WS1M8-XXX
HI-可靠性产品
2x512Kx8 DUALITHIC SRAM
特点
s
访问时间17 ， 20 ， 25 ， 35 ， 45 ， 55ns
s
革命，中心电源/接地引脚
s
包装：
32引脚密封陶瓷DIP （ 300包）
36引线陶瓷SOJ （ 100包）
36铅陶瓷扁平封装（封装226 ）
引脚配置WS1M8 ， XDJX
和WS1M8 - XFX
36 CSOJ
36 FLATPACK
s
组织为512Kx8的两家银行
s
商用，工业和军用温度范围
s
5伏电源
s
低功耗CMOS
s
TTL兼容的输入和输出
引脚配置WS1M8 - XCX
32 DIP
顶视图
NC
A18
A17
A16
A15
OE
I/O7
I/O6
GND
V
CC
I/O5
I/O4
A14
A13
A12
A11
A10
CS2
顶视图
A0
A1
A2
A3
A4
CS1
I/O0
I/O1
V
CC
GND
I/O2
I/O3
WE
A5
A6
A7
A8
A9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A15
A17
WE
A13
A8
A9
A11
CS2
A10
CS1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
引脚说明
A
0-18
I / O
0-7
CS
1-2
OE
WE
V
CC
GND
地址输入
数据输入/输出
芯片选择
OUTPUT ENABLE
写使能
+ 5.0V电源
地
引脚说明
A
0-18
I / O
0-7
CS
1-2
WE
V
CC
GND
地址输入
数据输入/输出
芯片选择
写使能
+ 5.0V电源
地
框图
I / O
0-7
WE
OE
A
0-18
框图
I / O
0-7
WE
A
0-18
512K ×8
512K ×8
512K ×8
512K ×8
CS
1
(1)
CS
2
(1)
注意：
1. CS
1
和CS
2
用于选择该设备的下部和上部512Kx8 。 CS
1
和CS
2
不能在同一时间使能。
CS
1
(1)
CS
2
(1)
2000年10月第4版
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
WS1M8-XXX
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
信号电压相对于GND
结温
电源电压
符号
T
A
T
英镑
V
G
T
J
V
CC
-0.5
民
-55
-65
-0.5
最大
+125
+150
Vcc+0.5
150
7.0
单位
°C
°C
V
°C
V
CS
H
L
L
L
OE
X
L
X
H
X
H
L
H
真值表
WE
模式
待机
读
写
输出禁用
数据I / O
高Z
数据输出
DATA IN
高Z
动力
待机
活跃
活跃
活跃
注： OE内部连接到GND ，而不是在WS1M8 - XCX访问。
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度。 （米尔）
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
民
4.5
2.2
-0.3
-55
最大
5.5
V
CC
+ 0.3
+0.8
+125
单位
V
V
V
°C
参数
输入电容
输出capicitance
电容
(T
A
= +25°C)
符号
C
IN
C
OUT
条件
V
IN
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
OUT
= 0V ， F = 1.0MHz的
最大单位
20
20
pF
pF
此参数由设计保证，但未经测试。
DC特性
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
待机电流
输出低电压
输出高电压
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
SB
1
1
1
条件
民
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
CS = V
IH
， OE = V
IH
, V
OUT
= GND到V
CC
CS = V
IL
， OE = V
IH
中，f = 5MHz时， VCC = 5.5
CS = V
IH
， OE = V
IH
中，f = 5MHz时， VCC = 5.5
I
OL
= 8毫安
I
OH
= -4.0mA
2.4
最大
10
10
180
40
0.4
单位
A
A
mA
mA
V
V
V
OL
V
OH
注： DC测试条件： V
IH
= V
CC
-0.3V , V
IL
= 0.3V
1. OE内部连接到GND ，而不是在WS1M8 - XCX访问。
低功耗数据保持特性（ WS1M8L - XXX ONLY）
(T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
数据保持电源电压
数据保持电流
符号
V
DR
I
CCDR1
条件
民
CS
≥
V
CC
-0.2V
V
CC
= 3V
2.0
3.0
典型值
最大
5.5
18.0*
V
mA
单位
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
2
WS1M8-XXX
AC特性
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
读周期
读周期时间
地址访问时间
从地址变更输出保持
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出中低Z
输出使能到输出中低Z
芯片禁用高Z输出
输出禁止到输出中高Z
t
RC
t
AA
t
OH
t
ACS
t
OE
2
1
符号
民
17
-17
最大
-20
民
20
17
20
0
17
9
20
10
2
0
9
9
10
10
2
0
0
最大
民
25
-25
最大
-35
民
35
25
0
25
12
4
0
12
12
15
15
35
25
4
0
35
0
最大
-45
民
45
45
0
45
25
4
0
20
20
最大
-55
民
55
55
最大
单位
ns
ns
ns
55
25
ns
ns
ns
ns
20
20
ns
ns
0
t
CLZ
2
0
t
OLZ
2
t
CHZ
1
t
OHZ
2
1.此参数由设计保证，但未经测试。
2. OE内部连接到GND ，而不是在WS1M8 - XCX访问。
AC特性
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
写周期
写周期时间
片选写的结束
地址有效到写结束
数据有效到写结束
把脉冲宽度
地址建立时间
地址保持时间
输出写入结束活动
写使能到输出中高Z
数据保持时间
t
WC
t
CW
t
AW
t
DW
t
WP
t
AS
t
AH
t
OW
1
t
WHZ
1
t
DH
0
符号
-17
民
17
14
14
9
14
0
0
2
9
0
最大
-20
民
20
14
14
10
14
0
0
3
9
0
最大
-25
民
25
15
15
10
15
0
0
4
10
0
最大
民
35
25
25
20
25
0
0
4
15
0
-35
最大
-45
民
45
35
35
25
35
0
5
5
15
0
最大
-55
民
55
50
50
25
40
0
5
5
25
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
1.此参数由设计保证，但未经测试。
AC测试电路
I
OL
电流源
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
典型值
V
IL
= 0, V
IH
= 3.0
5
1.5
1.5
单位
V
ns
V
V
D.U.T.
C
EFF
= 50 pF的
V
Z
≈
1.5V
输出时序参考电平
（双极性电源供电）
I
OH
电流源
注意事项：
V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
＆放大器;我
OH
可编程从0到16毫安。
测试仪抗Z
0
= 75
.
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
＆放大器;我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
3
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
WS1M8-XXX
时序波形 - 读周期
t
RC
地址
t
AA
CS
t
RC
地址
t
ACS
t
CLZ
OE
t
CHZ
t
AA
t
OH
数据I / O
以前的数据有效
数据有效
t
OE
t
OLZ
数据I / O
高阻抗
t
OHZ
数据有效
读周期1 （ CS = OE = V
IL
我们= V
IH
)
读周期2 （WE = V
IH
)
注： OE内部连接到GND ，而不是在WS1M8 - XCX访问。
写周期 - 我们控制
t
WC
地址
t
AW
t
CW
CS
t
AH
t
AS
WE
t
WP
t
OW
t
WHZ
t
DW
t
DH
数据I / O
数据有效
写周期1 ，我们控制
写周期 - CS控
t
WC
地址
WS32K32-XHX
t
AS
t
AW
t
CW
t
AH
CS
t
WP
WE
t
DW
数据I / O
数据有效
t
DH
写周期2 ， CS控
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4
WS1M8-XXX
套餐100 ：
36铅，陶瓷SOJ
23.37 (0.920)
±
0.25 (0.010)
0.20 (0.008)
±
0.05 (0.002)
4.76 （ 0.184 ） MAX
0.89 (0.035)
半径TYP
11.3 (0.446)
±
0.2 (0.009)
9.55 (0.376)
±
0.25 (0.010)
1.27 (0.050)
±
0.25 (0.010)
引脚1标识符
1.27 （ 0.050 ） TYP
21.59 （ 0.850 ） TYP
0.43 (0.017)
±
0.05 (0.002)
所有的线性尺寸为毫米，顺便为英寸
套餐226 ：
36铅，陶瓷扁平封装
23.37 (0.920)
±
0.25 (0.010)
3.18 (0.125)
最大
销1
识别码
12.95 (0.510)
±
0.13 (0.005)
12.7 (0.500)
±
0.5 (0.020)
5.1 (0.200)
±
0.25 (0.010)
0.43 (0.017)
±
0.05 (0.002)
32.64 （ 1.285 ） TYP
1.27 （ 0.050 ） TYP
21.59 （ 0.850 ） TYP
38.1 (1.50)
±
0.4 (0.015)
3.8 (0.150)
典型值
0.127 (0.005)
±
0.05 (0.002)
所有的线性尺寸为毫米，顺便为英寸
5
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怀特电子设计
2x512Kx8 DUALITHIC SRAM
特点
访问时间17 ， 20 ， 25 ， 35 ， 45 ， 55ns
革命，中心电源/接地引脚
包装：
32引脚密封陶瓷DIP （ 300包）
36引线陶瓷SOJ （ 100包）
36铅陶瓷扁平封装（封装226 ）
组织为512Kx8的两家银行
WS1M8-XXX
商用，工业和军用温度范围
5伏电源
低功耗CMOS
TTL兼容的输入和输出
引脚配置WS1M8 ， XDJX
和WS1M8 - XFX
36 CSOJ
36 FLATPACK
引脚配置WS1M8 - XCX
32 DIP
顶视图
NC
A18
A17
A16
A15
OE ＃
I/O7
I/O6
GND
V
CC
I/O5
I/O4
A14
A13
A12
A11
A10
CS2#
顶视图
A0
A1
A2
A3
A4
CS1#
I/O0
I/O1
V
CC
GND
I/O2
I/O3
WE＃
A5
A6
A7
A8
A9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A15
A17
WE＃
A13
A8
A9
A11
CS2#
A10
CS1#
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
引脚说明
A0-18
I/O0-7
CS1-2#
OE ＃
WE＃
V
CC
GND
地址输入
数据输入/输出
芯片选择
OUTPUT ENABLE
写使能
+ 5.0V电源
地
I/O0-7
WE＃
OE ＃
A0-18
引脚说明
A0-18
I/O0-7
CS1-2#
WE＃
V
CC
GND
地址输入
数据输入/输出
芯片选择
写使能
+ 5.0V电源
地
框图
框图
I/O0-7
WE＃
A0-18
512K ×8
512K ×8
512K ×8
512K ×8
注意：
1. CS1 ＃和CS2 ＃用于选择该设备的下部和上部512Kx8 。 CS1 ＃和CS2 ＃不能在同一时间被激活。
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2004年7月
启5
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
CS1#
(1)
CS2#
(1)
CS
1#
(1)
CS
2#
(1)
怀特电子设计
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
信号电压相对于GND
结温
电源电压
符号
T
A
T
英镑
V
G
T
J
V
CC
-0.5
民
-55
-65
-0.5
最大
+125
+150
V
CC
+0.5
150
7.0
单位
°C
°C
V
°C
V
WS1M8-XXX
真值表
CS ＃
H
L
L
L
OE ＃
X
L
X
H
WE＃
X
H
L
H
模式
待机
读
写
输出禁用
数据I / O
高Z
数据输出
DATA IN
高Z
动力
待机
活跃
活跃
活跃
注： OE ＃内部连接到GND ，而不是在WS1M8 - XCXX访问。
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度。 （米尔）
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
民
4.5
2.2
-0.3
-55
最大
5.5
V
CC
+ 0.3
+0.8
+125
单位
V
V
V
°C
参数
输入电容
输出capicitance
电容
T
A
= +25°C
符号
C
IN
C
OUT
条件
V
IN
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
OUT
= 0V ， F = 1.0MHz的
最大
20
20
单位
pF
pF
此参数由设计保证，但未经测试。
DC特性
V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
待机电流
输出低电压
输出高电压
符号
I
LI
I
LO
1
1
条件
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
CS ＃ = V
IH
， OE ＃ = V
IH
, V
OUT
= GND到V
CC
CS ＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
中，f = 5MHz时，V
CC
= 5.5
CS ＃ = V
IH
， OE ＃ = V
IH
中，f = 5MHz时，V
CC
= 5.5
I
OL
= 6毫安
I
OH
= -4.0mA
民
最大
10
10
180
40
0.4
单位
A
A
mA
mA
V
V
I
CC
I
SB
1
V
OL
V
OH
2.4
注： DC测试条件： V
IH
= V
CC
-0.3V , V
IL
= 0.3V
1. OE ＃内部连接到GND ，而不是在WS1M8 - XCXX访问。
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2004年7月
启5
2
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
AC特性
V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
读周期
读周期时间
地址访问时间
从地址变更输出保持
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出中低Z
输出使能到输出中低Z
芯片禁用高Z输出
输出禁止到输出中高Z
符号
t
RC
t
AA
t
OH
t
ACS
t
OE
2
t
CLZ
1
t
OLZ
2
t
CHZ
1
t
OHZ
2
-17
民
17
0
17
9
2
0
9
9
2
0
10
10
最大
17
0
20
10
2
0
12
12
民
20
-20
最大
20
0
25
12
4
0
15
15
民
25
-25
最大
25
0
35
25
4
0
民
35
-35
最大
35
0
民
45
WS1M8-XXX
-45
最大
45
0
45
25
4
0
20
20
民
55
-55
最大
55
55
25
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
20
20
1.此参数由设计保证，但未经测试。
2. OE ＃内部连接到GND ，而不是在WS1M8 - XCXX访问。
AC特性
V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
写周期
写周期时间
片选写的结束
地址有效到写结束
数据有效到写结束
把脉冲宽度
地址建立时间
地址保持时间
输出写入结束活动
写使能到输出中高Z
数据保持时间
符号
t
WC
t
CW
t
AW
t
DW
t
WP
t
AS
t
AH
t
OW
1
t
WHZ
1
t
DH
17
14
14
9
14
0
0
2
9
0
0
-17
20
14
14
10
14
0
0
3
9
0
-20
25
15
15
10
15
0
0
4
10
0
-25
35
25
25
20
25
0
0
4
15
0
-35
45
35
35
25
35
0
5
5
15
0
-45
55
50
50
25
40
0
5
5
25
-55
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1.此参数由设计保证，但未经测试。
AC测试电路
I
OL
电流源
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
输出时序参考电平
V
Z
典型值
VIL = 0 ， VIH = 3.0
5
1.5
1.5
单位
V
ns
V
V
D.U.T.
C
EFF
= 50 pF的
≈
1.5V
（双极性电源供电）
I
OH
电流源
注意事项：
V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
＆放大器;我
OH
可编程从0到16毫安。
测试仪阻抗Z0 = 75 Ω 。
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
＆放大器;我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
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时序波形？读周期
t
RC
地址
WS1M8-XXX
t
RC
地址
t
AA
CS ＃
t
AA
t
ACS
t
OH
数据I / O
以前的数据有效
数据有效
t
CHZ
t
CLZ
OE ＃
读周期1 （ CS ＃ = OE ＃ = V
IL
， WE＃ = V
IH
)
t
OE
t
OLZ
数据I / O
高阻抗
t
OHZ
数据有效
读周期2 （ WE＃ = V
IH
)
注： OE ＃内部连接到GND ，而不是在WS1M8 - XCXX访问。
写周期 - WE＃控制
t
WC
地址
t
AW
t
CW
CS ＃
t
AS
WE＃
t
WHZ
数据I / O
t
DW
t
WP
t
OW
t
DH
t
AH
数据有效
写周期1 ， WE ＃控制
写周期 - CS ＃控制
t
WC
地址
t
AS
CS ＃
t
AW
t
CW
t
AH
t
WP
WE＃
t
DW
数据I / O
数据有效
t
DH
写周期2 ， CS ＃控制
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套餐100 ： 36领先，陶瓷SOJ
WS1M8-XXX
23.37 (0.920) ± 0.25 (0.010)
0.20 (0.008)
± 0.05 (0.002)
4.76 （ 0.184 ） MAX
0.89 (0.035)
半径TYP
11.3 (0.446)
± 0.2 (0.009)
9.55 (0.376) ± 0.25 (0.010)
1.27 (0.050) ± 0.25 (0.010)
引脚1标识符
1.27 （ 0.050 ） TYP
21.59 （ 0.850 ） TYP
0.43 (0.017)
± 0.05 (0.002)
所有的线性尺寸为毫米，顺便为英寸
套餐226 ： 36领先，陶瓷扁平封装
23.37 (0.920)
± 0.25 (0.010)
3.18 (0.125)
最大
销1
识别码
12.95 (0.510)
± 0.13 (0.005)
12.7 (0.500)
± 0.5 (0.020)
5.1 (0.200)
± 0.25 (0.010)
0.43 (0.017)
± 0.05 (0.002)
3.8 (0.150)
典型值
32.64 （ 1.285 ） TYP
38.1 (1.50) ± 0.4 (0.015)
1.27 （ 0.050 ） TYP
21.59 （ 0.850 ） TYP
0.127 (0.005)
± 0.05 (0.002)
所有的线性尺寸为毫米，顺便为英寸
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