【产品speci fi cationWNM2025单N沟道， 20V ， 3.9 A，功率MOSFET】,IC型号WNM2025,WNM2025 PDF资料,WNM2025经销商,ic,电子元器件-51电子网

产品speci fi cation

WNM2025

单N沟道， 20V ， 3.9 A，功率MOSFET

(V)

RDS（ON）（ Ω ）

0.027@ V

=4.5V

0.031@ V

=2.5V

0.036@ V

=1.8V

SOT-23-3L

说明

该WNM2025是N沟道增强MOS

场

效果

晶体管。

用途

先进

TRENCH

（上）

技术和设计，提供优秀的研发

低栅极电荷。此装置适用于在使用中

的DC-DC转换，电源开关和充电电路。

标准产品WNM2025是无铅的。

引脚配置（顶视图）

特点

沟槽技术

吃晚饭的高密度电池设计

W25*

出色的导通电阻较高的直流电流

非常低阈值电压

小型封装SOT- 23-3L

记号

W25 =器件代码

=月（ AZ ）

应用

驱动继电器，电磁阀，电机， LED等。

的DC-DC转换器电路

开关

负荷开关

充电

设备

订购信息

包

SOT-23-3L

航运

3000/Reel&Tape

WNM2025-3/TR

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1第3

产品speci fi cation

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

最大功率耗散

连续漏电流

最大功率耗散

漏电流脉冲

工作结温

焊接温度

存储温度范围

=25°C

=70°C

=25°C

=70°C

=25°C

=70°C

=25°C

=70°C

符号

英镑

3.9

3.1

0.8

0.5

3.6

2.8

0.7

0.4

150

260

-55到150

WNM2025

10 S

稳定状态

单位

±8

3.6

2.9

0.7

0.4

3.3

2.6

0.6

0.3

°C

热电阻额定值

参数

结至环境热阻

结到外壳热阻

≤

10 s

稳定状态

≤

10 s

稳定状态

符号

θJA

θJC

典型

120

132

145

158

最大

145

168

174

202

单位

° C / W

表面安装在FR4板采用1平方英寸的焊盘尺寸， 1盎司镀铜

表面安装在FR4板采用最小焊盘尺寸， 1盎司镀铜

重复性等级，脉冲宽度有限的结温，叔

=为10μs ，占空比= 1 ％

重复评级，脉冲宽度有限的结温度T

=150°C.

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2 3

产品speci fi cation

WNM2025

电子特性

(Ta=25

C，除非另有说明）

参数

开关特性

漏极至源极击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

基本特征

栅极阈值电压

漏极 - 源极导通电阻

GS （ TH）

DS （ ON）

= V

, I

= 250uA

= 4.5V ，我

= 3.6A

= -2.5V ，我

=2.8A

= 1.8V ，我

= 2.0A

正向跨导

= 5 V，I

3.6

0.40

0.62

1.00

DSS

GSS

= 0 V，I

= 250uA

=16 V, V

= 0V

= 0 V, V

=±8V

±100

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

收费，电容和栅极电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

阈值的栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极电荷

开关特性

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体二极管的特性

正向电压

= 0 V，I

= 1.5A

0.5

0.62

1.5

TD （上）

TD （关闭）

= 4.5 V, V

= 6 V,

=2.0A

, R

6.5

11.5

国际空间站

OSS

RSS

G（ TOT ）

G（ TH ）

=4.5 V, V

=10 V,

3.6

= 0 V ， F = 1.0兆赫，V

10 V

1025

125

120

12.1

0.66

1.0

3.3

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3 3

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