产品speci fi cation
WPM3005
单P沟道, -30V , -4.1A ,功率MOSFET
V
DS
(V)
RDS(ON) ( )
0.057@ V
GS
=
-30
0.057@ V
GS
=
0.083@ V
GS
=
0.083@ V
GS
=
10.0V
10.0V
4.5V
4.5V
SOT-23-3L
说明
D
该WPM3005是P沟道增强的MOS
场
效果
晶体管。
用途
先进
TRENCH
(上)
3
技术和设计,提供优秀的研发
DS
低栅极电荷。此装置适用于在使用中
的DC-DC转换,电源开关和充电电路。
标准产品WPM3005是无铅的。
1
G
2
S
引脚配置(顶视图)
特点
3
沟槽技术
吃晚饭的高密度电池设计
出色的导通电阻较高的直流电流
非常低阈值电压
小型封装SOT- 23-3L
1
W35*
2
W35 =器件代码
*
=月( AZ )
记号
应用
订购信息
驱动继电器,电磁阀,电机, LED等。
设备
的DC-DC转换器电路
开关
负荷开关
充电
WPM3005-3/TR
包
航运
SOT - 23-3L 3000 / Reel&Tape
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sales@twtysemi.com
1第3
产品speci fi cation
WPM3005
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
a
最大功率耗散
a
连续漏电流
b
最大功率耗散
b
漏电流脉冲
c
工作结温
焊接温度
存储温度范围
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
符号
V
DS
V
GS
I
D
P
D
I
D
P
D
I
DM
T
J
T
L
T
英镑
-4.1
-3.3
1.4
0.9
-3.8
-3.0
1.2
0.8
-25
150
260
-55到150
10 S
稳定状态
-30
±20
单位
V
-3.4
-2.7
1.0
0.6
-3.2
-2.5
0.8
0.5
A
W
A
W
A
°C
°C
°C
热电阻额定值
参数
结至环境热阻
a
结至环境热阻
b
结到外壳热阻
t
t
10 s
10 s
稳定状态
稳定状态
稳定状态
符号
R
R
R
JA
典型
65
90
85
最大
85
125
100
140
60
单位
° C / W
JA
115
40
JC
a
b
c
d
表面安装在FR4板采用1平方英寸的焊盘尺寸, 1盎司镀铜
表面安装在FR4板采用最小焊盘尺寸, 1盎司镀铜
重复性等级,脉冲宽度有限的结温,叔
p
=为10μs ,占空比= 1 %
重复评级,脉冲宽度有限的结温度T
J
=150°C.
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