【产品speci fi cationWNM2034N沟道， 20V ， 3.6A ，功率MOSFETV】,IC型号WNM2034,WNM2034 PDF资料,WNM2034经销商,ic,电子元器件-51电子网

产品speci fi cation

WNM2034

N沟道， 20V ， 3.6A ，功率MOSFET

(V)

导通电阻（）

0.037 @ 10V

0.045 @ 4.5V

说明

该WNM2034是N沟道增强MOS

场效应晶体管。采用先进的沟槽技术

和设计提供优秀的研发

（上）

SOT-23

低门

费。此装置适用于在直流 - 直流用

转换和电源开关的应用。标准

产品WNM2034是无铅的。

特点

沟槽技术

吃晚饭的高密度电池设计

出色的导通电阻较高的直流电流

非常低阈值电压

小型封装SOT- 23

配置（顶视图）

W34*

W34

=器件代码

=月（ AZ ）

记号

应用

驱动继电器，电磁阀，电机， LED等。

订购信息

的DC-DC转换器电路

开关

负荷开关

设备

WNM2034-3/TR

包

SOT-23

航运

3000/Tape&Reel

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sales@twtysemi.com

1第3

产品speci fi cation

WNM2034

绝对最大额定值

TA = 25°C ，除非另有说明

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流（T

= 150 °C)

最大功率耗散

连续漏电流（T

= 150 °C)

符号

=25°C

=70°C

=25°C

=70°C

=25°C

=70°C

=25°C

=70°C

10 S

稳定状态

±12

单位

3.6

2.8

0.8

0.5

3.2

2.6

0.6

0.4

-55到150

3.3

2.6

0.7

0.4

2.4

0.5

0.3

最大功率耗散

漏电流脉冲

, T

英镑

°C

工作结存储温度范围

热电阻额定值

参数

结至环境热阻

结到外壳热阻

10 s

稳定状态

10 s

符号

典型

125

140

150

最大

150

175

180

210

单位

稳定状态

° C / W

165

表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸， 1盎司铜。

表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸， 1盎司铜。

重复性等级，脉冲宽度有限的结温，叔

=为10μs ，占空比= 1 ％

重复评级，脉冲宽度有限的结温度T

J（下最大）

=150°C.

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2 3

产品speci fi cation

电子特性

（ TA = 25 ℃，除非另有说明）

WNM2034

参数

开关特性

漏极至源极击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

基本特征

栅极阈值电压

漏极 - 源极导通电阻

正向跨导

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

DSS

GSS

= 0 V，I

= 250uA

=16 V, V

= 0V

= 0 V, V

= ±12V

±100

GS （ TH）

DS （ ON）

= V

, I

= 250uA

= 10V ，我

= 3.6A

= 4.5V ，我

= 3.0A

= 5 V，I

= 3.6A

1.0

1.5

5.3

2.0

收费，电容和栅极电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

阈值的栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极电荷

开关特性

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

TD （上）

TD （关闭）

= 10 V, V

= 10 V,

, R

4.4

3.2

24.5

3.2

国际空间站

OSS

RSS

G（ TOT ）

G（ TH ）

= 10 V, V

= 10 V,

= 3.1A

= 0 V ， F = 1.0 MHz时，

= 10 V

505

11.4

0.90

1.18

2.1

源极到漏极二极管的特性

正向电压

= 0 V，I

= 1.5A

0.80

0.95

1.50

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3 3

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