怀特电子设计
2x512Kx8 DUALITHIC SRAM
特点
访问时间70 ， 85 ， 100纳秒
进化，角电源/接地引脚
包装：
32引脚密封陶瓷DIP （ 300包）
组织为512Kx8的两家银行
商用，工业和军用温度
范围
5伏电源
低功耗CMOS
TTL兼容的输入和输出
输出使能内部连接到GND 。
WS1M8-XCX
初步*
*本产品正在开发中，是不是对外贸易资质网络编辑或特点，并须
更改，恕不另行通知。
引脚CON组fi guration FOR WS1M8 - XCX
32 DIP
引脚说明
A0-18
I/O0-7
CS1-2#
WE＃
地址输入
数据输入/输出
芯片选择
写使能
+ 5.0V电源
地
顶视图
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A15
A17
WE＃
A13
A8
A9
A11
CS2#
A10
CS1#
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
V
CC
GND
框图
I / O
0-7
WE＃
A
0-18
512K ×8
512K ×8
CS
1#
(1)
CS
2#
(1)
注意：
1. CS1 ＃和CS2 ＃用于选择的下限和上限512Kx8
该设备。 CS1 ＃和CS2 ＃不能在同一时间被激活。
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
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1
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怀特电子设计
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
信号电压相对于GND
结温
电源电压
符号
T
A
T
英镑
V
G
T
J
V
CC
民
-55
-65
-0.5
-0.5
最大
+125
+150
V
CC
+0.5
150
7.0
单位
°C
°C
V
°C
V
CS ＃
H
L
L
WE＃
X
H
L
模式
待机
读
写
WS1M8-XCX
初步
真值表
数据I / O
高Z
数据输出
DATA IN
动力
待机
活跃
活跃
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
Opertating温度。 （ MIL ）
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
民
4.5
2.2
-0.3
-55
最大
5.5
V
CC
+ 0.3
+0.8
+125
单位
V
V
V
°C
参数
输入电容
输出电容
电容
T
A
= +25°C
符号
条件
最大单位
V
IN
= 0V ， F = 1.0 MHz的28 pF的
C
IN
C
OUT
V
OUT
= 0V ， F = 1.0 MHz的28 pF的
此参数由设计保证，但未经测试。
DC特性
V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ， -55°C
≤
T
A
≤
+125°C
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
待机电流
输出低电压
输出高电压
注： DC测试条件： V
IH
= V
CC
-0.3V, V
IL
= 0.3V
1. OE ＃内部连接到GND 。
符号
I
LI
I
LO
1
I
CC
1
I
SB
1
V
OL
V
OH
条件
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
CS ＃ = V
IH
, V
OUT
= GND到V
CC
CS ＃ = V
IL
中，f = 5MHz时，V
CC
= 5.5
CS ＃ = V
IH
中，f = 5MHz时，V
CC
= 5.5
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1.0mA
民
最大
10
10
55
2
0.4
单位
A
A
mA
mA
V
V
2.4
数据保持特性
-55°C
≤
T
A
≤
+125°C
特征
数据保持电源电压
数据保持电流
符号
V
DR
I
CCDR1
条件
CS ＃ = V
CC
-0.2V
V
CC
= 3V
民
2.0
典型值
150
最大
5.5
800*
单位
V
A
*低功耗的版本也可以。请致电工厂湖北信息。
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AC特性
V
CC
= 5.0V ， GND = 0V ， -55°C
≤
T
A
≤
+125°C
参数
读周期
读周期时间
地址访问时间
从地址变更输出保持
芯片选择访问时间
片选到输出中低Z
芯片禁用高Z输出
符号
t
RC
t
AA
t
OH
t
ACS
t
CLZ
1
t
CHZ
1
民
70
0
70
5
25
5
25
-70
最大
70
0
85
5
民
85
-85
最大
85
0
民
100
WS1M8-XCX
初步
-100
最大
100
100
25
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1.此参数由设计保证，但未经测试。
AC特性
V
CC
= 5.0V ， GND = 0V ， -55°C
≤
T
A
≤
+125°C
参数
写周期
写周期时间
片选写的结束
地址有效到写结束
数据有效到写结束
把脉冲宽度
地址建立时间
地址保持时间
输出写入结束活动
写使能到输出中高Z
数据保持时间
符号
t
WC
t
CW
t
AW
t
DW
t
WP
t
AS
t
AH
t
OW
1
t
WHZ
1
t
DH
民
70
60
60
30
50
0
5
5
0
-70
最大
民
85
75
75
30
50
0
5
5
0
-85
最大
民
100
80
80
40
60
0
5
5
0
-100
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
25
25
35
1.此参数由设计保证，但未经测试。
AC测试电路
AC测试条件
I
OL
电流源
D.U.T.
C
EFF
= 50 pF的
V
Z
1.5V
参数
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
输出时序参考电平
典型值
V
IL
= 0, V
IH
= 3.0
5
1.5
1.5
单位
V
ns
V
V
（双极性电源供电）
I
OH
电流源
注意事项：
V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
＆放大器;我
OH
可编程从0到16毫安。
测试仪阻抗Z0 = 75Ω 。
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
＆放大器;我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
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时序波形？读周期
t
RC
t
RC
地址
WS1M8-XCX
初步
地址
t
AA
t
AA
t
OH
CS ＃
t
ACS
数据有效
t
CHZ
数据I / O
以前的数据有效
t
CLZ
数据I / O
高阻抗
数据有效
读周期1 （ CS ＃ = V
IL
， WE＃ = V
IH
)
读周期2 （ WE＃ = V
IH
)
注： OE ＃内部连接到GND 。
写周期 - WE＃控制
t
WC
地址
t
AW
t
CW
CS ＃
t
AH
t
AS
WE＃
t
WP
t
OW
t
WHZ
t
DW
数据有效
t
DH
数据I / O
写周期1 ， WE ＃控制
写周期 - CS ＃控制
t
WC
地址
t
AS
CS ＃
t
AW
t
CW
t
AH
t
WP
WE＃
t
DW
数据I / O
数据有效
t
DH
写周期2 ， CS ＃控制
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WS1M8-XCX
初步
套餐300 ： 32引脚，陶瓷DIP封装，单腔侧钎焊
42.4 (1.670) ± 0.4 (0.016)
15.04 (0.592)
± 0.3 (0.012)
4.34 (0.171) ± 0.79 (0.031)
引脚1标识符
0.84 (0.033)
± 0.4 (0.014)
所有的线性尺寸为毫米，顺便为英寸
订购信息
W S 1M8 - XXX X X
铅表面处理：
空白=镀金引线
A =浸焊引线
设备等级：
M =军事屏蔽
I =工业
C =商用
-55 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
包装：
C = 0.600"陶瓷DIP （ 300包）
访问时间（纳秒）
组织，两家银行的512K ×8
SRAM
怀特电子设计CORP 。
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