怀特电子设计
WME128K8-XXX
128Kx8 CMOS单片EEPROM ， SMD 5962-96796
特点
读访问时间120 ， 140 ，150， 200 ，250，
300ns
JEDEC批准套餐
?? 32针，全封闭陶瓷， 0.600 ＆ QUOT ; DIP
（ 300包）
?? 32铅，密封陶瓷， 0.400 ＆ QUOT ; SOJ
（ 101包）
商用，工业和军用温度
范围
MIL -STD- 883标准的设备可用
擦写次数10,000次
在25℃下数据保存10年
低功耗CMOS操作
自动页写操作
- 内部地址和数据锁存为128字节
内部控制定时器
页写周期时间10ms最大。
数据轮询写入检测结束
硬件和软件数据保护
TTL兼容的输入和输出
本产品如有更改，恕不另行通知。
图1 -
引脚CON组fi guration
32 DIP
32 CSOJ
顶视图
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
V
SS
引脚说明
A0-16
I/O0-7
CS ＃
OE ＃
WE＃
V
CC
V
SS
地址输入
数据输入/输出
芯片选择
OUTPUT ENABLE
写使能
+ 5.0V电源
地
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
WE＃
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CS ＃
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
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绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
信号电压相对于GND
在OE ＃和A9电压
符号
T
A
T
英镑
V
G
-55到+125
-65到+150
-0.6至+ 6.25
-0.6至13.5
单位
°C
°C
V
V
CS ＃
H
L
L
X
X
X
OE ＃
X
L
H
H
X
L
WE＃
X
H
L
X
H
X
WME128K8-XXX
真值表
模式
待机
读
写
输出禁用
写
抑制
数据I / O
高Z
数据输出
DATA IN
高Z /数据输出
注意：
超出上述"Absolute最大Ratings"可能会导致永久性的
损坏设备。这是一个压力等级的设备只有和功能操作
在这些或任何上述其他条件的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
电容
T
A
= +25°C
参数
输入电容
输出电容
符号
C
IN
C
OUT
条件
V
IN
= 0 V ， F = 1mHz的
V
I / O
= 0 V ， F = 1mHz的
最大单位
20 pF的
20 pF的
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度。 （米尔）
工作温度。 （印第安纳州）
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
T
A
民
4.5
2.0
-0.5
-55
-40
最大
5.5
V
CC
+ 0.3
+0.8
+125
+85
单位
V
V
V
°C
°C
此参数由设计保证，但未经测试。
DC特性
V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
待机电流
输出低电压
输出高电压
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
SB
V
OL
V
OH
条件
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
CS ＃ = V
IH
， OE ＃ = V
IH
, V
OUT
= GND到V
CC
CS ＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
中，f = 5MHz时，V
CC
= 5.5
CS ＃ = V
IH
， OE ＃ = V
IH
中，f = 5MHz时，V
CC
= 5.5
I
OL
= 2.1毫安，V
CC
= 4.5V
I
OH
= -400μA ，V
CC
= 4.5V
民
最大
10
10
80
0.625
0.45
单位
A
A
mA
mA
V
V
2.4
注： DC测试条件： V
IH
= V
CC
-0.3V, V
IL
= 0.3V
图2 -
AC测试电路
电流源
AC测试条件
IOL
D.U.T
CEFF = 50 PF
VZ = 1.5V
~
双极性电源
参数
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
输出时序参考电平
典型值
V
IL
= 0, V
IH
= 3.0
5
1.5
1.5
单位
V
ns
V
V
电流源
IOH
注： V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
＆放大器;我
OH
可编程从0到16毫安。
测试仪阻抗Z0 = 75Ω 。
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
＆放大器;我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
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读
图3示出了读周期的波形。一个读周期开始
与选择地址，片选和输出使能。芯片
选择是通过将CS ＃线为低来完成。产量
能是通过将OE ＃线为低完成。内存
通过I / O7后放置在I / O0所选择的数据字节
访问时间。存储器的输出被放置在一个
后高阻抗状态短期内无论是OE ＃线或
CS＃线被返回到一个较高的水平。
WME128K8-XXX
图3 - 读取波形
t
RC
地址
地址有效
CS ＃
t
ACS
OE ＃
t
加
产量
高Z
t
OE
t
DF
t
OH
产量
有效
注意：
OE ＃可能会延迟到t
ACS
- t
OE
的CS ＃下降沿后
没有对T的影响
OE
或用t
加
- t
OE
地址更改，恕不对T的影响后，
加
.
AC阅读特点
（参见图3）
V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
读周期参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
从地址变化， OE ＃或CS ＃输出保持
输出使能到输出有效
片选或OE ＃为高Z输出
符号
t
RC
t
加
t
ACS
t
OH
t
OE
t
DF
-120
民
120
最大
120
120
0
0
50
60
0
0
-140
民
140
最大
140
140
55
70
0
0
-150
民
150
最大
150
150
55
70
0
0
-200
民
200
最大
200
200
55
70
0
0
-250
民
250
最大
250
250
85
70
0
0
-300
民
300
最大
300
300
85
70
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
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写
写操作开始时两者CS ＃和WE ＃
低， OE＃为高。该EEPROM器件支持
既是CS ＃和WE ＃控制的写周期。的地址是
由任CS＃或WE ＃的下降沿，锁存为准
去年发生。
该数据由上升沿内部锁存任
CS ＃或WE ＃ ，先到为准科幻RST 。字节写操作
会自动继续完成。
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写周期时序
图4和图5示出了在写周期的时序关系。
写周期开始地址的应用程序，写使能
和片选。片选是通过将完成
在CS ＃线为低。写使能由设置在WE ＃的
线为低。写周期开始时的最后一个或者CS ＃的
或WE ＃变低。
从高分到低分的WE ＃线的过渡也将启动
内部150μsec延时定时器，允许页面模式
操作。从高分到每个后续WE＃转型
在完成的150μsec时间之前发生的低
出将重新启动定时器从零。的操作
计时器是一样的可再触发单稳态电路。
AC写特性
V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
128Kx8
参数
写周期时间， TYP = 6ms的
地址建立时间
把脉冲宽度（ WE＃或CS ＃ ）
片选建立时间
地址保持时间
数据保持时间
芯片选择保持时间
数据建立时间
输出使能建立时间
输出使能保持时间
写脉冲宽高
符号
民
t
WC
t
AS
t
WP
t
CS
t
AH
t
DH
t
CH
t
DS
t
OES
t
OEH
t
WPH
10
100
0
100
10
0
50
0
0
50
最大
10
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
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图4 - 写波形WE＃控制
t
WC
OE ＃
t
OES
地址
t
AS
CS ＃
t
CS
WE
#
t
WP
t
DS
DATA IN
t
WPH
t
DH
t
AH
t
CSH
t
OEH
图5 - 写波形CS ＃控制
t
WC
OE ＃
t
OES
地址
t
AS
WE
#
t
CS
CS
#
t
WP
t
DS
DATA IN
t
WPH
t
DH
t
AH
t
CSH
t
OEH
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