【智慧半导体WFP7N60N沟道MOSFET特点■■■■■RDS （ ON）（最大1.2)@VGS=1】,IC型号WFP7N60,WFP7N60 PDF资料,WFP7N60经销商,ic,电子元器件-51电子网

智慧

半导体

WFP7N60

N沟道MOSFET

特点

■

DS （ ON）

（最大1.2

)@V

=10V

栅极电荷（典型值28nC ）

改进的dv / dt能力，高耐用性

100％的雪崩测试

最高结温范围（ 150 ° C）

符号

●

2.漏

1.门

●

▲

3.源

概述

这是功率MOSFET采用智慧先进的生产

平面条形， DMOS技术。这一最新技术已

尤其是旨在最大限度地减少通态电阻，具有较高的

坚固耐用的雪崩特性。这些器件非常适合

高效率开关模式电源，有源功率因数

基于半桥拓扑结构校正，电子镇流器。

TO-220

1 2

绝对最大额定值

符号

DSS

dv / dt的

英镑，

漏源极电压

连续漏电流（ @T

= 25

°C)

连续漏电流（ @T

= 100

°C)

漏电流脉冲

栅极至源极电压

单脉冲雪崩能量

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

总功率耗散（ @T

= 25 °C)

高于25 ℃的降额因子

工作结温&储藏温度

最大无铅焊接温度的目的，

1/8案件从5秒。

（注2 ）

（注1 ）

（注3）

（注1 ）

参数

价值

600

7.0

4.4

单位

V / ns的

W / ℃，

°C

420

14.7

4.5

147

1.18

- 55 ~ 150

300

热特性

符号

θJC

θCS

θJA

参数

热阻，结到外壳

热电阻，案件水槽

热阻，结到环境

价值

分钟。

典型值。

0.5

马克斯。

0.85

62.5

单位

° C / W

WFP7N60

电气特性

符号

开关特性

DSS

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

漏极 - 源极漏电流

门源泄漏，正向

栅源泄漏，反向

= 0V时，我

= 250uA

= 250uA ，参考25 ℃下

= 600V, V

= 0V

= 480V ，T

= 125 °C

= 30V, V

= 0V

= -30V, V

= 0V

= V

, I

= 250uA

= 10 V，I

= 3.5A

600

0.6

100

-100

V /°C的

( T

= 25 ° C除非另有说明）

参数

测试条件

民

典型值

最大

单位

GSS

基本特征

GS （ TH）

DS （ ON）

栅极阈值电压

静态漏源导通状态电阻

tance

2.0

1.0

4.0

1.2

动态特性

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

输入电容

输出电容

反向传输电容

=0 V, V

= 25V ， F = 1MHz的

1100

110

1500

150

动态特性

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极电荷（米勒电荷）

=480V, V

= 10V ，我

=7.0A

（注4,5）

= 300V ，我

= 7.0A ，R

=25

（注4,5）

110

230

源极 - 漏极二极管额定值和特性

符号

※

笔记

1. Repeativity评价：脉冲宽度有限的结温

2， L = 15.7mH ，我

= 7A ，V

= 50V ，R

= 25Ω ，起始物为

25°C

3. I

≤

图7A中， di / dt的

≤

200A / us的，V

≤

DSS

，起始物为

25°C

4.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300US ，占空比

≤

5.基本上是独立的工作温度。

参数

连续源电流

脉冲源电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

测试条件

积分反向的P- N结

二极管在MOSFET

= 7.0A ，V

=0V

= 7.0A ，V

= 0V ，二

/dt=100A/us

分钟。

典型值。

365

3.4

马克斯。

7.0

1.4

单元。

典型特征

，漏电流[ A]

15.0 V

10.0 V

8.0 V

7.0 V

6.5 V

6.0 V

5.5 V

底部： 5.0 V

上图：

150 C

25 C

-55 C

-1

※

注意事项：

1. 250μs的脉冲测试

2. T

= 25

℃

※

注意事项：

1. V

= 40V

2. 250μs的脉冲测试

-1

，漏源电压[V]

，栅源电压[V]

图1.区域特征

图2.传输特性

DS （ ON）

[ ],

漏源导通电阻

= 10V

= 20V

，反向漏电流[ A]

150

℃

※

注意事项：

1. V

= 0V

2. 250μs的脉冲测试

※

注：t

= 25

℃

-1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

，漏电流[ A]

，源极 - 漏极电压[ V]

图3.导通电阻变化VS

漏电流和栅极电压

图4.体二极管正向电压

变化与源电流

和温度

2000

国际空间站

= C

+ C

=短路）

OSS

= C

+ C

RSS

= C

，栅源电压[V]

= 120V

= 300V

1500

电容[ pF的]

国际空间站

= 480V

1000

OSS

500

RSS

※

注意事项：

1. V

= 0 V

2. F = 1 MHz的

※

注：我

= 7.0 A

-1

，漏源电压[V]

，总栅极电荷[ NC ]

图5.电容特性

图6.栅极电荷特性

典型特征

（续）

1.2

3.0

DSS

（归一化）

漏源击穿电压

1.1

DS （ ON）

（归一化）

漏源导通电阻

2.5

2.0

1.0

1.5

1.0

0.9

※

注意事项：

1. V

= 0 V

2. I

= 250 A

0.5

※

注意事项：

1. V

= 10 V

2. I

= 3.5 A

0.8

-100

-50

100

150

200

0.0

-100

-50

100

150

200

，结温[C]

图7.击穿电压变化

与温度

图8.导通电阻变化

与温度

在这一领域

由R有限公司

DS （ ON）

，漏电流[ A]

10毫秒

-1

※

注意事项：

1. T

= 25 C

2. T

= 150 C

3.单脉冲

-2

，漏电流[ A]

100

1毫秒

100

125

150

，漏源电压[V]

，外壳温度[

℃

]

图9.最高安全工作区

图10.最大漏极电流

VS外壳温度

（T ），热响应

D = 0 .5

0 .2

-1

※

N 2 O TE S：

1 . Z

J·C

(t) = 0 .8 5

℃

/ W M A X 。

2 。 ü TY F A C到R，D = T

3 . T

J·M

- T

= P

D M

* Z

J·C

(t)

0 .1

0 .0 5

0 .0 2

0 .0 1

S IN克乐P ü LS ê

-2

-5

-4

-3

-2

-1

，S之四重W AVE P ü LS E D ü RA TIO N [秒]

图11.瞬态热响应曲线

栅极电荷测试电路波形&

20F

30F

SM Tp的

A E咋

一个DT

的SuI

CAG

HR ê

电阻开关测试电路波形&

(f)

非钳位感应开关测试电路波形&

-- I

----------

E = L -

----------

-V

S.D。

)

V ()

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