怀特电子设计
2x512Kx8 DUALITHIC SRAM
特点
■
■
■
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■
■
■
■
■
访问时间17 ， 20 ， 25 ， 35 ， 45 ， 55ns
进化，角电源/接地引脚
包装：
32引脚密封陶瓷DIP （ 300包）
组织为512Kx8的两家银行
商用，工业和军用温度
范围
3.3V电源
低功耗CMOS
TTL兼容的输入和输出
输出使能内部连接到GND 。
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
WS1M8V-XCX
高级*
引脚配置WS1M8V - XCX
32 DIP
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A15
A17
WE＃
A13
A8
A9
A11
CS2#
A10
CS1#
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
*本产品正在开发中，是不是对外贸易资质网络编辑或特点，并须
更改或取消，恕不另行通知。
引脚说明
A0-18
I/O0-7
CS#1-2
WE＃
V
CC
GND
地址输入
数据输入/输出
芯片选择
写使能
+ 3.3V电源
地
框图
I/O0-7
WE＃
A0-18
512K ×8
512K ×8
CS
1#
(1)
CS
2#
(1)
注意：
1. CS ＃
1
和CS ＃
2
用于选择的下限和上限512Kx8
装置。 CS ＃
1
和CS ＃
2
不能在同一时间使能。
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
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绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
信号电压相对于GND
结温
电源电压
符号
T
A
T
英镑
V
G
T
J
V
CC
民
-55
-65
-0.5
-0.5
最大
+125
+150
+4.6
150
5.5
单位
°C
°C
V
°C
V
CS ＃
H
L
L
WE＃
X
H
L
模式
待机
读
写
WS1M8V-XCX
高级*
真值表
数据I / O
高Z
数据输出
DATA IN
动力
待机
活跃
活跃
注： OE ＃内部连接到GND 。
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度。 （米尔）
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
民
3.0
2.2
-0.3
-55
最大
3.6
V
CC
+ 0.3
+0.8
+125
单位
V
V
V
°C
参数
输入电容
输出capicitance
电容
T
A
= +25°C
符号
C
IN
C
OUT
条件
V
IN
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
OUT
= 0V ， F = 1.0MHz的
最大
28
28
单位
pF
pF
此参数由设计保证，但未经测试。
DC特性
V
CC
= 3.3V ， GND = 0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C)
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
待机电流
输出低电压
输出高电压
注意：
DC测试条件： V
IH
= V
CC
-0.3V , V
IL
= 0.3V
1. OE ＃内部连接到GND 。
符号
I
LI
I
LO
1
I
CC
1
I
SB
1
V
OL
V
OH
条件
V
CC
= 3.6, V
IN
= GND到V
CC
CS ＃ = V
IH
, V
OUT
= GND到V
CC
CS ＃ = V
IL
中，f = 5MHz时，V
CC
= 3.6
CS ＃ = V
IH
中，f = 5MHz时，V
CC
= 3.6
I
OL
= 8.0毫安
I
OH
= -4.0mA
民
最大
10
10
160
30
0.4
2.4
单位
A
A
mA
mA
V
V
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AC特性
V
CC
= 3.3V ， GND = 0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C)
参数
读周期
读周期时间
地址访问时间
从地址变更输出保持
芯片选择访问时间
片选到输出中低Z
芯片禁用高Z输出
符号
t
RC
t
AA
t
OH
t
ACS
t
CLZ
1
t
CHZ
1
民
17
0
17
2
9
2
10
-17
最大
17
0
20
2
12
民
20
-20
最大
20
0
25
4
15
民
25
-25
最大
25
0
35
4
民
35
-35
最大
35
0
民
45
WS1M8V-XCX
高级*
-45
最大
45
0
45
4
20
民
55
-55
最大
55
55
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项：
1.此参数由设计保证，但未经测试。
2. OE ＃内部连接到GND 。
AC特性
V
CC
= 3.3V ， GND = 0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C)
参数
写周期
写周期时间
片选写的结束
地址有效到写结束
数据有效到写结束
把脉冲宽度
地址建立时间
地址保持时间
输出写入结束活动
写使能到输出中高Z
数据保持时间
符号
t
WC
t
CW
t
AW
t
DW
t
WP
t
AS
t
AH
t
OW
1
t
WHZ
1
t
DH
民
17
14
14
9
14
0
0
2
0
-17
最大
民
20
14
14
10
14
0
0
3
0
-20
最大
民
25
15
15
10
15
0
0
4
0
-25
最大
民
35
25
25
20
25
0
0
4
0
-35
最大
民
45
35
35
25
35
0
5
5
0
-45
最大
民
55
50
50
25
40
0
5
5
0
-55
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
9
9
10
15
15
25
注意事项：
1.此参数由设计保证，但未经测试。
AC测试电路
I
OL
电流源
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
输出时序参考电平
V
Z
典型值
V
IL
= 0, V
IH
= 3.0
5
1.5
1.5
单位
V
ns
V
V
D.U.T.
C
EFF
= 50 pF的
≈
1.5V
（双极性电源供电）
I
OH
电流源
注意事项：
V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
＆放大器;我
OH
可编程从0到16毫安。
测试仪阻抗Z0 = 75 Ω 。
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
＆放大器;我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
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时序波形？读周期
WS1M8V-XCX
高级*
t
RC
地址
t
RC
地址
t
AA
CS ＃
t
AA
t
ACS
t
OH
数据I / O
以前的数据有效
数据有效
t
CHZ
t
CLZ
OE ＃
读周期1 （ CS ＃ = OE ＃ = V
IL
， WE＃ = V
IH
)
t
OE
t
OLZ
数据I / O
高阻抗
t
OHZ
数据有效
读周期2 （ WE＃ = V
IH
)
注： OE ＃内部连接到GND 。
写周期 - WE＃控制
t
WC
地址
t
AW
t
CW
CS ＃
t
AS
WE＃
t
WHZ
数据I / O
t
DW
t
WP
t
OW
t
DH
t
AH
数据有效
写周期1 ， WE ＃控制
写周期 - CS ＃控制
t
WC
地址
t
AS
CS ＃
t
AW
t
CW
t
AH
t
WP
WE＃
t
DW
数据I / O
数据有效
t
DH
写周期2 ， CS ＃控制
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WS1M8V-XCX
高级*
套餐300 ： 32引脚，陶瓷DIP封装，单腔侧钎焊
42.4 (1.670) ± 0.4 (0.016)
15.04 (0.592)
± 0.3 (0.012)
4.34 (0.171) ± 0.79 (0.031)
引脚1标识符
0.84 (0.033)
± 0.4 (0.014)
所有的线性尺寸为毫米，顺便为英寸
订购信息
W S 1M8 V - XXX X X
铅表面处理：
空白=镀金引线
A =浸焊引线
设备等级：
M =军事屏蔽-55 ° C至+ 125°C
I =工业
-40 ° C至+ 85°C
C =商用
0 ° C至+ 70°C
包装：
C = 32引脚陶瓷DIP 0.600" （ 300包）
访问时间（纳秒）
低压电源3.3V ± 10 ％
组织，两家银行的512K ×8
SRAM
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