WF512K64-XG4WX5
HI-可靠性产品
512Kx64 5V闪存模块
特点
■
70访问时间， 90 ， 120 ，为150ns
■
包装
初步*
■
5伏编程。 5V ±10 ％电源。
■
低功耗CMOS ， 6.5毫安待机
■
嵌入式擦除和编程算法
■
TTL兼容输入和CMOS输出
■
内置式去耦电容的低噪音运行
■
页编程操作和内部程序控制时间
■
重量
WF512K64 - XG4WX5 - 20克典型
*此数据表描述了正在研发的产品，不能完全character-
化的，并且可随时更改，恕不另行通知。
注：编程可应要求提供的资料。
?? 116铅， 40毫米平方米，全封闭CQFP （ 504包）
■
10万次擦除/编程最低
■
部门架构
??每一个64K字节的8大小相等的行业
行业的任何组合可以同时删除。
还支持整片擦除
■
组织为512Kx64 ，用户可配置为1Mx32 ， 2Mx16 ，
或4Mx8 。
■
商用，工业和军用温度范围
图。 1
引脚配置WF512K64 ， XG4WX5
顶视图
I / O
2
I / O
1
I / O
0
V
CC
WE
2
CS
2
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
WE
1
CS
1
NC
CS
8
WE
8
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
NC
CS
7
WE
7
V
CC
I / O
63
I / O
62
I / O
61
A
0-18
OE
1
512K ×8
WE
1
CS
1
框图
WE
2
CS
2
WE
x
CS
x
WE
8
CS
8
2
512K ×8
......
8
8
512K ×8
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
GND
I / O
8
I / O
9
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
I / O
14
I / O
15
GND
I / O
16
I / O
17
I / O
18
I / O
19
I / O
20
I / O
21
I / O
22
I / O
23
GND
I / O
24
I / O
25
I / O
26
I / O
27
I / O
28
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
116
115
114
113
112
111
110
109
108
107
106
105
104
103
102
101
100
99
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
84
83
82
81
80
79
78
77
76
75
74
I / O
60
I / O
59
I / O
58
I / O
57
I / O
56
GND
I / O
55
I / O
54
I / O
53
I / O
52
I / O
51
I / O
50
I / O
49
I / O
48
GND
I / O
47
I / O
46
I / O
45
I / O
44
I / O
43
I / O
42
I / O
41
I / O
40
GND
I / O
39
I / O
38
I / O
37
I / O
36
I / O
35
8
8
8
I / O
0-7
I / O
8-15
I / O ...
I / O
56-63
针
I / O
0-63
A
0-18
WE
1-8
CS
1-8
OE
V
CC
GND
NC
描述
数据输入/输出
地址输入
写入启用
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
1999年5月Rev.2号
I / O
29
I / O
30
I / O
31
V
CC
WE
3
CS
3
NC
NC
A
18
A
17
A
16
A
15
WE
4
CS
4
OE
CS
5
WE
5
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
NC
CS
6
WE
6
V
CC
I / O
32
I / O
33
I / O
34
1
怀特电子设计公司凤凰城，亚利桑那州 （ 602 ） 437-1520
WF512K64-XG4WX5
绝对最大额定值
参数
工作温度
电源电压范围（V
CC
)
信号电压范围（除A的引脚
9
) (2)
存储温度范围
引线温度（焊接， 10秒）
数据保留（MIL温度）
耐力（写入/擦除周期） （军用温度）
A
9
电压保护部门（V
ID
) (3)
-55到+125
-2.0到+7.0
-2.0到+7.0
-65到+150
+300
20年
10万次分。
-2.0至14.0
V
单位
°C
V
V
°C
°C
参数
OE电容
WE电容
CS电容
数据I / O容量
地址输入电容
电容
(T
A
= +25°C)
符号
C
OE
C
WE
C
CS
C
I / O
C
AD
条件
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
I / O
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
最大
100
20
20
20
100
单位
pF
pF
pF
pF
pF
此参数由设计保证，但未经测试。
注意事项：
1.强调以上的绝对最大额定值可能会造成永久性的损害
到设备。在最高级别扩展操作可能会降低perfor-
性能并影响可靠性。
输入或I / O引脚2.最小直流电压为-0.5V 。期间的电压转换，
输入可能会过冲V
SS
至-2.0 V最高为20ns的周期。最大直流
电压输出和I / O引脚为V
CC
+ 0.5V 。期间的电压转换，输出
可能会过冲至Vcc + 2.0V，最高为20ns的周期。
3. A最小DC输入电压
9
引脚为-0.5V 。在电压转换，A
9
可能过冲VSS至-2V最高为20ns的时间。最大直流输入电压
上一个
9
是+ 13.5V这可能会过冲至14.0 V的时间高达20ns的。
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度。 （米尔）
工作温度。 （印第安纳州）
A
9
电压部门保护
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
T
A
V
ID
民
4.5
2.0
-0.5
-55
-40
11.5
最大
5.5
V
CC
+ 0.5
+0.8
+125
+85
12.5
单位
V
V
V
°C
°C
V
直流特性 - CMOS兼容
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电流为读（ 1 ）
V
CC
有源电流的编程或擦除（ 2 ）
V
CC
待机电流
V
CC
静态电流
输出低电压
输出高电压
符号
I
LI
I
LOx32
I
CC1
I
CC2
I
CC4
I
CC3
V
O
L
V
OH1
条件
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
CS = V
IL
， OE = V
IH
中，f = 5MHz时，
CS = V
IL
， OE = V
IH
V
CC
= 5.5 ， CS = V
IH
中，f = 5MHz时，
V
CC
= 5.5 ， CS = V
IH
I
OL
= 8.0毫安，V
CC
= 4.5
I
OH
= -2.5毫安，V
CC
= 4.5
0.85
X
民
最大
10
10
380
480
13
1.2
0.45
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
V
V
V
CC
低V
CC
锁定电压
V
LKO
3.2
4.2
V
注意事项：
1.我
CC
目前上市的包括直流工作电流和（在5 MHz ）的频率依赖分量。的频率分量通常是小于2mA /
兆赫，与OE在V
IH
.
2. I
CC
积极而嵌入算法（编程或擦除）正在进行中。
3.直流测试条件： V
IL
= 0.3V, V
IH
= V
CC
- 0.3V
怀特电子设计公司凤凰城，亚利桑那州 （ 602 ） 437-1520
2
WF512K64-XG4WX5
交流特性？写/擦除/编程操作， CS控
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
写周期时间
写使能设置时间
片选脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
片选脉冲宽高
的字节编程操作的持续时间（ 1 ）
芯片和扇区擦除时间（ 2 ）
阅读恢复时间
芯片编程时间
芯片擦除时间（ 3 ）
注意事项：
在t 1，典型值
WHWH1
是为7μs 。
对于T 2.典型值
WHWH1
是1秒。
芯片擦除时间3.典型值是8秒。
符号
民
t
AVAV
t
WLEL
t
ELEH
t
AVEL
t
DVEH
t
EHDX
t
ELAX
t
EHEL
t
WHWH1
t
WHWH2
t
GHEL
0
11
64
t
WC
t
WS
t
CP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
CPH
70
0
45
0
45
0
45
20
300
15
0
11
64
-70
最大
民
90
0
45
0
45
0
45
20
300
15
0
11
64
-90
最大
民
120
0
50
0
50
0
50
20
300
15
0
11
64
-120
最大
150
0
50
0
50
0
50
20
300
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
美国证券交易委员会
ns
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
-150
单位
图。 2
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
输出时序参考电平
典型值
V
IL
= 0, V
IH
= 3.0
5
1.5
1.5
单位
V
ns
V
V
AC测试电路
注意事项：
V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
＆放大器;我
OH
可编程从0到16毫安。
测试仪抗Z
0
= 75 ½.
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
人工晶状体& IOH被调整，以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
3
怀特电子设计公司凤凰城，亚利桑那州 （ 602 ） 437-1520
WF512K64-XG4WX5
AC特征 - 写/擦除/编程操作，我们控制
(V
CC
= 5.0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
写周期时间
片选建立时间
写使能脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
写使能脉冲宽度高
的字节编程操作的持续时间（ 1 ）
扇区擦除时间（ 2 ）
阅读恢复时间之前写
V
CC
建立时间
芯片编程时间
输出使能设置时间
输出使能保持时间（ 4 ）
芯片擦除时间（ 3 ）
注意事项：
在t 1，典型值
WHWH1
是为7μs 。
对于T 2.典型值
WHWH1
是1秒。
芯片擦除时间3.典型值是8秒。
4.切换和数据查询。
t
OES
t
OEH
0
10
64
符号
民
t
AVAV
t
ELWL
t
WLWH
t
AVWH
t
DVWH
t
WHDX
t
WHAX
t
WHWL
t
WHWH1
t
WHWH2
t
GHWL
t
VCS
0
50
11
0
10
64
t
WC
t
CS
t
WP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
WPH
70
0
45
0
45
0
45
20
300
15
0
50
11
0
10
64
-70
最大
民
90
0
45
0
45
0
45
20
300
15
0
50
11
0
10
64
-90
最大
民
120
0
50
0
50
0
50
20
300
15
0
50
11
-120
最大
民
150
0
50
0
50
0
50
20
300
15
-150
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
美国证券交易委员会
ns
s
美国证券交易委员会
ns
ns
美国证券交易委员会
单位
交流特性 - 只读操作
(V
CC
= 5.0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
芯片选择到输出高Z（ 1 ）
输出使能高到输出高Z（ 1 ）
从报告中， CS或OE变化输出保持，
取其科幻RST
1.设计保证，但未经测试
符号
民
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ
t
GHQZ
t
AXQX
t
RC
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
t
DF
t
OH
0
70
70
70
35
20
20
0
-70
最大
民
90
90
90
35
20
20
0
-90
最大
民
120
120
120
50
30
30
0
-120
最大
民
150
150
150
55
35
35
-150
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
怀特电子设计公司凤凰城，亚利桑那州 （ 602 ） 437-1520
4
WF512K64-XG4WX5
图。 3
AC波形进行读操作
t
DF
t
OH
地址稳定
t
RC
t
OE
t
加
t
CE
WE
OE
地址
5
怀特电子设计公司凤凰城，亚利桑那州 （ 602 ） 437-1520
输出
CS
高Z
输出有效
高Z
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