WMF128K8-XXX5
HI-可靠性产品
128Kx8单片闪存， SMD 5962-96690
特点
s
50 *， 60 ，70， 90 ，120， 150ns的访问时间
s
包装
32领先，全封闭陶瓷， 0.400 ＆ QUOT ; SOJ （ 101包）
32引脚密封陶瓷， 0.600 ＆ QUOT ; DIP （ 300包）
32引线，扁平（ 220包）
32引线，形成扁平封装（封装221 ）
32针，矩形陶瓷无引线芯片载体
（ 601包）
s
10万次擦除/编程最低
s
扇区擦除架构
8个大小相等的每个16K字节的扇区
行业的任何组合可以同时
删除。还支持整片擦除
s
组织为128Kx8
s
商用，工业和军用温度范围
s
5伏编程。 5V
±
10％的供应。
s
低功耗CMOS
s
嵌入式擦除和编程算法
s
TTL兼容输入和CMOS输出
s
页编程操作和内部控制程序的时间。
注意：对于编程的信息，请参阅闪存编程1M5
应用笔记。
*为50ns的存取时间是在工业和商业用
只有温度范围。
引脚CON组fi guration对于WMF128K8 ， XXX5
32 DIP
32 CSOJ
32 FLATPACK
引脚CON组fi guration对于WMF128K8 ， XCLX5
32 CLCC
顶视图
A12
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
V
SS
顶视图
A15
A16
V
CC
WE
NC
V
CC
WE
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CS
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
4 3 2 1 32 31 30
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I / O
0
5
29
6
28
7
27
8
26
9
25
10
24
11
23
12
22
13
21
14 15 16 17 18 19 20
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CS
I/O7
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
引脚说明
A
0
-
16
I / O
0-7
CS
OE
WE
V
CC
V
SS
地址输入
数据输入/输出
芯片选择
OUTPUT ENABLE
写使能
+ 5.0V电源
地
2000年6月第4版
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
I/O6
V
SS
NC
WMF128K8-XXX5
绝对最大额定值（ 1 ）
参数
工作温度
电源电压范围（V
CC
)
信号的电压范围（除A9的任何引脚）（2）
存储温度范围
引线温度（焊接， 10秒）
数据保留军用温度
耐力（写入/擦除周期）军用温度
A
9
电压保护部门（V
ID
) (3)
-55到+125
-2.0到+7.0
-2.0到+7.0
-65到+150
+300
10
万民。
-2.0至14.0
单位
°C
V
V
°C
°C
岁月
周期
V
参数
地址输入电容
输出使能容
写使能电容
片选电容
数据I / O容量
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度。 （米尔）
工作温度。 （印第安纳州）
A
9
电压部门保护
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
T
A
V
ID
民
4.5
2.0
-0.5
-55
-40
11.5
最大
5.5
V
CC
+ 0.3
+0.8
+125
+85
12.5
单位
V
V
V
°C
°C
V
电容
(T
A
= +25°C)
符号
C
AD
C
OE
C
WE
C
CS
C
I / O
条件
V
I / O
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
I / O
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
最大单位
15
15
15
15
15
pF
pF
pF
pF
pF
注意事项：
1.强调以上的绝对最大额定值可能会造成永久性的损害
到设备。在最高级别扩展操作可能会降低
性能和可靠性的影响。
输入或I / O引脚2.最小直流电压为-0.5V 。期间的电压转换，
输入可能会过冲V
SS
至-2.0 V最高为20ns的周期。最大直流
电压输出和I / O引脚为V
CC
+ 0.5V 。期间的电压转换，
输出可能会过冲至Vcc + 2.0V，最高为20ns的周期。
3. A最小DC输入电压
9
引脚为-0.5V 。在电压转换，A
9
五月
Vss的过冲至-2V最高为20ns的时间。上的最大直流输入电压
9
是+ 13.5V这可能会过冲至14.0 V的时间高达20ns的。
此参数由设计保证，但未经测试。
直流特性 - CMOS兼容
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电流为读（ 1 ）
V
CC
工作电流为计划
或擦除（ 2 ）
V
CC
待机电流
输出低电压
输出高电压
输出高电压
低V
CC
锁定电压
符号
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
CC3
V
OL
V
OH1
V
OH2
V
LKO
条件
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
CS = V
IL
， OE = V
IH
CS = V
IL
， OE = V
IH
V
CC
= 5.5 ， CS = V
IH
中，f = 5MHz时，
I
OL
= 8.0毫安，V
CC
= 4.5
I
OH
= -2.5毫安，V
CC
= 4.5
I
OH
= -100
A,
V
CC
= 4.5
0.85× V
CC
V
CC
- 0.4
3.2
民
最大
10
10
35
50
1.6
0.45
单位
A
A
mA
mA
mA
V
V
V
V
注意事项：
1.我
CC
目前上市的包括直流工作电流和（在5 MHz ）的频率依赖分量。
的频率分量通常是小于2mA /兆赫，使用OE在V
IH
.
2. I
CC
积极而嵌入算法（编程或擦除）正在进行中。
3.直流测试条件： V
IL
= 0.3V, V
IH
= V
CC
- 0.3V
AC测试电路
I
OL
电流源
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
输出时序参考电平
典型值
V
IL
= 0, V
IH
= 3.0
5
1.5
1.5
单位
V
ns
V
V
D.U.T.
C
EFF
= 50 pF的
V
Z
≈
1.5V
（双极性电源供电）
I
OH
电流源
注意事项：
V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
＆放大器;我
OH
可编程从0到16毫安。
测试仪抗Z
0
= 75
.
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
＆放大器;我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
2
WMF128K8-XXX5
AC特征 - 写/擦除/编程操作，我们控制
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
符号
民
写周期时间
片选建立时间
写使能脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
芯片选择保持时间
写使能脉冲宽度高
t
AVAV
t
ELWL
t
WLWH
t
AVWL
t
DVWH
t
WHDX
t
WLAX
t
WHEH
t
WHWL
t
WC
t
CS
t
WP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
CH
t
WPH
50
0
25
0
25
0
40
0
20
14
2.2
0
t
VCS
50
12.5
t
OES
t
OEH
0
10
0
10
60
-50
最大
民
60
0
30
0
30
0
45
0
20
14
2.2
0
50
12.5
0
10
60
-60
最大
-70
民
70
0
35
0
30
0
45
0
20
14
2.2
0
50
12.5
0
10
60
最大
-90
民
90
0
45
0
45
0
45
0
20
14
2.2
0
50
12.5
0
10
60
最大
-120
民
120
0
50
0
50
0
50
0
20
14
2.2
0
50
12.5
0
10
60
最大
-150
民
150
0
50
0
50
0
50
0
20
14
2.2
0
50
12.5
60
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
美国证券交易委员会
ns
s
美国证券交易委员会
ns
ns
单位
的字节编程操作（分钟）T时间
WHWH1
扇区擦除时间
阅读恢复时间之前写
V
CC
建立时间
芯片编程时间
输出使能设置时间
输出使能保持时间（ 1 ）
1.对于切换和数据查询。
t
WHWH2
t
GHWL
交流特性 - 只读操作
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
OE到输出有效
芯片选择到输出高Z（ 1 ）
OE高到输出高Z（ 1 ）
从报告中， CS或OE变化输出保持，
取其科幻RST
1.由设计保证，未经测试。
符号
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ
t
GHQZ
t
AXQX
t
RC
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
t
DF
t
OH
0
50
50
50
25
20
20
0
-50
民
最大
60
60
60
30
20
20
0
-60
民
最大
70
70
70
35
20
20
0
-70
民
最大
90
90
90
40
25
25
0
-90
民
最大
-120
民
120
120
120
50
30
30
0
最大
-150
民
150
150
150
55
35
35
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
3
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
WMF128K8-XXX5
交流特性 - 写/擦除/编程操作， CS控
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
写周期时间
我们建立时间
CS脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
我们从所持有高
CS脉冲宽度高
编程操作的持续时间
擦除操作的时间
先读后写恢复
芯片编程时间
符号
t
AVAV
t
WLEL
t
ELEH
t
AVEL
t
DVEH
t
EHDX
t
ELAX
t
EHWH
t
EHEL
t
WHWH1
t
WHWH2
t
GHEL
t
WC
t
WS
t
CP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
WH
t
CPH
50
0
25
0
25
0
40
0
20
14
2.2
0
12.5
60
-50
民
最大
60
0
30
0
30
0
45
0
20
14
2.2
0
12.5
60
-60
民
最大
70
0
35
0
30
0
45
0
20
14
2.2
0
12.5
60
-70
民
最大
民
90
0
45
0
45
0
45
0
20
14
2.2
0
12.5
60
-90
最大
-120
民
120
0
50
0
50
0
50
0
20
14
2.2
0
12.5
60
最大
-150
民
150
0
50
0
50
0
50
0
20
14
2.2
0
12.5
60
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
美国证券交易委员会
ns
美国证券交易委员会
单位
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
4
WMF128K8-XXX5
AC波形进行读操作
t
DF
t
OH
地址稳定
t
RC
t
OE
t
加
t
CE
WE
OE
地址
5
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
输出
CS
高Z
输出有效
高Z
怀特电子设计
WMF128K8-XXX5
128Kx8单片闪存， SMD 5962-96690
特点
50 *， 60 ，70， 90 ，120， 150ns的访问时间
包装
32领先，全封闭陶瓷， 0.400" SOJ （包
101)
32引脚密封陶瓷， 0.600" DIP （包
300)
32引线，扁平（ 220包）
32引线，形成扁平封装（封装221 ）
?? 32针，矩形陶瓷无引线芯片
载体（套餐601 ）
10万次擦除/编程最低
扇区擦除架构
8个大小相等的每个16K字节的扇区
行业的任何组合可以同时
删除。还支持整片擦除
组织为128Kx8
商用，工业和军用温度
范围
5伏编程。 5V ±10 ％电源。
低功耗CMOS
嵌入式擦除和编程算法
TTL兼容输入和CMOS输出
页编程操作和内部程序
控制时间。
本产品如有更改，恕不另行通知。
注意：对于编程的信息，请参阅闪存编程1M5应用笔记。
*为50ns的存取时间是在工业和商业温度范围
只。
引脚CON组fi guration对于WMF128K8 ， XXX5
32 DIP
32 CSOJ
32 FLATPACK
引脚CON组fi guration对于WMF128K8 ， XCLX5
32 CLCC
顶视图
A12
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
V
SS
顶视图
WE＃
A15
A16
V
CC
NC
V
CC
WE＃
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CS ＃
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
引脚说明
A0-16
I/O0-7
CS ＃
OE ＃
WE＃
V
CC
V
SS
地址输入
数据输入/输出
芯片选择
OUTPUT ENABLE
写使能
+ 5.0V电源
地
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2001年4月
启5
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
I/O6
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
4 3 2 1 32 31 30
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
5
29
6
28
7
27
8
26
9
25
10
24
11
23
12
22
13
21
14 15 16 17 18 19 20
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CS ＃
I/O7
NC
怀特电子设计
绝对最大额定值（ 1 ）
参数
工作温度
电源电压（V
CC
)
信号的电压范围（除A9的任何引脚）（2）
存储温度范围
引线温度（焊接， 10秒）
数据保留军用温度
耐力（写入/擦除周期） （军用温度）
A9电压保护部门（V
ID
) (3)
-55到+125
-2.0到+7.0
-2.0到+7.0
-65到+150
+300
10
万分钟
-2.0至14.0
单位
°C
V
V
°C
°C
岁月
周期
V
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度。 （米尔）
工作温度。 （印第安纳州）
A9电压部门保护
WMF128K8-XXX5
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
T
A
V
ID
民
4.5
2.0
-0.5
-55
-40
11.5
最大
5.5
V
CC
+ 0.5
+0.8
+125
+85
12.5
单位
V
V
V
°C
°C
V
注意事项：
1.强调以上的绝对最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。延长运行在最高水平可能会降低性能，
影响可靠性。
输入或I / O引脚2.最小直流电压为-0.5V 。在电压转换，输入
可能会过冲V
SS
至-2.0 V最高为20ns的周期。在最大直流电压
输出I / O引脚为V
CC
+ 0.5V 。在电压转换，输出可能会过冲
到Vcc + 2.0V，最高为20ns的周期。
3. A9引脚上的最小直流输入电压为-0.5V 。期间的电压转换， A9可
Vss的过冲至-2V最高为20ns的时间。在A9最大直流输入电压
+ 13.5V这可能会过冲至14.0 V的时间最多为20ns 。
电容
T
A
= +25°C
参数
地址输入电容
输出使能容
写使能电容
片选电容
数据I / O容量
符号
C
AD
C
OE
C
WE
C
CS
C
I / O
条件
最大单位
V
I / O
= 0 V ， F = 1.0 MHz的15 pF的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的15 pF的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的15 pF的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的15 pF的
V
I / O
= 0 V ， F = 1.0 MHz的15 pF的
此参数由设计保证，但未经测试。
直流特性 - CMOS兼容
V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电流为读（ 1 ）
V
CC
有源电流的编程或擦除（ 2 ）
V
CC
待机电流
输出低电压
输出高电压
输出高电压
低V
CC
锁定电压
符号
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
CC3
V
OL
V
OH1
V
OH2
V
LKO
条件
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
CS ＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
CS ＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
V
CC
= 5.5 ， CS ＃ = V
IH
中，f = 5MHz时，
I
OL
= 8.0毫安，V
CC
= 4.5
I
OH
= -2.5毫安，V
CC
= 4.5
I
OH
= -100 μA ，V
CC
= 4.5
民
最大
10
10
35
50
1.6
0.45
单位
A
A
mA
mA
mA
V
V
V
V
0.85× V
CC
V
CC
- 0.4
3.2
注意事项：
1.我
CC
目前上市的包括直流工作电流和（在5 MHz ）的频率依赖分量。
的频率分量通常是小于2mA /兆赫，使用OE ＃在V
IH
.
2. I
CC
积极而嵌入算法（编程或擦除）正在进行中。
3.直流测试条件： V
IL
= 0.3V, V
IH
= V
CC
- 0.3V
AC测试电路
I
OL
电流源
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
输出时序参考电平
典型值
VIL = 0 ， VIH = 3.0
5
1.5
1.5
单位
V
ns
V
V
D.U.T.
C
EFF
= 50 pF的
V
Z
1.5V
（双极性电源供电）
I
OH
电流源
注意事项：
V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
＆放大器;我
OH
可编程从0到16毫安。
测试仪阻抗Z0 = 75 Ω 。
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
＆放大器;我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2001年4月
启5
2
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
写周期时间
片选建立时间
写使能脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
芯片选择保持时间
写使能脉冲宽度高
的字节编程操作时间（min ）
扇区擦除时间
阅读恢复时间之前写
V
CC
建立时间
芯片编程时间
输出使能设置时间
输出使能保持时间（ 1 ）
注意事项：
1.对于切换和数据＃投票。
WMF128K8-XXX5
交流特性 - 写/擦除/编程操作， WE＃控制
符号
t
AVAV
t
WC
t
ELWL
t
CS
t
WLWH
t
WP
t
AVWH
t
AS
t
DVWH
t
DS
t
WHDX
t
DH
t
WHAX
t
AH
t
WHEH
t
CH
t
WHWL
t
WPH
t
WHWH1
t
WHWH2
t
GHWL
t
VCS
t
OES
t
OEH
-50
民
50
0
25
0
25
0
40
0
20
14
2.2
0
50
0
10
最大
民
60
0
30
0
30
0
45
0
20
14
2.2
0
50
0
10
-60
最大
民
70
0
35
0
30
0
45
0
20
14
2.2
0
50
0
10
-70
最大
民
90
0
45
0
45
0
45
0
20
14
2.2
0
50
0
10
-90
最大
-120
民
120
0
50
0
50
0
50
0
20
14
2.2
0
50
0
10
最大
-150
民
150
0
50
0
50
0
50
0
20
14
2.2
0
50
0
10
最大
单位
60
60
60
60
60
12.5
12.5
12.5
12.5
12.5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
60秒
ms
s
12.5秒
ns
ns
交流特性 - 只读操作
V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
OE ＃到输出有效
芯片选择到输出高Z（ 1 ）
OE ＃高到输出高Z（ 1 ）
从报告中， CS ＃或OE ＃输出保持
变化，无论是科幻RST
注意事项：
1.设计保证，但未经测试
符号
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ
t
GHQZ
t
AXQX
t
RC
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
t
DF
t
OH
-50
民
50
最大
50
50
25
20
20
0
-60
民
60
最大
60
60
30
20
20
0
-70
民
70
最大
70
70
35
20
20
0
-90
民
90
最大
90
90
40
25
25
0
-120
民
120
最大
120
120
50
30
30
0
-150
民
150
最大
150
150
55
35
35
0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2001年4月
启5
3
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
写周期时间
WE＃建立时间
CS ＃脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
WE＃从WE＃保持高
CS ＃脉冲宽高
编程操作的持续时间
擦除操作的时间
先读后写恢复
芯片编程时间
WMF128K8-XXX5
交流特性 - 写/擦除/编程操作， CS ＃控制
符号
t
AVAV
t
WLEL
t
ELEH
t
AVEL
t
DVEH
t
EHDX
t
ELAX
t
EHWH
t
EHEL
t
WHWH1
t
WHWH2
t
GHEL
t
WC
t
WS
t
CP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
WH
t
CPH
-50
民
50
0
25
0
25
0
40
0
20
14
2.2
0
12.5
60
-60
最大
民
60
0
30
0
30
0
45
0
20
14
2.2
0
12.5
60
-70
最大
民
70
0
35
0
30
0
45
0
20
14
2.2
0
12.5
60
-90
最大
民
90
0
45
0
45
0
45
0
20
14
2.2
0
12.5
60
-120
最大
民
120
0
50
0
50
0
50
0
20
14
2.2
0
12.5
60
-150
民
150
0
50
0
50
0
50
0
20
14
2.2
0
12.5
60
最大
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
美国证券交易委员会
ns
美国证券交易委员会
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2001年4月
启5
4
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
AC波形进行读操作
WMF128K8-XXX5
t
DF
t
OH
地址稳定
t
RC
t
OE
t
加
t
CE
CS ＃
地址
WE＃
OE ＃
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2001年4月
启5
5
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
输出
高Z
输出有效
高Z
QQ：2880707522 复制
