WFF7N60
硅N沟道MOSFET
特点
½
½
½
½
½
½
7A,600V,R
DS （ ON）
（最大1.2Ω ） @V
GS
=10V
超低栅极电荷（典型值29nC ）
快速开关能力
100％的雪崩测试
绝缘电压（V
ISO
= 4000V AC）
最高结温范围（ 150 ℃ ）
概述
这股力量
MOSFET采用Winsemi先进的生产
平面条形， VDMOS技术。这一最新技术已
特别设计，以尽量减少对通态电阻，具有较高的
坚固耐用的雪崩特性。该器件是特别完善
适用于半桥和全桥谐振拓扑线
电子镇流器，高效率开关模式电源
用品，有源功率因数校正。
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
连续漏电流（ @ T = 100 ℃ ）
I
DM
V
GS
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
减额在25℃以上因素
T
J
,T
英镑
T
L
结温和存储温度
通道温度
0.38
-55~150
300
W/℃
℃
℃
漏电流脉冲
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散（ @ TC = 25 ℃ ）
(Note2)
(Note1)
(Note3)
(Note1)
4.1*
26
±30
240
15
4.5
48
A
A
V
mJ
mJ
V / ns的
W
漏源电压
连续漏电流（ @ T = 25 ℃ ）
参数
价值
600
7*
单位
V
A
*
漏电流受结温
热特性
符号
R
QJC
R
qJA
参数
热阻，结-to -Case
热阻，结到 - 环境
价值
民
-
-
典型值
-
-
最大
2.6
62.5
单位
℃/W
℃/W
Rev.A的Sep.2010
版权所有@ Winsemi微电子有限公司，保留所有权利。
WFF7N60
电气特性（ TC = 25 ℃ ）
特征
栅极漏电流
栅源击穿电压
符号
I
GSS
V
（ BR ） GSS
测试条件
V
GS
=±30V,V
DS
=0V
I
G
= ±10 μA ，V
DS
=0V
V
DS
=600V,V
GS
=0V
民
-
±30
-
-
600
2
-
-
-
-
-
-
-
-
TYPE
-
-
-
最大
±100
-
10
100
单位
nA
V
A
A
V
V
S
漏切离型电流
I
DSS
V
DS
=480V,Tc=125℃
漏极 - 源极击穿电压
栅极阈值电压
漏 - 源极导通电阻
正向跨导
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷（栅源
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
政府飞行服务队
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
tr
吨
tf
花花公子
I
D
= 250 μA ，V
GS
=0V
V
DS
=10V,I
D
=250 A
V
GS
=10V,I
D
=3.5A
V
DS
=50V,I
D
=3.5A
V
DS
=25V,
V
GS
=0V,
f=1MHz
V
DD
=200V,
I
D
=7.0A，
R
G
=25，
(Note4,5)
V
DD
=480V,
-
-
0.8
8.7
1100
15
135
30
80
65
60
29
7
14.5
-
4
1.2
-
1430
20
175
70
170
pF
ns
140
130
38
nC
-
-
-
-
Qg
加栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（ "miller" ）充电
QGS
QGD
V
GS
=10V,
I
D
=7.0A
(Note4,5)
-
-
源极 - 漏极额定值和特性（Ta = 25℃）
特征
连续漏电流反向
脉冲漏极电流反向
正向电压（二极管）
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
TRR
QRR
测试条件
-
-
I
DR
=7.4A,V
GS
=0V
I
DR
=7.4A,V
GS
=0V,
dI
DR
/ DT = 100 A / μs的
民
-
-
-
-
-
TYPE
-
-
-
320
2.4
最大
7.0
28
1.4
-
-
单位
A
A
V
ns
C
注1.Repeativity评价：脉冲宽度有限的结温
2.L = 18.5mH我
AS
=7A,V
DD
=50V,R
G
= 0Ω ，起始物为
J
=25℃
3.I
SD
≤7.0A,di/dt≤200A/us,V
DD
<BV
DSS
，起始物为
J
=25℃
4.Pulse测试：脉冲Width≤300us ，职务Cycle≤2 ％
5.基本上是独立的工作温度。
此晶体管是静电敏感设备
请小心处理
2/7
稳定，让你提前
WFF7N60
硅N沟道MOSFET
特点
½
½
½
½
½
½
7A,600V,R
DS （ ON）
（ 1.0Ω最大） @V
GS
=10V
超低栅极电荷（典型值29nC ）
快速开关能力
100％的雪崩测试
绝缘电压（V
ISO
= 4000V AC）
最高结温范围（ 150 ℃ ）
概述
这股力量
MOSFET采用Winsemi先进的生产
平面条形， VDMOS技术。这一最新技术已
特别设计，以尽量减少对通态电阻，具有较高的
坚固耐用的雪崩特性。该器件是特别完善
适用于半桥和全桥谐振拓扑线
电子镇流器，高效率开关模式电源
用品，有源功率因数校正。
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
连续漏电流（ @ T = 100 ℃ ）
I
DM
V
GS
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
减额在25℃以上因素
T
J
,T
英镑
T
L
结温和存储温度
通道温度
0.38
-55~150
300
W/℃
℃
℃
漏电流脉冲
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散（ @ TC = 25 ℃ ）
(Note2)
(Note1)
(Note3)
(Note1)
4.1*
26
±30
240
15
4.5
48
A
A
V
mJ
mJ
V / ns的
W
漏源电压
连续漏电流（ @ T = 25 ℃ ）
参数
价值
600
7*
单位
V
A
*
漏电流受结温
热特性
符号
R
QJC
R
qJA
参数
热阻，结-to -Case
热阻，结到 - 环境
价值
民
-
-
典型值
-
-
最大
2.6
62.5
单位
℃/W
℃/W
Rev.A的Sep.2010
版权所有@ WinSemi半导体有限公司，保留所有权利。
WFF7N60
电气特性（ TC = 25 ℃ ）
特征
栅极漏电流
栅源击穿电压
符号
I
GSS
V
（ BR ） GSS
测试条件
V
GS
=±30V,V
DS
=0V
I
G
= ±10 μA ，V
DS
=0V
V
DS
=600V,V
GS
=0V
民
-
±30
-
-
600
2
-
-
-
-
-
-
-
-
TYPE
-
-
-
最大
±100
-
10
100
单位
nA
V
A
A
V
V
S
漏切离型电流
I
DSS
V
DS
=480V,Tc=125℃
漏极 - 源极击穿电压
栅极阈值电压
漏 - 源极导通电阻
正向跨导
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷（栅源
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
政府飞行服务队
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
tr
吨
tf
花花公子
I
D
= 250 μA ，V
GS
=0V
V
DS
=10V,I
D
=250 A
V
GS
=10V,I
D
=3.5A
V
DS
=50V,I
D
=3.5A
V
DS
=25V,
V
GS
=0V,
f=1MHz
V
DD
=200V,
I
D
=7.0A，
R
G
=25，
(Note4,5)
V
DD
=480V,
-
-
0.8
8.7
1100
135
16
30
80
65
60
29
7
14.5
-
4
1.0
-
1430
175
21
70
170
pF
ns
140
130
38
nC
-
-
-
-
Qg
加栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（ "miller" ）充电
QGS
QGD
V
GS
=10V,
I
D
=7.0A
(Note4,5)
-
-
源极 - 漏极额定值和特性（Ta = 25℃）
特征
连续漏电流反向
脉冲漏极电流反向
正向电压（二极管）
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
TRR
QRR
测试条件
-
-
I
DR
=7.4A,V
GS
=0V
I
DR
=7.4A,V
GS
=0V,
dI
DR
/ DT = 100 A / μs的
民
-
-
-
-
-
TYPE
-
-
-
320
2.4
最大
7.0
28
1.4
-
-
单位
A
A
V
ns
C
注1.Repeativity评价：脉冲宽度有限的结温
2.L = 18.5mH我
AS
=7A,V
DD
=50V,R
G
= 0Ω ，起始物为
J
=25℃
3.I
SD
≤7.0A,di/dt≤200A/us,V
DD
<BV
DSS
，起始物为
J
=25℃
4.Pulse测试：脉冲Width≤300us ，职务Cycle≤2 ％
5.基本上是独立的工作温度。
此晶体管是静电敏感设备
请小心处理
2/7
稳定，全方位为您提前
WFF7N60
电气特性
符号
开关特性
BV
DSS
Δ
BV
DSS
/
Δ
T
J
I
DSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
漏极 - 源极漏电流
门源泄漏，正向
栅源泄漏，反向
V
GS
= 0V时，我
D
= 250uA
I
D
= 250uA ，参考25 ℃下
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
V
DS
= 480V ，T
C
= 125 °C
V
GS
= 30V, V
DS
= 0V
V
GS
= -30V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.5A
600
-
-
-
-
-
-
0.6
-
-
-
-
-
-
10
100
100
-100
V
V /°C的
uA
uA
nA
nA
( T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
GSS
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
静态漏源导通状态电阻
tance
2.0
-
-
1.0
4.0
1.2
V
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
GS
=0 V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
-
-
-
1100
110
12
1500
150
16
pF
动态特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极电荷（米勒电荷）
V
DS
=480V, V
GS
= 10V ，我
D
=7.0A
（注4,5）
-
V
DD
= 300V ，我
D
= 7.0A ，R
G
=25
（注4,5）
15
30
110
40
28
5
11
40
70
230
90
37
-
-
nC
ns
-
-
-
-
-
-
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
※
笔记
1. Repeativity评价：脉冲宽度有限的结温
2， L = 15.7mH ，我
AS
= 7A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
=
25°C
3. I
SD
≤
图7A中， di / dt的
≤
200A / us的，V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
=
25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300US ，占空比
≤
2%
5.基本上是独立的工作温度。
参数
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
积分反向的P- N结
二极管在MOSFET
I
S
= 7.0A ，V
GS
=0V
I
S
= 7.0A ，V
GS
= 0V ，二
F
/dt=100A/us
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
365
3.4
马克斯。
7.0
28
1.4
-
-
单元。
A
V
ns
uC
版权所有@智半导体公司，保留所有权利。
典型特征
（续）
1.2
3.0
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
1.1
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
2.5
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
※
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250 A
0.5
※
注意事项：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 3.5 A
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图7.击穿电压变化
与温度
图8.导通电阻变化
与温度
8
10
2
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
I
D
，漏电流[ A]
10
1
10毫秒
DC
10
0
10
-1
※
注意事项：
o
1. T
C
= 25 C
o
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
0
10
-2
I
D
，漏电流[ A]
10
100
s
s
1毫秒
6
4
2
10
10
1
10
2
10
3
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
，漏源电压[V]
T
C
，外壳温度[
℃
]
图9.最高安全工作区
图10.最大漏极电流
VS外壳温度
10
0
Z
θ
JC
（T ） ，热响应
D = 0 .5
0 .2
10
-1
※
N 2 O TE S：
1 . Z
θ
J·C
(t) = 0 .8 5
℃
/ W M A X 。
2 。 ü TY F A C到R，D = T
1
/t
2
3 . T
J·M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J·C
(t)
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
S IN克乐P ü LS ê
P
DM
t
1
t
2
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S之四重W AVE P ü LS E D ü RA TIO N [秒]
图11.瞬态热响应曲线
QQ：2880707522 复制
