【WFF10N65WFF10N65硅N沟道MOSFET特点½½&frac1】,IC型号WFF10N65,WFF10N65 PDF资料,WFF10N65经销商,ic,电子元器件-51电子网

WFF10N65

硅N沟道MOSFET

特点

10A,650V,R

DS （ ON）

（最大值0.95Ω ） @V

=10V

超低栅极电荷（典型值43nC ）

快速开关能力

100％的雪崩测试

绝缘电压（V

ISO

= 4000V AC）

改进的dv / dt能力

概述

这是功率MOSFET采用Winsemi先进的平面生产

条纹， VDMOS技术。这项最新的技术已经特别

为了尽量减少对通态电阻，具有较高的坚固雪崩

的特点。该设备特别适用以及为AC- DC开关

电源，DC - DC电源转换器，高压H桥电机

驱动PWM 。

绝对最大额定值

符号

DSS

连续漏电流（ @ T = 100 ℃ ）

dv / dt的

减额在25℃以上因素

英镑

结温和存储温度

通道温度

0.4

-55~150

300

W/℃

℃

漏电流脉冲

栅极至源极电压

单脉冲雪崩能量

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

总功率耗散（ @ TC = 25 ℃ ）

(Note2)

(Note1)

(Note3)

(Note1)

6.0*

40*

±30

748

15.6

4.5

V / ns的

漏源电压

连续漏电流（ @ T = 25 ℃ ）

参数

价值

650

10*

单位

漏电流受最高结温

热特性

符号

QJC

qJA

参数

热阻，结-to -Case

热阻，结到 - 环境

价值

民

典型值

最大

2.5

62.5

单位

℃/W

Rev.A的2010年10月

WFF10N65

电气特性（ TC = 25 ℃ ）

特征

栅极漏电流

栅源击穿电压

符号

GSS

（ BR ） GSS

测试条件

=±30V,V

=0V

= ±10 μA ，V

=0V

=600V,V

=0V

民

±30

TYPE

最大

±100

100

单位

漏切离型电流

DSS

=480V,Tc=125℃

漏极 - 源极击穿电压

栅极阈值电压

漏 - 源极导通电阻

正向跨导

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

开启时间

开关时间

下降时间

打开-O FF时间

总栅极电荷（栅源

（ BR ） DSS

GS （ TH）

DS （ ON）

政府飞行服务队

国际空间站

RSS

OSS

吨

花花公子

= 250 μA ，V

=0V

=10V,I

=250 A

=10V,I

=4.75A

=50V,I

=4.75A

=25V,

=0V,

f=1MHz

=300V,

=10A，

=25，

(Note4,5)

=480V,

650

0.84

6.4

1430

2.5

117

340

4.5

0.95

加栅极 - 漏极）

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极（ "miller" ）充电

QGS

QGD

=10V,

=10A

(Note4,5)

源极 - 漏极额定值和特性（Ta = 25℃）

特征

连续漏电流反向

脉冲漏极电流反向

正向电压（二极管）

反向恢复时间

反向恢复电荷

符号

DRP

DSF

TRR

QRR

测试条件

=10A,V

=0V

=10A,V

=0V,

/ DT = 100 A / μs的

民

TYPE

450

2.4

最大

1.4

单位

注1.Repeativity评价：脉冲宽度有限的结温

2.L = 14.5mH我

=9.7A,V

=90V,R

= 25Ω ，起始物为

=25℃

3.I

≤10A,di/dt≤200A/us,V

<BV

DSS

，起始物为

=25℃

4.Pulse测试：脉冲Width≤300us ，职务Cycle≤2 ％

5.基本上是独立的工作温度。

此晶体管是静电敏感设备

请小心处理

2/7

稳定，让你提前

WFF10N65

图1导通状态特性

图2传输电流特性

图3导通电阻变化

VS漏电流

图4体二极管正向电压

变化与源电流

和温度

图5.最大漏电流与

外壳温度

图6栅极电荷特性

3/7

稳定，让你提前

WFF10N65

图7最大安全作业区

图8导通电阻变化VS

结温

图9瞬态热响应曲线

4/7

稳定，让你提前

WFF10N65

图10门测试电路波形&

图11电阻开关测试电路波形&

图12 Uncamped电感式开关测试电路波形&

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稳定，让你提前

WFF10N65

硅N沟道MOSFET

特点

10A,650V,R

DS （ ON）

（最大1Ω ） @V

=10V

超低栅极电荷（典型值43nC ）

快速开关能力

100％的雪崩测试

绝缘电压（V

ISO

= 4000V AC）

改进的dv / dt能力

概述

这是功率MOSFET采用Winsemi先进的平面生产

条纹， VDMOS技术。这项最新的技术已经特别

为了尽量减少对通态电阻，具有较高的坚固雪崩

的特点。该设备特别适用以及为AC- DC开关

电源，DC - DC电源转换器，高压H桥电机

驱动PWM 。

绝对最大额定值

符号

DSS

连续漏电流（ @ T = 100 ℃ ）

dv / dt的

减额在25℃以上因素

英镑

结温和存储温度

通道温度

0.4

-55~150

300

W/℃

℃

漏电流脉冲

栅极至源极电压

单脉冲雪崩能量

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

总功率耗散（ @ TC = 25 ℃ ）

(Note2)

(Note1)

(Note3)

(Note1)

6.0*

40*

±30

748

15.6

4.5

V / ns的

漏源电压

连续漏电流（ @ T = 25 ℃ ）

参数

价值

650

10*

单位

漏电流受最高结温

热特性

符号

QJC

qJA

参数

热阻，结-to -Case

热阻，结到 - 环境

价值

民

典型值

最大

2.5

62.5

单位

℃/W

Rev.A的2010年10月

WFF10N65

电气特性（ TC = 25 ℃ ）

特征

栅极漏电流

栅源击穿电压

符号

GSS

（ BR ） GSS

测试条件

=±30V,V

=0V

= ±10 μA ，V

=0V

=600V,V

=0V

民

±30

TYPE

最大

±100

100

单位

漏切离型电流

DSS

=480V,Tc=125℃

漏极 - 源极击穿电压

栅极阈值电压

漏 - 源极导通电阻

正向跨导

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

开启时间

开关时间

下降时间

打开-O FF时间

总栅极电荷（栅源

（ BR ） DSS

GS （ TH）

DS （ ON）

政府飞行服务队

国际空间站

RSS

OSS

吨

花花公子

= 250 μA ，V

=0V

=10V,I

=250 A

=10V,I

=4.75A

=50V,I

=4.75A

=25V,

=0V,

f=1MHz

=300V,

=10A，

=25，

(Note4,5)

=480V,

650

0.84

6.4

1430

117

2.2

340

1.0

加栅极 - 漏极）

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极（ "miller" ）充电

QGS

QGD

=10V,

=10A

(Note4,5)

源极 - 漏极额定值和特性（Ta = 25℃）

特征

连续漏电流反向

脉冲漏极电流反向

正向电压（二极管）

反向恢复时间

反向恢复电荷

符号

DRP

DSF

TRR

QRR

测试条件

=10A,V

=0V

=10A,V

=0V,

/ DT = 100 A / μs的

民

TYPE

450

2.4

最大

1.4

单位

注1.Repeativity评价：脉冲宽度有限的结温

2.L = 14.5mH我

=9.7A,V

=90V,R

= 25Ω ，起始物为

=25℃

3.I

≤10A,di/dt≤200A/us,V

<BV

DSS

，起始物为

=25℃

4.Pulse测试：脉冲Width≤300us ，职务Cycle≤2 ％

5.基本上是独立的工作温度。

此晶体管是静电敏感设备

请小心处理

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稳定，全方位为您提前

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图1导通状态特性

图2传输电流特性

图3导通电阻变化

VS漏电流

图4体二极管正向电压

变化与源电流

和温度

图5.最大漏电流与

外壳温度

图6栅极电荷特性

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WFF10N65

图7最大安全作业区

图8导通电阻变化VS

结温

图9瞬态热响应曲线

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图10门测试电路波形&

图11电阻开关测试电路波形&

图12 Uncamped电感式开关测试电路波形&

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