WFU5N50
5N50
硅N沟道MOSFET
LIC
特点
■ 5A ， 500V ， RDS （ ON） （ Max1.6Ω ） @ VGS = 10V
■超低栅极电荷（典型值32nC ）
快速开关能力
■ 100 ％雪崩测试
■最大结温范围（ 150 ℃ ）
概述
次是电力MO SFET是亲杜CED USI NG赢得é英里的广告车土木工程署
玻璃体条纹， DMOS技术。这一最新技术已
尤其是旨在最大限度地减少通态电阻，具有较高的
吕格雪崩甜心克拉呃istics 。该设备是SPE cially好
适用于高效率开关模式电源，功率因数
校正和半桥和全桥谐振拓扑线
电子镇流器。
IPAK
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
连续漏电流（ @ T = 100 ℃ ）
I
DM
V
GS
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
减额在25℃以上因素
T
J,
T
英镑
T
L
结温和存储温度
0.49
-55~150
300
W/℃
℃
℃
漏电流脉冲
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散（ @ TC = 25 ℃ ）
（注2 ）
（注1 ）
（注3）
(Note1)
2.9
18
±30
300
7.5
4.5
61
A
A
V
mJ
mJ
V / ns的
W
漏源电压
连续漏电流（ @ T = 25 ℃ ）
参数ETE
TER
价值
ALUE
500
5
加利我TS
V
A
通道
温度
热特性
价值
ALUE
SYMB OL
R
QJC
R
QCS
R
qJA
PARA M ETER
ETE
民
热阻，结到外壳
热电阻，外壳到散热器
热阻，结到环境
-
-
-
典型值
-
0.5
-
米斧
2.05
-
62.5
℃/W
℃/W
℃/W
ü尼特
NIT
Rev.A的Jun.2010
版权所有@ Winsemi微电子有限公司，保留所有权利。
WFU5N50
5N50
电气特性（ TC = 25 ℃ ）
特征
栅极漏电流
栅源击穿电压
漏截止电流
漏源击穿电压
打破电压温度
系数
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开关时间
开启时间
下降时间
关断时间
总栅极电荷（栅源
Qg
加栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
QGS
QGD
符号
I
GSS
V
（ BR ） GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
ΔBV
DSS
/
ΔT
J
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
政府飞行服务队
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
tr
吨
tf
花花公子
测试条件
V
GS
= ±30 V, V
DS
= 0 V
I
G
= -10 μA ，V
DS
= 0 V
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0 V
I
D
=250μA,
25℃
V
DS
= 10 V，I
D
=250 μA
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.25A
V
DS
= 40 V，I
D
= 2.25A
V
DS
= 25 V,
V
GS
= 0 V,
F = 1 MHz的
V
DD
=250 V,
I
D
=4.5A
R
G
=25Ω
(Note4,5)
V
DD
= 400 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
=5 A
(Note4,5)
引用
to
民
-
±30
-
500
-
3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
TYPE
-
-
-
-
0.55
-
1.16
4.2
800
16
76
15
40
85
45
32
3.7
15
最大
±100
-
1
-
-
4.5
1.6
-
1050
21
100
40
90
180
100
44
单位
nA
V
μA
V
V/℃
V
Ω
S
pF
ns
-
-
-
nC
-
-
源极 - 漏极额定值和特性（Ta = 25℃）
特征
连续漏电流反向
脉冲漏极电流反向
正向电压（二极管）
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
测试条件
-
-
I
DR
= 5A ，V
GS
= 0 V
I
DR
= 5A ，V
GS
= 0 V,
dI
DR
/ DT = 100 A / μs的
民
-
-
-
-
-
TYPE
-
-
-
305
2.6
最大
5
18
1.4
-
-
单位
A
A
V
ns
μC
注1.Repeativity评价：脉冲宽度有限的结温
2.L=24mH,I
AS
=5A,V
DD
=50V,R
G
=25Ω,StartingT
J
=25℃
3.I
SD
≤5A ，二/ dt≤300A / US ，V
DD
<BV
DSS
，起始物为
J
=25℃
4.Pulse测试：脉冲Width≤300us ，职务Cycle≤2 ％
5.Essentially独立的工作温度。
此晶体管是静电敏感设备
请小心处理
2/7
稳定，让你提前
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