND
I / O
8
I / O
9
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
I / O
14
I / O
15
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
I / O
16
I / O
17
I / O
18
I / O
19
I / O
20
I / O
21
I / O
22
I / O
23
GND
I / O
24
I / O
25
I / O
26
I / O
27
I / O
28
I / O
29
I / O
30
I / O
31
框图
宽E ＃
1
CS ＃
1
OE ＃
A
0-18
宽E ＃
2
CS ＃
2
宽E ＃
3
CS ＃
3
宽E ＃
4
CS ＃
4
A
16
CS ＃
1
OE ＃
CS ＃
2
A
17
WE＃
2
WE＃
3
WE＃
4
A
12
A
13
A
14
A
15
V
CC
A
18
A
11
NC
NC
512K ×8
512K ×8
512K ×8
512K ×8
8
8
8
8
I / O
0-7
I / O
8-15
I / O
16-23
I / O
24-31
注1 ：套餐不推荐用于新的设计。
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绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
信号电压相对于GND
结温
电源电压
符号
T
A
T
英镑
V
G
T
J
V
CC
-0.5
民
-55
-65
-0.5
最大
+125
+150
V
CC
+0.5
150
7.0
单位
°C
°C
V
°C
V
WS512K32-XXX
电容
T
A
= +25°C
参数
符号条件
最大单位
OE ＃电容
C
OE
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的50 pF的
WE＃
1-4
电容
C
WE
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的15 pF的
CQFP G2T
CS ＃
1-4
电容
C
CS
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的20 pF的
数据I / O容量
C
I / O
V
I / O
= 0 V ， F = 1.0 MHz的20 pF的
地址输入电容
C
AD
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的50 pF的
此参数由设计保证，但未经测试。
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度（ MIL）
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
民
4.5
2.2
-0.5
-55
最大
5.5
V
CC
+ 0.3
+0.8
+125
单位
V
V
V
°C
低电容CQFP
T
A
= +25°C
参数
OE ＃电容
CQFP G4电容
CS ＃ 1-4电容
符号
C
OE
C
WE
C
CS
C
I / O
C
AD
条件
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
I / O
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
最大单位
32
32
15
15
32
pF
pF
pF
pF
pF
真值表
CS ＃
H
L
L
L
OE ＃
X
L
H
X
WE＃
X
H
H
L
模式
待机
读
输出禁用
写
数据I / O
高Z
数据输出
高Z
DATA IN
动力
待机
活跃
活跃
活跃
数据I / O容量
地址输入电容
此参数由设计保证，但未经测试。
DC特性
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流×32模式
待机电流
输出低电压
输出高电压
注： DC测试条件： V
IH
= V
CC
-0.3V, V
IL
= 0.3V
符号
I
LI
I
LO
I
CC
x 32
I
SB
V
OL
V
OH
条件
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
CS ＃ = V
IH
， OE ＃ = V
IH
, V
OUT
= GND到V
CC
CS ＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
中，f = 5MHz时，V
CC
= 5.5
CS ＃ = V
IH
， OE ＃ = V
IH
中，f = 5MHz时，V
CC
= 5.5
I
OL
= 2.1毫安，V
CC
= 4.5
I
OH
= -1.0mA ，V
CC
= 4.5
2.4
民
最大
10
10
200
4.0
0.4
单位
A
A
mA
mA
V
V
数据保持特性
(T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
数据保持电源电压
数据保持电流
符号
V
DR
I
CCDR1
条件
CS ＃
≥
V
CC
-0.2V
V
CC
= 3V
民
2.0
0.4
典型值
最大
5.5
1.6
单位
V
mA
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AC特性
V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C
参数
读周期
读周期时间
地址访问时间
从地址变更输出保持
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出中低Z
输出使能到输出中低Z
芯片禁用高Z输出
输出禁止到输出中高Z
1.此参数由设计保证，但未经测试。
符号
t
RC
t
AA
t
OH
t
ACS
t
OE
t
CLZ
1
1
1
WS512K32-XXX
-70
民
70
70
5
70
35
10
5
25
25
10
5
5
最大
民
85
-85
最大
85
5
85
40
10
5
25
25
民
100
-100
最大
100
5
100
50
10
5
35
35
民
120
-120
最大
120
120
60
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
OLZ
t
CHZ
35
35
ns
ns
t
OHZ
1
AC特性
V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C
参数
写周期
写周期时间
片选写的结束
地址有效到写结束
数据有效到写结束
把脉冲宽度
地址建立时间
地址保持时间
输出写入结束活动
写使能到输出中高Z
从时间写数据保持
1.此参数由设计保证，但未经测试。
符号
t
WC
t
CW
t
AW
t
DW
t
WP
t
AS
t
AH
t
OW
1
-15*
民
70
60
60
30
50
0
5
5
25
0
0
最大
民
85
75
75
30
50
0
5
5
-17
最大
民
100
80
80
40
60
0
5
5
25
0
-20
最大
民
120
100
100
40
60
0
5
5
35
0
-25
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
WHZ
1
t
DH
35
ns
ns
图2 - AC测试电路
参数
AC测试条件
典型值
V
IL
= 0, V
IH
= 3.0
5
1.5
单位
V
ns
V
输入脉冲电平
电流源
I
OL
输入兴衰
输入和输出参考电平
D.U.T.
C
EFF
+50pf
V
Z
1.5V
（双极性电源供电）
输出时序参考电平
1.5
V
注意事项：
V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
＆放大器;我
OH
可编程从0到16毫安。
测试仪阻抗Z0 = 75
.
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
＆放大器;我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
电流源
I
OH
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图3 - 时序波形 - 读周期
WS512K32-XXX
t
RC
地址
t
RC
地址
t
AA
CS ＃
t
AA
t
ACS
t
CHZ
t
OH
数据I / O
以前的数据有效
数据有效
OE ＃
t
CLZ
t
OE
t
OLZ
数据I / O
高阻抗
t
OHZ
数据有效
读周期1 （ CS ＃ = OE ＃ = V
IL
， WE＃ = V
IH
)
读周期2 （ WE＃ = V
IH
)
图4 - 写周期 - WE＃控制
t
WC
地址
t
AW
t
CW
CS ＃
t
AS
WE＃
t
WHZ
数据I / O
t
DW
t
WP
t
OW
t
DH
t
AH
数据有效
写周期1 ， WE ＃控制
图5 - 写周期 - CS ＃控制
t
WC
地址
t
AW
t
AS
CS ＃
t
WP
WE＃
t
DW
数据I / O
数据有效
写周期2 ， CS ＃控制
t
DH
t
CW
t
AH
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WS512K32-XXX
套餐509 ： 68领先，陶瓷四方扁平封装， CQFP （ G2T ）
1
25.15 （ 0.990 ）± 0.26 （ 0.010 ） SQ
22.36 （ 0.880 ）± 0.26 （ 0.010 ） SQ
4.57 （ 0.180 ） MAX
0.27 (0.011) ± 0.04 (0.002)
0.25 （ 0.010 ）， REF
24.03 (0.946) ±
0.26 (0.010)
1° / 7°
R 0.25
(0.010)
0.19 (0.007) ±
0.06 (0.002)
1.0 (0.040) ±
0.127 (0.005)
23.87
（ 0.940 ）， REF
细节A
1.27 （ 0.050 ） TYP
0.38 (0.015) ± 0.05 (0.002)
详细信息，请参阅“A”
20.3 （ 0.80 ） REF
注1 ：套餐不推荐用于新的设计。
所有的线性尺寸为毫米，顺便为英寸
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