怀特电子设计
512Kx8单片SRAM
特点
访问时间70 ， 85 ， 100 ，为120ns
MIL -STD- 883标准的设备可用
低电压操作
进化，角电源/接地引脚JEDEC
批准
32引脚陶瓷DIP （ 300包）
32引线陶瓷SOJ （ 101包）
商用，工业和军用温度
范围
低功耗CMOS
低电压操作
?? 3.3V ± 10 ％电源
低功耗数据保持
TTL兼容的输入和输出
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
WMS512K8V-XCX
高级*
进化引脚
32 DIP
32 CSOJ （ DE ）
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
A17
WE＃
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CS ＃
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
*本产品正在开发中，是不是对外贸易资质网络编辑或特点，并须
更改或取消，恕不另行通知。
引脚说明
A0-18
I/O0-7
CS ＃
OE ＃
WE＃
V
CC
GND
地址输入
数据输入/输出
芯片选择
OUTPUT ENABLE
写使能
+ 3.3V电源
地
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绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
信号电压相对于GND
结温
电源电压
符号
T
A
T
英镑
V
G
T
J
V
CC
民
-55
-65
-0.5
-0.5
最大
+125
+150
V
CC
+0.5
150
7.0
单位
°C
°C
V
°C
V
CS ＃
H
L
L
L
OE ＃
X
L
X
H
WE＃
X
H
L
H
WMS512K8V-XCX
高级*
真值表
模式
待机
读
写
输出禁用
数据I / O
高Z
数据输出
DATA IN
高Z
动力
待机
活跃
活跃
活跃
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度。 （米尔）
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
民
3.0
2.2
-0.3
-55
最大
3.6
V
CC
+ 0.3
+0.8
+125
单位
V
V
V
°C
参数
输入电容
输出电容
电容
T
A
= +25°C
符号条件
V
IN
= 0V ， F = 1.0MHz的
C
IN
C
OUT
V
OUT
= 0V ， F = 1.0MHz的
最大
12
12
单位
pF
pF
此参数由设计保证，但未经测试。
DC特性
V
CC
= 3.3V ， GND = 0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
待机电流
输出低电压
输出高电压
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
SB
V
OL
V
OH
条件
V
CC
= 3.6, V
IN
= GND到V
CC
CS ＃ = V
IH
， OE ＃ = V
IH
, V
OUT
= GND到V
CC
CS ＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
中，f = 5MHz时，V
CC
= 3.6
CS ＃ = V
IH
， OE ＃ = V
IH
中，f = 5MHz时，V
CC
= 3.6
I
OL
= 2.1毫安，V
CC
= 3.0
I
OH
= -1.0mA ，V
CC
= 3.0
民
最大
10
10
25
400
0.4
单位
A
A
mA
A
V
V
2.4
注： DC测试条件： V
IH
= V
CC
-0.3V, V
IL
= 0.3V
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AC特性
V
CC
= 3.3V ， GND = 0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
读周期
读周期时间
地址访问时间
从地址变更输出保持
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出中低Z
输出使能到输出中低Z
芯片禁用高Z输出
输出禁止到输出中高Z
1.此参数由设计保证，但未经测试。
WMS512K8V-XCX
高级*
符号
t
RC
t
AA
t
OH
t
ACS
t
OE
t
CLZ
1
t
OLZ
1
t
CHZ
1
t
OHZ
1
-70
民
70
5
70
35
10
5
25
25
10
5
最大
70
5
民
85
-85
最大
85
5
85
40
10
5
25
25
民
100
-100
最大
100
5
100
50
10
5
35
35
民
120
-120
最大
120
120
60
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
35
35
AC特性
V
CC
= 3.3V ， GND = 0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
写周期
写周期时间
片选写的结束
地址有效到写结束
数据有效到写结束
把脉冲宽度
地址建立时间
地址保持时间
输出写入结束活动
写使能到输出中高Z
从时间写数据保持
1.此参数由设计保证，但未经测试。
符号
t
WC
t
CW
t
AW
t
DW
t
WP
t
AS
t
AH
t
OW
1
t
WHZ
1
t
DH
-70
民
70
60
60
30
50
0
5
5
0
最大
民
85
75
75
35
50
0
5
5
0
-85
最大
民
100
80
80
40
60
0
5
5
0
-100
最大
民
120
100
100
40
60
0
5
5
0
-120
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
25
25
35
35
AC测试电路
I
OL
电流源
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
输出时序参考电平
典型值
V
IL
= 0, V
IH
= 3.0
5
1.5
1.5
单位
V
ns
V
V
D.U.T.
C
EFF
= 50 pF的
V
Z
≈
1.5V
（双极性电源
I
OH
电流源
注意事项：
VZ的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
＆放大器;我
OH
可编程从0到16毫安。
测试仪阻抗Z0 = 75 Ω 。
Vz的典型Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
＆放大器;我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
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时序波形 - 读周期
WMS512K8V-XCX
高级*
t
RC
地址
t
RC
地址
t
AA
CS ＃
t
AA
t
OH
OE ＃
数据I / O
以前的数据有效
数据有效
t
ACS
t
CLZ
t
CHZ
t
OE
t
OLZ
数据I / O
高阻抗
读周期2 （ WE＃ = V
IH
)
t
OHZ
数据有效
读周期1 （ CS ＃ = OE ＃ = V
IL
， WE＃ = V
IH
)
写周期 - WE＃控制
t
WC
地址
t
AW
t
CW
CS ＃
t
AH
t
AS
WE＃
t
WP
t
OW
t
WHZ
t
DW
t
DH
数据I / O
数据有效
写周期1 ， WE ＃控制
写周期 - CS ＃控制
t
WC
地址
t
AW
t
AS
CS ＃
t
CW
t
AH
t
WP
WE＃
t
DW
t
DH
数据I / O
数据有效
写周期2 ， CS ＃控制
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套餐101 ： 32领先，陶瓷SOJ
WMS512K8V-XCX
高级*
21.1 (0.830) ± 0.25 (0.010)
0.2 (0.008)
± 0.05 (0.002)
3.96 （ 0.156 ） MAX
0.89 (0.035)
半径TYP
11.3 (0.446)
± 0.2 (0.009)
9.55 (0.376) ± 0.25 (0.010)
1.27 (0.050) ± 0.25 (0.010)
引脚1标识符
1.27 （ 0.050 ） TYP
19.1 （ 0.750 ） TYP
所有的线性尺寸为毫米，顺便为英寸
套餐300 ： 32引脚，陶瓷DIP封装，单腔侧钎焊
42.8 （ 1.686 ） MAX
5.13 （ 0.202 ） MAX
引脚1标识符
3.2 （ 0.125 ）， MIN
0.99 (0.039)
±
0.51 (0.020)
2.5 (0.100)
典型值
1.27 (0.050)
±
0.1 (0.005)
0.46 (0.018)
±
0.05 (0.002)
0.25 (0.010)
±
0.05 (0.002)
15.25 (0.600)
±
0.25 (0.010)
所有的线性尺寸为毫米，顺便为英寸
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