WFF2N65
硅N沟道MOSFET
特点
½
½
½
½
½
½
½
2A,650V(Type),R
DS ( ON)
(最大5Ω ) @V
GS
=10V
超低栅极电荷(典型9.0nC )
快速开关能力
100%的雪崩测试
绝缘电压(V
ISO
= 4000V AC)
最高结温范围( 150 ℃ )
无卤( WFF2N65 -HF )
概述
这股力量
MOSFET采用Winsemi先进的生产
平面条形, VDMOS技术。这一最新技术已
特别设计,以尽量减少对通态电阻,具有较高的
坚固耐用的雪崩特性。该器件是特别完善
适用于高效率开关模式电源。
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
连续漏电流( @ T = 100 ℃ )
I
DM
V
GS
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
减额在25℃以上因素
T
J
,T
英镑
T
L
结温和存储温度
最大的铅焊接温度的目的
0.26
-55~150
300
W/℃
℃
℃
漏电流脉冲
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散( @ TC = 25 ℃ )
(Note2)
(Note1)
(Note3)
(Note1)
1.3*
16*
±30
240
10
4.5
23
A
A
V
mJ
mJ
V / ns的
W
漏源电压
连续漏电流( @ T = 25 ℃ )
参数
价值
650
2*
单位
V
A
*
漏电流受最高结温
热特性
符号
R
QJC
R
QCS
R
qJA
参数
热阻,结-to -Case
热电阻,外壳到散热器
热阻,结到 - 环境
价值
民
-
0.5
-
典型值
-
-
-
最大
5.4
-
62.5
单位
℃/W
℃/W
℃/W
Rev.A的Aug.2010
版权所有@ Winsemi微电子有限公司,保留所有权利。
WFF2N65
电气特性( TC = 25 ℃ )
特征
栅极漏电流
栅源击穿电压
符号
I
GSS
V
( BR ) GSS
测试条件
V
GS
=±30V,V
DS
=0V
I
G
= ±10 μA ,V
DS
=0V
V
DS
=600V,V
GS
=0V
民
-
±30
-
-
650
TYPE
-
-
-
最大
±100
-
10
100
单位
nA
V
A
A
V
漏切离型电流
I
DSS
V
DS
=480V,Tc=125℃
漏极 - 源极击穿电压
打破电压温度
系数
栅极阈值电压
漏 - 源极导通电阻
正向跨导
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷(栅源
V
( BR ) DSS
ΔBV
DSS
/
T
J
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
政府飞行服务队
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
tr
吨
tf
花花公子
I
D
= 250 μA ,V
GS
=0V
I
D
=250A,Referenced
-
0.65
-
-
4
5
-
490
9.9
49
42
108
至25 ℃
V
DS
=10V,I
D
=250 A
V
GS
=10V,I
D
=1A
V
DS
=50V,I
D
=1A
V
DS
=25V,
V
GS
=0V,
f=1MHz
V
DD
=300V,
I
D
=2A,
R
G
=25,
(Note4,5)
V
DD
=320V,
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
GS
=10V,
nC
I
D
=2A
(Note4,5)
-
-
-
4.2
2.05
380
7.6
35
15
50
40
40
9.0
1.7
7.2
V
S
pF
ns
89
89
19
-
-
Qg
加栅极 - 漏极)
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极( "miller" )充电
QGS
QGD
源极 - 漏极额定值和特性(Ta = 25℃)
特征
连续漏电流反向
脉冲漏极电流反向
正向电压(二极管)
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
TRR
QRR
测试条件
-
-
I
DR
=2A,V
GS
=0V
I
DR
=2A,V
GS
=0V,
dI
DR
/ DT = 100 A / μs的
民
-
-
-
-
-
TYPE
-
-
-
200
1.3
最大
2
6
1.4
-
-
单位
A
A
V
ns
C
注1.Repeativity评价:脉冲宽度有限的结温
2.L = 0.5mH我
AS
=2.0A,V
DD
=50V,R
G
= 0Ω ,起始物为
J
=25℃
3.I
SD
≤2.0A,di/dt≤200A/us,V
DD
<BV
DSS
,起始物为
J
=25℃
4.Pulse测试:脉冲Width≤300us ,职务Cycle≤2 %
5.基本上是独立的工作温度。
此晶体管是静电敏感设备
请小心处理
2/8
稳定,让你提前