WFF10N60
硅N沟道MOSFET
特点
½
½
½
½
½
½
10A,600V,R
DS （ ON）
（最大值0.75Ω ） @V
GS
=10V
超低栅极电荷（典型值34nC ）
快速开关能力
100％的雪崩测试
绝缘电压（V
ISO
= 4000V AC）
改进的dv / dt能力
概述
这股力量
MOSFET采用Winsemi先进的生产
平面条形， VDMOS技术。这一最新技术已
特别设计，以尽量减少对通态电阻，具有较高的
坚固耐用的雪崩特性。该器件是特别完善
适用于高效率开关模式电源，电源
因数校正， UPS和半个电子镇流器基地
桥梁。
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
连续漏电流（ @ T = 100 ℃ ）
I
DM
V
GS
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
减额在25℃以上因素
T
J
,T
英镑
T
L
结温和存储温度
通道温度
0.4
-55~150
300
W/℃
℃
℃
漏电流脉冲
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散（ @ TC = 25 ℃ ）
(Note2)
(Note1)
(Note3)
(Note1)
6.0*
40*
±30
713
18
4.5
50
A
A
V
mJ
mJ
V / ns的
W
漏源电压
连续漏电流（ @ T = 25 ℃ ）
参数
价值
600
10*
单位
V
A
*
漏电流受最高结温
热特性
符号
R
QJC
R
qJA
参数
热阻，结-to -Case
热阻，结到 - 环境
价值
民
-
-
典型值
-
-
最大
2.5
62.5
单位
℃/W
℃/W
Rev.A的Sep.2010
版权所有@ Winsemi微电子有限公司，保留所有权利。
WFF10N60
电气特性（ TC = 25 ℃ ）
特征
栅极漏电流
栅源击穿电压
漏切离型电流
漏极 - 源极击穿电压
栅极阈值电压
漏 - 源极导通电阻
正向跨导
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷（栅源
Qg
加栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（ "miller" ）充电
QGS
QGD
V
GS
=10V,
nC
I
D
=10A
(Note4,5)
-
-
6.9
12
-
-
tf
花花公子
V
DD
=480V,
-
34
45
R
G
=25，
(Note4,5)
-
-
214
85
300
165
符号
I
GSS
V
（ BR ） GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
政府飞行服务队
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
tr
吨
测试条件
V
GS
=±30V,V
DS
=0V
I
G
= ±10 μA ，V
DS
=0V
V
DS
=600V,V
GS
=0V
I
D
= 250 μA ，V
GS
=0V
V
DS
=10V,I
D
=250 A
V
GS
=10V,I
D
=4.75A
V
DS
=50V,I
D
=4.75A
V
DS
=25V,
V
GS
=0V,
f=1MHz
V
DD
=300V,
I
D
=10A，
民
-
±30
-
600
3
-
-
-
-
-
-
-
TYPE
-
-
-
-
-
0.66
8.2
1610
19
156
68
109
最大
±100
-
1
-
4.5
0.75
-
2065
25
210
91
150
单位
nA
V
A
V
V
S
pF
ns
源极 - 漏极额定值和特性（Ta = 25℃）
特征
连续漏电流反向
脉冲漏极电流反向
正向电压（二极管）
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
TRR
QRR
测试条件
-
-
I
DR
=10A,V
GS
=0V
I
DR
=10A,V
GS
=0V,
dI
DR
/ DT = 100 A / μs的
民
-
-
-
-
-
TYPE
-
-
1.05
442
2.16
最大
10
38
1.4
633
3.24
单位
A
A
V
ns
C
注1.Repeativity评价：脉冲宽度有限的结温
2.L = 14.5mH我
AS
=10A,V
DD
=50V,R
G
= 0Ω ，起始物为
J
=25℃
3.I
SD
≤10A,di/dt≤300A/us,V
DD
<BV
DSS
，起始物为
J
=25℃
4.Pulse测试：脉冲Width≤300us ，职务Cycle≤2 ％
5.基本上是独立的工作温度。
此晶体管是静电敏感设备
请小心处理
2/7
稳定，让你提前
WFF10N60
硅N沟道MOSFET
特点
½
½
½
½
½
½
10A,600V,R
DS （ ON）
（最大值0.75Ω ） @V
GS
=10V
超低栅极电荷（典型值34nC ）
快速开关能力
100％的雪崩测试
绝缘电压（V
ISO
= 4000V AC）
改进的dv / dt能力
概述
这股力量
MOSFET采用Winsemi先进的生产
平面条形， VDMOS技术。这一最新技术已
特别设计，以尽量减少对通态电阻，具有较高的
坚固耐用的雪崩特性。该器件是特别完善
适用于高效率开关模式电源，电源
因数校正， UPS和半个电子镇流器基地
桥梁。
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
连续漏电流（ @ T = 100 ℃ ）
I
DM
V
GS
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
减额在25℃以上因素
T
J
,T
英镑
T
L
结温和存储温度
通道温度
0.4
-55~150
300
W/℃
℃
℃
漏电流脉冲
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散（ @ TC = 25 ℃ ）
(Note2)
(Note1)
(Note3)
(Note1)
6.0*
40*
±30
713
18
4.5
50
A
A
V
mJ
mJ
V / ns的
W
漏源电压
连续漏电流（ @ T = 25 ℃ ）
参数
价值
600
10*
单位
V
A
*
漏电流受最高结温
热特性
符号
R
QJC
R
qJA
参数
热阻，结-to -Case
热阻，结到 - 环境
价值
民
-
-
典型值
-
-
最大
2.5
62.5
单位
℃/W
℃/W
Rev.A的Sep.2010
版权所有@ WinSemi半导体有限公司，保留所有权利。
WFF10N60
电气特性（ TC = 25 ℃ ）
特征
栅极漏电流
栅源击穿电压
漏切离型电流
漏极 - 源极击穿电压
栅极阈值电压
漏 - 源极导通电阻
正向跨导
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷（栅源
Qg
加栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（ "miller" ）充电
QGS
QGD
V
GS
=10V,
nC
I
D
=10A
(Note4,5)
-
-
6.9
12
-
-
tf
花花公子
V
DD
=480V,
-
34
45
R
G
=25，
(Note4,5)
-
-
214
85
300
165
符号
I
GSS
V
（ BR ） GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
政府飞行服务队
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
tr
吨
测试条件
V
GS
=±30V,V
DS
=0V
I
G
= ±10 μA ，V
DS
=0V
V
DS
=600V,V
GS
=0V
I
D
= 250 μA ，V
GS
=0V
V
DS
=10V,I
D
=250 A
V
GS
=10V,I
D
=4.75A
V
DS
=50V,I
D
=4.75A
V
DS
=25V,
V
GS
=0V,
f=1MHz
V
DD
=300V,
I
D
=10A，
民
-
±30
-
500
3
-
-
-
-
-
-
-
TYPE
-
-
-
-
-
0.66
8.2
1610
156
20
68
109
最大
±100
-
1
-
4.5
0.75
-
2065
210
26
91
150
单位
nA
V
A
V
V
S
pF
ns
源极 - 漏极额定值和特性（Ta = 25℃）
特征
连续漏电流反向
脉冲漏极电流反向
正向电压（二极管）
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
TRR
QRR
测试条件
-
-
I
DR
=10A,V
GS
=0V
I
DR
=10A,V
GS
=0V,
dI
DR
/ DT = 100 A / μs的
民
-
-
-
-
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TYPE
-
-
1.05
442
2.16
最大
10
38
1.4
633
3.24
单位
A
A
V
ns
C
注1.Repeativity评价：脉冲宽度有限的结温
2.L = 14.5mH我
AS
=10A,V
DD
=50V,R
G
= 0Ω ，起始物为
J
=25℃
3.I
SD
≤10A,di/dt≤300A/us,V
DD
<BV
DSS
，起始物为
J
=25℃
4.Pulse测试：脉冲Width≤300us ，职务Cycle≤2 ％
5.基本上是独立的工作温度。
此晶体管是静电敏感设备
请小心处理
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稳定，全方位为您提前
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