WFP9N20
FP9
硅N沟道MOSFET
特点
9A , 200V ,R
DS ( ON)
(最大0.4Ω ) @V
GS
=10V
■超低栅极电荷(典型值43nC )
快速开关能力
■ 100 %雪崩测试
■最大结温范围( 150 ℃ )
概述
这是功率MOSFET采用Winsemi先进的生产
平面条形, DMOS技术。这一最新技术已
尤其是旨在最大限度地减少通态电阻,具有较高的
坚固耐用的雪崩特性。该器件是特别完善
适用于低电压应用,例如汽车,高
效率切换为DC / DC变换器和DC电机控制。
G
D
S
TO220
绝对最大额定值
符号
V
DSS
漏源电压
参数
连续漏电流( @ T = 25 ℃ )
连续漏电流( @ T = 100 ℃ )
漏电流脉冲
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散( @ TC = 25 ℃ )
减额在25℃以上因素
结温和存储温度
最大的铅焊接温度的目的
(注2 )
(注1 )
(注3)
(Note1)
价值
200
单位
V
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J,
T
英镑
T
L
9
5.7
36
±30
160
7.2
5.5
72
0.57
-55~150
300
A
A
A
V
mJ
mJ
V / ns的
W
W/℃
℃
℃
热特性
符号
R
QJC
R
QCS
R
qJA
参数
热阻,结到外壳
热电阻,案件水槽
热阻,结到环境
民
-
-
-
价值
典型值
-
0.5
-
最大
1.74
-
62.5
单位
℃/W
℃/W
℃/W
牧师,C 2009年12月
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T03-1
WFP9N20
FP9N20
电气特性(TC = 25 ° C)
25°
特征
栅极漏电流
栅源击穿电压
漏截止电流
漏源击穿电压
打破电压温度
系数
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
关断时间
总栅极电荷(栅源
加栅极 - 漏极)
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( “米勒” )费
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
f
t
关闭
R
G
=12
(Note4,5)
V
DD
= 160 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 5.9 A
(Note4,5)
-
-
7
23
-
-
nC
-
-
-
39
20
43
-
-
-
符号
I
GSS
V
( BR ) GSS
I
DSS
V
( BR ) DSS
ΔBV
DSS
/
ΔT
J
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
政府飞行服务队
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
测试条件
V
GS
= ±30 V, V
DS
= 0 V
I
G
= -10 μA ,V
DS
= 0 V
V
DS
= 200 V, V
GS
= 0 V
I
D
= 250 μA ,V
GS
= 0 V
I
D
= 250μA ,参考25
℃
民
-
±30
-
200
-
TYPE
-
-
-
-
0.2
最大
±100
-
10
-
-
单位
nA
V
μA
V
V/℃
V
DS
= 10 V,I
D
=250 μA
V
GS
= 10 V,I
D
= 5.4A
V
DS
= 50 V,I
D
=5.4A
V
DS
= 25 V,
V
GS
= 0 V,
F = 1 MHz的
V
DD
=100 V,
I
D
= 5.9 A
2
-
3.8
-
-
-
-
-
-
-
-
800
240
76
9.4
28
4
0.4
-
-
-
-
-
-
V
S
pF
ns
源极 - 漏极额定值和特性(Ta = 25°C )
特征
连续漏电流反向
脉冲漏极电流反向
正向电压(二极管)
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
测试条件
-
-
I
DR
= 9 A, VGS = 0 V
I
DR
= 5.9A , VGS = 0 V ,
dI
DR
/ DT = 100 A / μs的
民
-
-
-
-
-
TYPE
-
-
1.4
170
1.1
最大
9
36
2.0
340
2.2
单位
A
A
V
ns
μC
注1.Repeativity评价:脉冲宽度有限的结温
2.L=500uH,I
AS
9 = A,V
DD
=50V,R
G
= 0Ω ,起始物为
J
=25℃
3.I
SD
≤9A ,二/ dt≤300A / US ,V
DD
<BV
DSS
,起动TJ = 25 ℃
4.Pulse测试:脉冲Width≤300us ,职务Cycle≤2 %
5.Essentially独立的工作温度。
此晶体管是静电敏感设备
请小心处理
2/7
稳定,全方位为您提前
.