智慧
半导体
WFF730
N沟道MOSFET
特点
■
■
■
■
■
R
DS （ ON）
（最大0.95
)@V
GS
=10V
栅极电荷（典型25NC ）
改进的dv / dt能力，高耐用性
100％的雪崩测试
最高结温范围（ 150 ° C）
符号
●
2.漏
1.门
●
●
▲
3.源
概述
这是功率MOSFET采用智慧先进的生产
平面条形， DMOS技术。这一最新技术已
尤其是旨在最大限度地减少通态电阻，具有较高的
坚固耐用的雪崩特性。这些器件非常适合
高效率开关DC / DC转换器，开关模式电源
电源，DC -AC转换器uninterruped电源，电机
控制权。
TO-220F
1
2
3
绝对最大额定值
(
*
漏电流受结温）
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
T
英镑，
T
J
T
L
漏源极电压
连续漏电流（ @T
C
= 25
°C)
连续漏电流（ @T
C
= 100
°C)
漏电流脉冲
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散（ @T
C
= 25 °C)
高于25 ℃的降额因子
工作结温&储藏温度
最大无铅焊接温度的目的，
1/8案件从5秒。
（注2 ）
（注1 ）
（注3）
（注1 ）
参数
价值
400
6.0*
3.6*
24*
单位
V
A
A
A
V
mJ
mJ
V / ns的
W
W / ℃，
°C
°C
±
30
390
8.75
5.5
38
0.3
- 55 ~ 150
300
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
价值
分钟。
-
-
典型值。
-
-
马克斯。
3.31
62.5
单位
° C / W
° C / W
典型特征
（续）
1.2
3.0
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
1.1
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
2.5
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
※
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250 A
0.5
※
注意事项：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 3.0 A
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图7.击穿电压变化
与温度
图8.导通电阻变化
与温度
10
2
6
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
5
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
10
1
10
s
100
s
1毫秒
10毫秒
DC
4
10
0
3
2
10
-1
※
注意事项：
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
o
1
10
-2
10
0
10
1
10
2
10
3
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
，漏源电压[V]
T
C
，外壳温度[
℃
]
图9.最高安全工作区
图10.最大漏极电流
VS外壳温度
D = 0 .5
Z
θ
JC
热响应
(t),
10
0
0 .2
0 .1
0 .0 5
10
-1
※
N 2 O TE S：
1 . Z
θ
J·C
t) = 3 .3 1
℃
/ W M A X 。
(
2 。 ü TY F A C到R，D = T
1
/t
2
3 . T
J·M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J·C
t)
(
0 .0 2
0 .0 1
S IN克乐P ü LS ê
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S单方W AVE P ü LS E D URAT IO N [秒]
图11.瞬态热响应曲线
WFF730
WFF
硅N沟道MOSFET
特点
■ 5.5A ， 400V ，R
DS （ ON）
（ 1.0Ω最大） @V
GS
=10V
■超低栅极电荷（典型值32nC ）
快速开关能力
■ 100 ％雪崩测试
■最大结温范围（ 150 ℃ ）
概述
这是功率MOSFET采用Winsemi先进的生产
平面条形， DMOS技术。这一最新技术已
尤其是旨在最大限度地减少通态电阻，具有较高的
坚固耐用的雪崩特性。该器件是特别完善
适用于高效率开关模式电源，功率因数
校正和半桥和全桥谐振拓扑线
电子镇流器。
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
连续漏电流（ @ T = 100 ℃ ）
I
DM
V
GS
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
减额在25℃以上因素
T
J,
T
英镑
T
L
结温和存储温度
漏电流脉冲
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散（ @ TC = 25 ℃ ）
（注2 ）
（注1 ）
（注3）
(Note1)
漏源电压
连续漏电流（ @ T = 25 ℃ ）
参数
价值
400
5.5*
2.9*
22*
±30
330
7.4
4
38
0.3
-55~150
300
单位
V
A
A
A
V
mJ
mJ
V / ns的
W
W/℃
℃
℃
通道
温度
*漏电流受最高结温
热特性
符号
R
QJC
R
qJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
价值
民
-
-
典型值
-
-
最大
3.3
62
单位
℃/W
℃/W
Rev.A的2010年12月
版权所有@ Winsemi微电子有限公司，保留所有权利。
WFF730
WFF
电气特性（TC = 25 ° C）
特征
栅极漏电流
栅源击穿电压
漏截止电流
漏源
电压
打破电压温度
系数
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
关断时间
总栅极电荷（栅源
Qg
加栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
QGS
QGD
V
GS
= 10 V,
nC
I
D
=5.5 A
(Note4,5)
-
-
4.3
14
5.7
22
tf
花花公子
V
DD
= 320 V,
-
32
38
R
G
=25Ω
(Note4,5)
-
-
85
50
180
110
ΔBV
DSS
/
ΔT
J
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
政府飞行服务队
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
tr
吨
I
D
=250μA,
25℃
V
DS
= 10 V，I
D
=250 μA
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.75A
V
DS
= 50 V，I
D
= 2.75A
V
DS
= 25 V,
V
GS
= 0 V,
F = 1 MHz的
V
DD
=200 V,
I
D
=5.5A
2
-
-
-
-
-
-
-
-
0.83
4.5
550
23
85
15
55
4
1
-
720
30
110
40
120
ns
pF
V
Ω
S
引用
to
-
0.4
-
V/℃
击穿
V
（ BR ） DSS
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0 V
400
-
-
V
符号
I
GSS
V
（ BR ） GSS
I
DSS
测试条件
V
GS
=
±30
V, V
DS
= 0 V
I
G
=
±10
μA ，V
DS
= 0 V
V
DS
= 400 V, V
GS
= 0 V
民
-
±30
-
TYPE
-
-
-
最大
±100
-
1
单位
nA
V
μA
源极 - 漏极额定值和特性（Ta = 25°C ）
特征
连续漏电流反向
脉冲漏极电流反向
正向电压（二极管）
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
测试条件
-
-
I
DR
= 5.5 A，V
GS
= 0 V
I
DR
= 5.5 A，V
GS
= 0 V,
dI
DR
/ DT = 100 A / μs的
民
-
-
-
-
-
TYPE
-
-
1.4
265
2.32
最大
5.5
22
1.5
530
-
单位
A
A
V
ns
μC
注1.Repeativity评价：脉冲宽度有限的结温
2.L=18.5mH,I
AS
=5.5A,V
DD
=50V,R
G
= 25Ω ，起始物为
J
=25℃
3.I
SD
≤5.5A ，二/ dt≤300A / US ，V
DD
<BV
DSS
，起始物为
J
=25℃
4.Pulse测试：脉冲Width≤300us ，职务Cycle≤2 ％
5.Essentially独立的工作温度。
此晶体管是静电敏感设备
请小心处理
2/7
稳定，让你提前
QQ：2880707522 复制
