怀特电子设计
8Mx32 5V闪存模块
特点
100访问时间， 120为150ns
包装：
68引线40毫米（ 1.560" ）方形密封CQFP ，
5.2毫米（ 0.205" ）高（ 503包）
部门架构
按每个2Mx8 64K字节的32大小相等的行业
芯片
任何部门的结合可以被删除。还
支持整片擦除。
100,000次写/擦除周期最短
组织为8Mx32
商业，工业和军用温度
范围
5伏的读取和写入。 5V ±10 ％电源。
低功耗CMOS
WF8M32-XG4DX5
高级*
数据＃投票和切换位功能的检测
编程或擦除周期完成。
支持读取或编程数据到一个部门
不被删除。
RESET ＃引脚复位内部状态机的
阅读模式。 （不适用于用在HIP包
WF2M32-XHX5)
内置的去耦电容和多接地引脚
对于低噪音运行，独立电源和
接地层，以提高抗干扰能力。
内置缓冲。
*本产品正在开发中，是不是对外贸易资质网络编辑或特点，并须
更改或取消，恕不另行通知。
注：编程信息，请参阅闪存编程16M5应用笔记。
图1 - PIN CONFIGURATIONFOR
WF8M32-XG4DX5
顶视图
NC
A0
A1
A2
A3
A4
A5
CS1#
GND
CS3#
WE＃
A6
A7
A8
A9
A10
VCC
引脚说明
I/O0-31
A0-22
WE
CS1-4
OE
VCC
RESET
GND
NC
数据输入/输出
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
RESET
地
没有连接
9 8 7 6 5 4 3 2 1 68 67 66 65 64 63 62 61
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
GND
I/O8
I/O9
I/O10
I/O11
I/O12
I/O13
I/O14
I/O15
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
I/O16
I/O17
I/O18
I/O19
I/O20
I/O21
I/O22
I/O23
GND
I/O24
I/O25
I/O26
I/O27
I/O28
I/O29
I/O30
I/O31
框图
RESET＃
CS1-4#
WE＃
OE ＃
A0-22
1
1
接口
4
1
1
23
4
1
1
23
CS
1#
2M ×8
2M ×8
2M ×8
2M ×8
I / O
0-7
8
32
CS
2#
2M ×8
2M ×8
2M ×8
2M ×8
I / O
8-15
8
CS
3#
2M ×8
2M ×8
2M ×8
2M ×8
I / O
16-23
8
CS
4#
2M ×8
2M ×8
2M ×8
2M ×8
I / O
24-31
8
VCC
A11
A12
A13
A14
A15
A16
CS2#
OE ＃
CS4#
A17
A18
A19
A20
A21
RESET＃
A22
I / O
0-31
CS1 ＃选择I / O0-7 ， CS2 ＃选择I / O8-15 ， CS3 ＃选择I / O16-23 ， CS4 ＃选择I / O24-31
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绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
功耗
储存温度
短路输出电流
耐力 - 写/擦除周期
（MIL温度）
数据保留（MIL温度）
符号
V
T
P
T
T
英镑
I
OS
评级
-2.0到+7.0
8
-65到+125
100
100000分钟
20
单位
V
W
°C
mA
周期
岁月
WF8M32-XG4DX5
先进
电容
T
A
= +25°C
符号
参数
OE ＃电容
C
OE
WE＃电容
C
WE
CS1-4 ＃电容
C
CS
数据I / O容量
C
I / O
地址输入电容
C
AD
RESET ＃电容
C
RST
条件
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
I / O
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
最大
20
20
20
60
20
20
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
此参数由设计保证，但未经测试。
建议的直流工作条件
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
工作温度（MIL ）。
工作温度（工业级）
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
T
A
T
A
民
4.5
0
2.0
-0.5
-55
-40
典型值
5.0
0
—
—
—
—
最大
5.5
0
V
CC
+ 0.5
+0.8
+125
+85
单位
V
V
V
V
°C
°C
直流特性 - CMOS兼容
V
CC
= 5.0V ， GND = 0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电流为读（ 1 ）
V
CC
有源电流的编程或擦除（ 2 ）
V
CC
待机电流
输出低电压
输出高电压
低V
CC
锁定电压
符号
I
LI
I
LOx32
I
CC1
I
CC2
I
CC3
V
OL
V
OH
V
LKO
条件
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
CS ＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
中，f = 5MHz时，
CS ＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
V
CC
= 5.5 ， CS ＃ = V
IH
中，f = 5MHz时， RESET ＃ = V
CC
± 0.3V
I
OL
= 12.0毫安，V
CC
= 4.5
I
OH
= -2.5毫安，V
CC
= 4.5
民
最大
10
10
640
960
160
0.45
4.2
单位
A
A
mA
mA
mA
V
V
V
0.85× V
CC
3.2
注意事项：
1.列出的电流Icc电流包括直流工作电流和频率相关元件（ @为5MHz ） 。
的频率分量通常是不大于2mA /兆赫，使用OE ＃在V
IH
.
2. I
CC
积极而嵌入算法（编程或擦除）正在进行中。
3.直流测试条件V
IL
= 0.3V, V
IH
= V
CC
- 0.3V
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V
CC
= 5.0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
写周期时间
片选建立时间
写使能脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
写使能脉冲宽度高
的字节编程操作的持续时间（ 1 ）
扇区擦除（ 2 ）
阅读恢复时间之前写
V
CC
建立时间
芯片编程时间
芯片擦除时间（ 3 ）
输出使能保持时间（ 4 ）
RESET＃脉冲宽度
注意事项：
在t 1，典型值
WHWH1
是为7μs 。
对于T 2.典型值
WHWH2
是1秒。
芯片擦除时间3.典型值是32秒。
4.切换和数据查询。
WF8M32-XG4DX5
先进
交流特性 - 写/擦除/编程操作 - WE＃控制
符号
t
AVAV
t
ELWL
t
WLWH
t
AVWL
t
DVWH
t
WHDX
t
WLAX
t
WHWL
t
WHWH1
t
WHWH2
t
GHWL
t
VCS
t
WC
t
CS
t
WP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
WPH
民
100
0
50
0
50
0
50
20
-100
最大
民
120
0
50
0
50
0
50
20
-120
最大
民
150
0
50
0
50
0
50
20
-150
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
美国证券交易委员会
s
s
美国证券交易委员会
ns
ns
ns
单位
300
15
0
50
44
256
t
OEH
t
RP
10
500
10
500
0
50
300
15
0
50
44
256
10
500
300
15
44
256
交流特性 - 只读操作
V
CC
= 5.0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
芯片选择高到输出高Z（ 1 ）
输出使能高到输出高Z（ 1 ）
从地址输出保持， CS ＃或OE ＃
变化，无论是科幻RST
RST低到读模式（ 1 ）
1.由设计保证，未经测试。
符号
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ
t
GHQZ
t
AXQX
t
RC
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
t
DF
t
OH
TREADY
-100
民
100
最大
100
100
50
30
30
0
20
0
民
120
-120
最大
120
120
50
30
30
0
20
民
150
-150
最大
150
150
55
35
35
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
20
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V
CC
= 3.3V, V
SS
= 0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
写周期时间
写使能设置时间
片选脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
片选脉冲宽高
的字节编程操作的持续时间（ 1 ）
扇区擦除时间（ 2 ）
阅读恢复时间（ 2 ）
芯片编程时间
芯片擦除时间（ 3 ）
输出使能保持时间（ 4 ）
注意事项：
对于tWHWH1 1.典型值是为7μs 。
对于tWHWH2 2.典型值是1秒。
芯片擦除时间3.典型值是32秒。
4.切换和数据查询。
WF8M32-XG4DX5
先进
交流特性 - 写/擦除/编程操作 - CS ＃控制
符号
t
AVAV
t
WLEL
t
ELEH
t
AVEL
t
DVEH
t
EHDX
t
ELAX
t
EHEL
t
WHWH1
t
WHWH2
t
GHEL
t
WC
t
WS
t
CP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
CPH
民
100
0
50
0
50
0
50
20
-100
最大
民
120
0
50
0
50
0
50
20
-120
最大
民
150
0
50
0
50
0
50
20
-150
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
美国证券交易委员会
s
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
ns
单位
300
15
0
100
480
t
OEH
10
10
0
300
15
0
100
480
10
300
15
100
480
图2 - AC测试电路
参数
I
OL
电流源
AC测试条件
典型值
V
IL
= 0, V
IH
= 3.0
5
1.5
1.5
单位
V
ns
V
V
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
D.U.T.
C
EFF
= 50 pF的
V
Z
≈
1.5V
输出时序参考电平
（双极性电源供电）
I
OH
电流源
注意事项：
V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
＆放大器;我
OH
可编程从0到16毫安。
测试仪阻抗Z0 = 75 Ω 。
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
＆放大器;我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
图3 - 复位时序图
RESET＃
t
RP
t
准备
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WF8M32-XG4DX5
先进
图4 - AC波形读操作
t
DF
t
OH
地址稳定
t
RC
t
OE
t
加
t
CE
地址
WE＃
OE ＃
CS ＃
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输出
高Z
输出有效
IG
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