WF512K32-XXX5
HI-可靠性产品
512Kx32 5V闪存模块， SMD 5962-94612
特点
s
60的访问时间， 70 ， 90 ， 120 ，为150ns
s
包装
?? 66针， PGA型， 1.075 ＆ QUOT ;方形，密封
陶瓷HIP （ 400包
(1)
)
68领先， 40毫米，低电容密封CQFP
（ 501包）
68领先， 40毫米，薄型3.5毫米（ 0.140 ＆ QUOT ; ） ， CQFP
（ 502包）
68领先， 22.4毫米（ 0.880" ）薄型CQFP （ G2U ）的3.5mm
（ 0.140" ）高， （ 510包）
68领先， 23.9毫米（ 0.940" ）薄型CQFP （ G1U ）的3.5mm
（ 0.140 ＆ QUOT ; ）高， （ 519包）
s
10万次擦除/编程最低
s
部门架构
??每一个64K字节的8大小相等的行业
行业的任何组合可以同时删除。
还支持整片擦除
s
组织为512Kx32
s
商用，工业和军用温度范围
s
5伏编程。 5V
±
10％的供应。
s
低功耗CMOS ， 6.5毫安待机
s
嵌入式擦除和编程算法
s
TTL兼容输入和CMOS输出
s
内置式去耦电容的低噪音运行
s
页编程操作和内部程序控制时间
s
重量
WF512K32 - XG2UX5 - 8克典型
WF512K32 - XH1X5 - 13克典型
WF512K32 - XG4X5 - 20克典型
WF512K32 - XG4TX5 - 20克典型
WF512K32 - XG1UX5 - 5克典型
1.调用工厂PGA型（ HIP）封装选择。
注：请参阅Flash编程应用笔记4M5的算法。
图。 1
1
I / O
8
I / O
9
I / O
10
A
14
A
16
A
11
A
0
A
18
I / O
0
I / O
1
I / O
2
11
引脚配置WF512K32N ， XH1X5
顶视图
12
WE
2
CS
2
GND
I / O
11
A
10
A
9
A
15
V
CC
CS
1
NC
I / O
3
22
33
23
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
OE
A
17
WE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
24
I / O
25
I / O
26
A
7
A
12
NC
A
13
A
8
I / O
16
I / O
17
I / O
18
44
34
V
CC
CS
4
WE
4
I / O
27
A
4
A
5
A
6
WE
3
CS
3
GND
I / O
19
55
45
I / O
31
I / O
30
I / O
29
I / O
28
A
1
A
2
A
3
I / O
23
I / O
22
I / O
21
I / O
20
8
8
8
8
引脚说明
56
I / O
0-31
A
0-18
WE
1-4
CS
1-4
OE
V
CC
GND
NC
数据输入/输出
地址输入
写入启用
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
框图
宽E
1
CS
1
OE
A
0
-
18
512K ×8
512K ×8
宽E
2
CS
2
宽E
3
CS
3
宽E
4
CS
4
512K ×8
512K ×8
66
I / O
0-7
I / O
8-15
I / O
16-23
I / O
24-31
2001年4月第4版
1
怀特电子设计公司凤凰城，亚利桑那州 （ 602 ） 437-1520
WF512K32-XXX5
图。 2
引脚配置WF512K32F - XG4X5 （低电容）
和WF512K32 - XG4TX5
顶视图
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
CS
1
GND
CS
3
WE
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
V
CC
引脚说明
I / O
0-31
A
0-18
数据输入/输出
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
9 8 7 6 5 4 3 2 1 68 67 66 65 64 63 62 61
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
GND
I / O
8
I / O
9
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
I / O
14
I / O
15
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
8
8
8
WE
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
I / O
16
I / O
17
I / O
18
I / O
19
I / O
20
I / O
21
I / O
22
I / O
23
GND
I / O
24
I / O
25
I / O
26
I / O
27
I / O
28
I / O
29
I / O
30
I / O
31
CS
1-4
OE
V
CC
GND
NC
框图
CS
1
WE
OE
A
0-18
512K ×8
512K ×8
CS
2
CS
3
CS
4
512K ×8
512K ×8
8
V
CC
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
CS
2
OE
CS
4
A
17
A
18
NC
NC
NC
NC
NC
I / O
0-7
I / O
8-15
I / O
16-23
I / O
24-31
图。 3
引脚配置WF512K32 - XG2UX5和WF512K32 ， XG1UX5
顶视图
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
CS
3
GND
CS
4
WE
1
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
V
CC
引脚说明
I / O
0-31
数据输入/输出
A
0-18
I / O
16
I / O
17
I / O
18
I / O
19
I / O
20
I / O
21
I / O
22
I / O
23
GND
I / O
24
I / O
25
I / O
26
I / O
27
I / O
28
I / O
29
I / O
30
I / O
31
OE
A
0-18
512K ×8
512K ×8
9 8 7 6 5 4 3 2 1 68 67 66 65 64 63 62 61
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
GND
I / O
8
I / O
9
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
I / O
14
I / O
15
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
A
16
CS
1
OE
CS
2
A
17
WE
2
WE
3
WE
4
A
18
NC
NC
V
CC
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
地址输入
写入启用
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
WE
1-4
CS
1-4
OE
V
CC
GND
框图
WE
1
CS
1
WE
2
CS
2
WE
3
CS
3
WE
4
CS
4
512K ×8
512K ×8
8
8
8
8
I / O
0-7
I / O
8-15
I / O
16-23
I / O
24-31
怀特电子设计公司凤凰城，亚利桑那州 （ 602 ） 437-1520
2
WF512K32-XXX5
绝对最大额定值（ 1 ）
参数
工作温度
电源电压范围（V
CC
)
信号电压范围（除A的引脚
9
) (2)
存储温度范围
引线温度（焊接， 10秒）
数据保留（MIL温度）
耐力 - 写/擦除周期（MIL温度）
A
9
电压保护部门（V
ID
) (3)
-55到+125
-2.0到+7.0
-2.0到+7.0
-65到+150
+300
20年
10万次分。
-2.0至14.0
V
单位
°C
V
V
°C
°C
参数
OE电容
WE
1-4
电容
HIP （ PGA ）
CQFP G4T
CQFP G2U / G1U
CS
1-4
电容
数据I / O容量
地址输入电容
注意事项：
1.强调以上的绝对最大额定值可能会造成永久性的损害
到设备。在最高级别扩展操作可能会降低
性能和可靠性的影响。
输入或I / O引脚2.最小直流电压为-0.5V 。期间的电压转换，
输入可能会过冲V
SS
至-2.0 V最高为20ns的周期。最大直流
电压输出和I / O引脚为V
CC
+ 0.5V 。期间的电压转换，
输出可能会过冲至Vcc + 2.0V，最高为20ns的周期。
3. A最小DC输入电压
9
引脚为-0.5V 。在电压转换，A
9
可能过冲VSS至-2V最高为20ns的时间。最大直流输入
上的电压
9
是+ 13.5V这可能会过冲至14.0 V的时期
高达20ns的。
电容
(T
A
= +25°C)
符号
C
OE
C
WE
条件
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
20
50
15
C
CS
C
I / O
C
AD
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
I / O
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
20
20
50
pF
pF
pF
最大
50
单位
pF
pF
此参数由设计保证，但未经测试。
低电容CQFP
(T
A
= +25°C)
参数
OE电容
CQFP G4电容
CS
1-4
电容
数据I / O容量
地址输入
电容
符号
C
OE
C
WE
C
CS
C
I / O
C
AD
条件
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
I / O
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
最大
32
32
15
15
32
单位
pF
pF
pF
pF
pF
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度。 （米尔）
工作温度。 （印第安纳州）
A
9
电压部门保护
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
T
A
V
ID
民
4.5
2.0
-0.5
-55
-40
11.5
最大
5.5
V
CC
+ 0.5
+0.8
+125
+85
12.5
单位
V
V
V
°C
°C
V
此参数由设计保证，但未经测试。
直流特性 - CMOS兼容
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电流为读（ 1 ）
V
CC
有源电流的编程或擦除（ 2 ）
V
CC
待机电流
V
CC
静态电流
输出低电压
输出高电压
低V
CC
锁定电压
符号
I
LI
I
LOx32
I
CC1
I
CC2
I
CC4
I
CC3
V
OL
V
OH1
V
LKO
条件
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND或V
CC
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND或V
CC
CS = V
IL
， OE = V
IH
中，f = 5MHz时，
CS = V
IL
， OE = V
IH
V
CC
= 5.5 ， CS = V
IH
中，f = 5MHz时，
V
CC
= 5.5 ， CS = V
IH
I
OL
= 8.0毫安，V
CC
= 4.5
I
OH
= 2.5毫安， V
CC
= 4.5
0.85
X
民
最大
10
10
190
240
6.5
0.6
0.45
V
CC
4.2
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
V
V
V
3.2
DC测试条件： V
IL
= 0.3V, V
IH
= V
CC
- 0.3V
注意事项：
1.我
CC
目前上市的包括直流工作电流和（在5 MHz ）的频率依赖分量。的频率成分一般
小于2毫安/兆赫，使用OE在V
IH
.
2. I
CC
积极而嵌入算法（编程或擦除）正在进行中。
3
怀特电子设计公司凤凰城，亚利桑那州 （ 602 ） 437-1520
WF512K32-XXX5
交流特性？写/擦除/编程操作， CS控
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
写周期时间
写使能设置时间
片选脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
片选脉冲宽高
扇区擦除时间（ 2 ）
阅读恢复时间
芯片编程时间
芯片擦除时间（ 3 ）
注意事项：
在t 1，典型值
WHWH1
是为7μs 。
对于T 2.典型值
WHWH2
是1秒。
芯片擦除时间3.典型值是8秒。
符号
民
t
AVAV
t
WLEL
t
ELEH
t
AVEL
t
DVEH
t
EHDX
t
ELAX
t
EHEL
t
WHWH2
t
GHEL
0
11
64
t
WC
t
WS
t
CP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
CPH
60
0
40
0
40
0
40
20
300
15
0
11
64
-60
最大
民
70
0
45
0
45
0
45
20
300
15
0
11
64
-70
最大
民
90
0
45
0
45
0
45
20
300
15
0
11
64
-90
最大
民
120
0
50
0
50
0
50
20
300
15
0
11
64
-120
最大
-150
民
150
0
50
0
50
0
50
20
300
15
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
美国证券交易委员会
ns
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
单位
的字节编程操作（ 1 ）T时长
WHWH1
图。 4
AC测试电路
电流源
I
OL
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
D.U.T.
V
Z
典型值
V
IL
= 0, V
IH
= 3.0
5
1.5
1.5
单位
V
ns
V
V
≈
1.5V
输出时序参考电平
C
EFF
= 50 pF的
（双极性电源供电）
I
OH
电流源
注意事项：
V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
＆放大器;我
OH
可编程从0到16毫安。
测试仪抗Z
0
= 75
.
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
＆放大器;我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
怀特电子设计公司凤凰城，亚利桑那州 （ 602 ） 437-1520
4
WF512K32-XXX5
AC特征 - 写/擦除/编程操作，我们控制
(V
CC
= 5.0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
写周期时间
片选建立时间
写使能脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
写使能脉冲宽度高
的字节编程操作的持续时间（ 1 ）
扇区擦除时间（ 2 ）
阅读恢复时间之前写
V
CC
建立时间
芯片编程时间
输出使能设置时间
输出使能保持时间（ 4 ）
芯片擦除时间（ 3 ）
注意事项：
在t 1，典型值
WHWH1
是为7μs 。
对于T 2.典型值
WHWH2
是1秒。
芯片擦除时间3.典型值是8秒。
4.切换和数据查询。
t
OES
t
OEH
0
10
64
符号
民
t
AVAV
t
ELWL
t
WLWH
t
AVWH
t
DVWH
t
WHDX
t
WHAX
t
WHWL
t
WHWH1
t
WHWH2
t
GHWL
t
VCS
0
50
11
0
10
64
t
WC
t
CS
t
WP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
WPH
60
0
40
0
40
0
40
20
300
15
0
50
11
0
10
64
-60
最大
民
70
0
45
0
45
0
45
20
300
15
0
50
11
0
10
64
-70
最大
民
90
0
45
0
45
0
45
20
300
15
0
50
11
0
10
64
-90
最大
-120
民
120
0
50
0
50
0
50
20
300
15
0
50
11
最大
-150
民
0
50
0
50
0
50
20
300
15
最大
单位
WF512K32-XXX5
150
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
美国证券交易委员会
ns
s
美国证券交易委员会
ns
ns
美国证券交易委员会
交流特性 - 只读操作
(V
CC
= 5.0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
芯片选择到输出高Z（ 1 ）
输出使能高到输出高Z（ 1 ）
从报告中， CS或OE变化输出保持，
取其科幻RST
1.设计保证，但未经测试
符号
民
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ
t
GHQZ
t
AXQX
t
RC
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
t
DF
t
OH
0
60
60
60
30
20
20
0
-60
最大
民
70
70
70
35
20
20
0
-70
最大
民
90
90
90
35
20
20
0
-90
最大
民
120
120
120
50
30
30
0
-120
最大
-150
民
150
150
150
55
35
35
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
5
怀特电子设计公司凤凰城，亚利桑那州 （ 602 ） 437-1520
怀特电子设计
WF512K32-XXX5
512Kx32 5V闪存模块， SMD 5962-94612
特点
60的访问时间， 70 ， 90 ， 120 ，为150ns
包装
66针， PGA类型， 1.075"广场，密封
陶瓷HIP （ 400包
(1)
).
68铅， 40毫米，低电容全封闭
CQFP （ 501包）
1
68铅， 40毫米，低廓3.5毫米（ 0.140" ）
CQFP （ 502包）
1
68铅， 22.4毫米（ 0.880" ）低廓CQFP
（ G2U ） 3.5毫米（ 0.140 ＆ QUOT ; ）高， （ 510包）
1
68铅， 22.4毫米（ 0.880" ） CQFP （ G2L ） 5.08毫米
（ 0.200" ）高，包装（ 528 ）
商用，工业和军用温度
范围
5伏编程。 5V ±10 ％电源。
低功耗CMOS ， 6.5毫安待机
嵌入式擦除和编程算法
TTL兼容输入和CMOS输出
内置式去耦电容的低噪音运行
页编程操作和内部程序
控制时间
重量
WF512K32 - XG2UX5 - 8克典型
WF512K32N - XH1X5 - 13克典型
WF512K32 - XG4TX5
1
- 20克典型
WF512K32 - XG2LX5 - 8克典型
*本产品如有变更，恕不另行通知。
注1 ：套餐不建议用于新设计
见算法闪存编程应用笔记4M5 。
百万擦除/编程周期最短
部门架构
每一个64K字节的8大小相等的行业
任何部门的结合可以同时
删除。还支持整片擦除
组织为512Kx32
图1 - 引脚配置WF512K32N ， XH1X5
顶视图
1
I / O
8
I / O
9
I / O
10
A
14
A
16
A
11
A
0
A
18
I / O
0
I / O
1
I / O
2
11
22
12
WE
2
#
CS
2
#
GND
I / O
11
A
10
A
9
A
15
V
CC
CS
1
#
NC
I / O
3
33
23
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
OE ＃
A
17
WE
1
#
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
24
I / O
25
I / O
26
A
7
A
12
NC
A
13
A
8
I / O
16
I / O
17
I / O
18
44
34
V
CC
CS
4
#
WE
4
#
I / O
27
A
4
A
5
A
6
WE
3
#
CS
3
#
GND
I / O
19
55
45
I / O
31
I / O
30
I / O
29
I / O
28
A
1
A
2
56
引脚说明
I / O
0-31
A
0-18
WE
1-4
#
CS
1-4
#
OE ＃
V
CC
GND
NC
数据输入/输出
地址输入
写入启用
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
框图
A
3
WE
1
CS ＃
1
#
WE
2
CS ＃
2
#
WE
3
CS ＃
3
#
WE
4
CS ＃
4
#
I / O
23
I / O
22
I / O
21
OE ＃
A
0-18
512K ×8
512K ×8
512K ×8
512K ×8
8
8
8
8
I / O
20
66
I / O
0-7
I / O
8-15
I / O
16-23
I / O
24-31
2006年3月
启示录11
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
WF512K32-XXX5
图2 - 引脚配置WF512K32 ， XG4TX5
1
顶视图
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
CS
1
#
GND
CS
3
#
WE＃
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
V
CC
引脚说明
I / O
0-31
A
0-18
WE＃
CS
1-4
#
OE ＃
V
CC
GND
NC
数据输入/输出
地址输入
写入启用
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
9 8 7 6 5 4 3 2 1 68 67 66 65 64 63 62 61
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
GND
I / O
8
I / O
9
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
I / O
14
I / O
15
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
I / O
16
I / O
17
I / O
18
I / O
19
I / O
20
I / O
21
I / O
22
I / O
23
GND
I / O
24
I / O
25
I / O
26
I / O
27
I / O
28
I / O
29
I / O
30
I / O
31
框图
CS
1
#
WE＃
OE ＃
A
0-18
CS
2
#
CS
3
#
CS
4
#
512K ×8
512K ×8
512K ×8
512K ×8
CS
2
#
OE ＃
CS
4
#
V
CC
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
A
11
NC
NC
NC
NC
NC
8
8
8
8
I / O
0 - 7
I / O
8 - 15
I / O
16 - 23
I / O
24 - 31
注1 ：套餐不推荐用于新设计
图3 - 引脚配置WF512K32 - XG2UX5和WF512K32 ， XG2LX5
顶视图
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
CS
3
#
GND
CS
4
#
WE
1
#
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
V
CC
引脚说明
I / O
0-31
A
0-18
WE
1-4
#
CS
1-4
#
OE ＃
V
CC
GND
NC
数据输入/输出
地址输入
写入启用
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
9 8 7 6 5 4 3 2 1 68 67 66 65 64 63 62 61
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
GND
I / O
8
I / O
9
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
I / O
14
I / O
15
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
2728 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
V
CC
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
CS
1
#
OE ＃
CS
2
#
A
17
WE
2
#
WE
3
#
WE
4
#
A
18
NC
NC
I / O
16
I / O
17
I / O
18
I / O
19
I / O
20
I / O
21
I / O
22
I / O
23
GND
I / O
24
I / O
25
I / O
26
I / O
27
I / O
28
I / O
29
I / O
30
I / O
31
框图
WE
1
CS ＃
1
#
WE
2
CS ＃
2
#
WE
3
CS ＃
3
#
WE
4
CS ＃
4
#
OE ＃
A
0-18
512K ×8
512K ×8
512K ×8
512K ×8
8
8
8
8
I / O
0-7
I / O
8-15
I / O
16-23
I / O
24-31
2006年3月
启示录11
2
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
绝对最大额定值（ 1 ）
参数
单位
WF512K32-XXX5
电容
T
A
= +25°C
参数
OE ＃电容
WE
1-4
＃电容
HIP （ PGA ）
CQFP G4T
CQFP G2U / G2L
CS
1-4
＃电容
数据＃ I / O容量
地址输入电容
符号
条件
C
OE
V
IN
= 0V ， F = 1.0 MHz的
C
WE
V
IN
= 0V ， F = 1.0 MHz的
最大单位
50 pF的
pF
20
50
15
V
IN
= 0V ， F = 1.0 MHz的20 pF的
V
I / O
= 0V ， F = 1.0 MHz的20 pF的
V
IN
= 0V ， F = 1.0 MHz的50 pF的
工作温度
电源电压范围（V
CC
)
信号的电压范围（除A9的任何引脚）（2）
存储温度范围
引线温度（焊接， 10秒）
数据保留（MIL温度）
耐力 - 写/擦除周期（MIL温度）
A9电压保护部门（V
ID
) (3)
-55到+125
°C
-2.0到+7.0
V
-2.0到+7.0
V
-65到+150
°C
+300
°C
20年
1,000,000次循环分钟。
-2.0至14.0
V
注意事项：
1.强调以上的绝对最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。延长运行在最高水平可能会降低性能，
影响可靠性。
输入或I / O引脚2.最小直流电压为-0.5V 。在电压转换，输入
可能过冲VSS至-2.0 V最高为20ns的时间。在最大直流电压
输出I / O引脚为VCC + 0.5V 。在电压转换，输出可能会过冲
到Vcc + 2.0V，最高为20ns的周期。
3. A9引脚上的最小直流输入电压为-0.5V 。期间的电压转换， A9可
Vss的过冲至-2V最高为20ns的时间。在A9最大直流输入电压
+ 13.5V这可能会过冲至14.0 V的时间最多为20ns 。
C
CS
C
I / O
C
AD
此参数由设计保证，但未经测试。
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度。 （米尔）
工作温度。 （印第安纳州）
A
9
电压部门保护
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
T
A
V
ID
民
4.5
2.0
-0.5
-55
-40
11.5
最大
5.5
V
CC
+ 0.5
+0.8
+125
+85
12.5
单位
V
V
V
°C
°C
V
DC特性
V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ， -55°C
≤
T
A
≤
+125°C
参数
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电流为读（ 1 ）
V
CC
有源电流的编程或擦除（ 2 ）
V
CC
待机电流
V
CC
静态电流
输出低电压
输出高电压
低V
CC
锁定电压
符号
I
LI
I
LOx32
I
CC1
I
CC2
I
CC4
I
CC3
V
OL
V
OH1
V
LKO
条件
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
CS ＃ = V
IH
， OE ＃ = V
IH
, V
OUT
= GND到V
CC
CS ＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
中，f = 5MHz时，V
CC
= 5.5
CS ＃ = V
IH
， OE ＃ = V
IH
V
CC
= 5.5 ， CS = V
IH
中，f = 5MHz时，
V
CC
= 5.5 ， CS = V
IH
I
OL
= 8.0毫安，V
CC
= 4.5
I
OH
= 2.5毫安，V
CC
= 4.5
民
最大
10
10
190
240
6.5
0.6
0.45
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
V
V
0.85
X
V
CC
3.2
4.2
V
DC测试条件： VIL = 0.3V ， VIH = VCC - 0.3V
注意事项：
1.我
CC
目前上市的包括直流工作电流和频率依赖分量
（在5 MHz ） 。的频率分量通常是小于2mA /兆赫，使用OE在V
IH
.
2. I
CC
积极而嵌入算法（编程或擦除）正在进行中。
2006年3月
启示录11
3
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
V
CC
= 5.0V ， GND = 0V ， -55°C
≤
T
A
≤
+125°C
参数
写周期时间
写使能设置时间
片选脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
片选脉冲宽高
的字节编程操作的持续时间（ 1 ）
扇区擦除时间（ 2 ）
阅读恢复时间
芯片编程时间
芯片擦除时间（ 3 ）
注意事项：
在t 1，典型值
WHWH1
是为7μs 。
对于T 2.典型值
WHWH2
是1秒。
芯片擦除时间3.典型值是8秒。
符号
民
t
AVAV
t
WLEL
t
ELEH
t
AVEL
t
DVEH
t
EHDX
t
ELAX
t
EHEL
t
WHWH1
t
WHWH2
t
GHEL
0
11
64
t
WC
t
WS
t
CP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
CPH
60
0
40
0
40
0
40
20
300
15
0
11
64
-60
最大
民
70
0
45
0
45
0
45
20
300
15
0
11
64
-70
最大
民
90
0
45
0
45
0
45
20
300
15
-90
最大
WF512K32-XXX5
交流特性 - 写/擦除/编程操作， CS ＃控制
-120
民
120
0
50
0
50
0
50
20
300
15
0
11
64
0
11
64
最大
民
150
0
50
0
50
0
50
20
300
15
-150
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
美国证券交易委员会
ns
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
单位
图。 4 - AC测试电路
AC测试条件
I
OL
电流源
D.U.T.
C
EFF
= 50 pF的
V
Z
1.5V
参数
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
输出时序参考电平
典型值
V
IL
= 0, V
IH
= 3.0
5
1.5
1.5
单位
V
ns
V
V
（双极性电源供电）
I
OH
电流源
注意事项：
V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
＆放大器;我
OH
可编程从0到16毫安。
测试仪阻抗Z0 = 75
.
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
＆放大器;我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
2006年3月
启示录11
4
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
V
CC
= 5.0V ， GND = 0V ， -55°C
≤
T
A
≤
+125°C
参数
写周期时间
片选建立时间
写使能脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
写使能脉冲宽度高
的字节编程操作的持续时间（ 1 ）
扇区擦除时间（ 2 ）
阅读恢复时间之前写
VCC建立时间
芯片编程时间
输出使能设置时间
输出使能保持时间（ 4 ）
芯片擦除时间（ 3 ）
注意事项：
在t 1，典型值
WHWH1
是为7μs 。
对于T 2.典型值
WHWH2
是1秒。
芯片擦除时间3.典型值是8秒。
4.切换和数据查询。
t
OES
t
OEH
0
10
64
符号
民
t
AVAV
t
ELWL
t
WLWH
t
AVWH
t
DVWH
t
WHDX
t
WHAX
t
WHWL
t
WHWH1
t
WHWH2
t
GHWL
t
VCS
0
50
11
0
10
64
t
WC
t
CS
t
WP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
WPH
60
0
40
0
40
0
40
20
300
15
0
50
11
0
10
64
-60
最大
民
70
0
45
0
45
0
45
20
300
15
0
50
11
-70
最大
民
90
0
45
0
45
0
45
20
300
15
-90
最大
WF512K32-XXX5
交流特性 - 写/擦除/编程操作， WE＃控制
-120
民
120
0
50
0
50
0
50
20
300
15
0
50
11
0
10
64
0
10
64
0
50
11
最大
民
150
0
50
0
50
0
50
20
300
15
-150
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
美国证券交易委员会
ns
s
美国证券交易委员会
ns
ns
美国证券交易委员会
单位
交流特性 - 写/擦除/编程操作， WE＃控制
V
CC
= 5.0V ， -55°C
≤
T
A
≤
+125°C
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
芯片选择到输出高Z（ 1 ）
输出使能高到输出高Z（ 1 ）
从报告中， CS ＃或OE ＃输出保持
变化，无论是科幻RST
1.设计保证，但未经测试
符号
民
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ
t
GHQZ
t
AXQX
t
RC
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
t
DF
t
OH
0
60
60
60
30
20
20
0
-60
最大
民
70
70
70
35
20
20
0
-70
最大
民
90
90
90
35
20
20
0
-90
最大
民
120
120
120
50
30
30
0
-120
最大
民
150
150
150
55
35
35
-150
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
2006年3月
启示录11
5
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
WF512K32-XXX5
HI-可靠性产品
512Kx32 5V闪存模块， SMD 5962-94612
特点
s
60的访问时间， 70 ， 90 ， 120 ，为150ns
s
包装
?? 66针， PGA型， 1.075 ＆ QUOT ;方形，密封
陶瓷HIP （ 400包
(1)
)
68领先， 40毫米，低电容密封CQFP
（ 501包）
68领先， 40毫米，薄型3.5毫米（ 0.140 ＆ QUOT ; ） ， CQFP
（ 502包）
68领先， 22.4毫米（ 0.880" ）薄型CQFP （ G2U ）的3.5mm
（ 0.140" ）高， （ 510包）
68领先， 23.9毫米（ 0.940" ）薄型CQFP （ G1U ）的3.5mm
（ 0.140 ＆ QUOT ; ）高， （ 519包）
s
10万次擦除/编程最低
s
部门架构
??每一个64K字节的8大小相等的行业
行业的任何组合可以同时删除。
还支持整片擦除
s
组织为512Kx32
s
商用，工业和军用温度范围
s
5伏编程。 5V
±
10％的供应。
s
低功耗CMOS ， 6.5毫安待机
s
嵌入式擦除和编程算法
s
TTL兼容输入和CMOS输出
s
内置式去耦电容的低噪音运行
s
页编程操作和内部程序控制时间
s
重量
WF512K32 - XG2UX5 - 8克典型
WF512K32 - XH1X5 - 13克典型
WF512K32 - XG4X5 - 20克典型
WF512K32 - XG4TX5 - 20克典型
WF512K32 - XG1UX5 - 5克典型
1.调用工厂PGA型（ HIP）封装选择。
注：请参阅Flash编程应用笔记4M5的算法。
图。 1
1
I / O
8
I / O
9
I / O
10
A
14
A
16
A
11
A
0
A
18
I / O
0
I / O
1
I / O
2
11
引脚配置WF512K32N ， XH1X5
顶视图
12
WE
2
CS
2
GND
I / O
11
A
10
A
9
A
15
V
CC
CS
1
NC
I / O
3
22
33
23
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
OE
A
17
WE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
24
I / O
25
I / O
26
A
7
A
12
NC
A
13
A
8
I / O
16
I / O
17
I / O
18
44
34
V
CC
CS
4
WE
4
I / O
27
A
4
A
5
A
6
WE
3
CS
3
GND
I / O
19
55
45
I / O
31
I / O
30
I / O
29
I / O
28
A
1
A
2
A
3
I / O
23
I / O
22
I / O
21
I / O
20
8
8
8
8
引脚说明
56
I / O
0-31
A
0-18
WE
1-4
CS
1-4
OE
V
CC
GND
NC
数据输入/输出
地址输入
写入启用
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
框图
宽E
1
CS
1
OE
A
0
-
18
512K ×8
512K ×8
宽E
2
CS
2
宽E
3
CS
3
宽E
4
CS
4
512K ×8
512K ×8
66
I / O
0-7
I / O
8-15
I / O
16-23
I / O
24-31
2001年4月第4版
1
怀特电子设计公司凤凰城，亚利桑那州 （ 602 ） 437-1520
WF512K32-XXX5
图。 2
引脚配置WF512K32F - XG4X5 （低电容）
和WF512K32 - XG4TX5
顶视图
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
CS
1
GND
CS
3
WE
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
V
CC
引脚说明
I / O
0-31
A
0-18
数据输入/输出
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
9 8 7 6 5 4 3 2 1 68 67 66 65 64 63 62 61
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
GND
I / O
8
I / O
9
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
I / O
14
I / O
15
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
8
8
8
WE
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
I / O
16
I / O
17
I / O
18
I / O
19
I / O
20
I / O
21
I / O
22
I / O
23
GND
I / O
24
I / O
25
I / O
26
I / O
27
I / O
28
I / O
29
I / O
30
I / O
31
CS
1-4
OE
V
CC
GND
NC
框图
CS
1
WE
OE
A
0-18
512K ×8
512K ×8
CS
2
CS
3
CS
4
512K ×8
512K ×8
8
V
CC
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
CS
2
OE
CS
4
A
17
A
18
NC
NC
NC
NC
NC
I / O
0-7
I / O
8-15
I / O
16-23
I / O
24-31
图。 3
引脚配置WF512K32 - XG2UX5和WF512K32 ， XG1UX5
顶视图
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
CS
3
GND
CS
4
WE
1
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
V
CC
引脚说明
I / O
0-31
数据输入/输出
A
0-18
I / O
16
I / O
17
I / O
18
I / O
19
I / O
20
I / O
21
I / O
22
I / O
23
GND
I / O
24
I / O
25
I / O
26
I / O
27
I / O
28
I / O
29
I / O
30
I / O
31
OE
A
0-18
512K ×8
512K ×8
9 8 7 6 5 4 3 2 1 68 67 66 65 64 63 62 61
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
GND
I / O
8
I / O
9
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
I / O
14
I / O
15
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
A
16
CS
1
OE
CS
2
A
17
WE
2
WE
3
WE
4
A
18
NC
NC
V
CC
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
地址输入
写入启用
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
WE
1-4
CS
1-4
OE
V
CC
GND
框图
WE
1
CS
1
WE
2
CS
2
WE
3
CS
3
WE
4
CS
4
512K ×8
512K ×8
8
8
8
8
I / O
0-7
I / O
8-15
I / O
16-23
I / O
24-31
怀特电子设计公司凤凰城，亚利桑那州 （ 602 ） 437-1520
2
WF512K32-XXX5
绝对最大额定值（ 1 ）
参数
工作温度
电源电压范围（V
CC
)
信号电压范围（除A的引脚
9
) (2)
存储温度范围
引线温度（焊接， 10秒）
数据保留（MIL温度）
耐力 - 写/擦除周期（MIL温度）
A
9
电压保护部门（V
ID
) (3)
-55到+125
-2.0到+7.0
-2.0到+7.0
-65到+150
+300
20年
10万次分。
-2.0至14.0
V
单位
°C
V
V
°C
°C
参数
OE电容
WE
1-4
电容
HIP （ PGA ）
CQFP G4T
CQFP G2U / G1U
CS
1-4
电容
数据I / O容量
地址输入电容
注意事项：
1.强调以上的绝对最大额定值可能会造成永久性的损害
到设备。在最高级别扩展操作可能会降低
性能和可靠性的影响。
输入或I / O引脚2.最小直流电压为-0.5V 。期间的电压转换，
输入可能会过冲V
SS
至-2.0 V最高为20ns的周期。最大直流
电压输出和I / O引脚为V
CC
+ 0.5V 。期间的电压转换，
输出可能会过冲至Vcc + 2.0V，最高为20ns的周期。
3. A最小DC输入电压
9
引脚为-0.5V 。在电压转换，A
9
可能过冲VSS至-2V最高为20ns的时间。最大直流输入
上的电压
9
是+ 13.5V这可能会过冲至14.0 V的时期
高达20ns的。
电容
(T
A
= +25°C)
符号
C
OE
C
WE
条件
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
20
50
15
C
CS
C
I / O
C
AD
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
I / O
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
20
20
50
pF
pF
pF
最大
50
单位
pF
pF
此参数由设计保证，但未经测试。
低电容CQFP
(T
A
= +25°C)
参数
OE电容
CQFP G4电容
CS
1-4
电容
数据I / O容量
地址输入
电容
符号
C
OE
C
WE
C
CS
C
I / O
C
AD
条件
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
I / O
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
最大
32
32
15
15
32
单位
pF
pF
pF
pF
pF
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度。 （米尔）
工作温度。 （印第安纳州）
A
9
电压部门保护
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
T
A
V
ID
民
4.5
2.0
-0.5
-55
-40
11.5
最大
5.5
V
CC
+ 0.5
+0.8
+125
+85
12.5
单位
V
V
V
°C
°C
V
此参数由设计保证，但未经测试。
直流特性 - CMOS兼容
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电流为读（ 1 ）
V
CC
有源电流的编程或擦除（ 2 ）
V
CC
待机电流
V
CC
静态电流
输出低电压
输出高电压
低V
CC
锁定电压
符号
I
LI
I
LOx32
I
CC1
I
CC2
I
CC4
I
CC3
V
OL
V
OH1
V
LKO
条件
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND或V
CC
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND或V
CC
CS = V
IL
， OE = V
IH
中，f = 5MHz时，
CS = V
IL
， OE = V
IH
V
CC
= 5.5 ， CS = V
IH
中，f = 5MHz时，
V
CC
= 5.5 ， CS = V
IH
I
OL
= 8.0毫安，V
CC
= 4.5
I
OH
= 2.5毫安， V
CC
= 4.5
0.85
X
民
最大
10
10
190
240
6.5
0.6
0.45
V
CC
4.2
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
V
V
V
3.2
DC测试条件： V
IL
= 0.3V, V
IH
= V
CC
- 0.3V
注意事项：
1.我
CC
目前上市的包括直流工作电流和（在5 MHz ）的频率依赖分量。的频率成分一般
小于2毫安/兆赫，使用OE在V
IH
.
2. I
CC
积极而嵌入算法（编程或擦除）正在进行中。
3
怀特电子设计公司凤凰城，亚利桑那州 （ 602 ） 437-1520
WF512K32-XXX5
交流特性？写/擦除/编程操作， CS控
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
写周期时间
写使能设置时间
片选脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
片选脉冲宽高
扇区擦除时间（ 2 ）
阅读恢复时间
芯片编程时间
芯片擦除时间（ 3 ）
注意事项：
在t 1，典型值
WHWH1
是为7μs 。
对于T 2.典型值
WHWH2
是1秒。
芯片擦除时间3.典型值是8秒。
符号
民
t
AVAV
t
WLEL
t
ELEH
t
AVEL
t
DVEH
t
EHDX
t
ELAX
t
EHEL
t
WHWH2
t
GHEL
0
11
64
t
WC
t
WS
t
CP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
CPH
60
0
40
0
40
0
40
20
300
15
0
11
64
-60
最大
民
70
0
45
0
45
0
45
20
300
15
0
11
64
-70
最大
民
90
0
45
0
45
0
45
20
300
15
0
11
64
-90
最大
民
120
0
50
0
50
0
50
20
300
15
0
11
64
-120
最大
-150
民
150
0
50
0
50
0
50
20
300
15
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
美国证券交易委员会
ns
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
单位
的字节编程操作（ 1 ）T时长
WHWH1
图。 4
AC测试电路
电流源
I
OL
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
D.U.T.
V
Z
典型值
V
IL
= 0, V
IH
= 3.0
5
1.5
1.5
单位
V
ns
V
V
≈
1.5V
输出时序参考电平
C
EFF
= 50 pF的
（双极性电源供电）
I
OH
电流源
注意事项：
V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
＆放大器;我
OH
可编程从0到16毫安。
测试仪抗Z
0
= 75
.
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
＆放大器;我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
怀特电子设计公司凤凰城，亚利桑那州 （ 602 ） 437-1520
4
WF512K32-XXX5
AC特征 - 写/擦除/编程操作，我们控制
(V
CC
= 5.0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
写周期时间
片选建立时间
写使能脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
写使能脉冲宽度高
的字节编程操作的持续时间（ 1 ）
扇区擦除时间（ 2 ）
阅读恢复时间之前写
V
CC
建立时间
芯片编程时间
输出使能设置时间
输出使能保持时间（ 4 ）
芯片擦除时间（ 3 ）
注意事项：
在t 1，典型值
WHWH1
是为7μs 。
对于T 2.典型值
WHWH2
是1秒。
芯片擦除时间3.典型值是8秒。
4.切换和数据查询。
t
OES
t
OEH
0
10
64
符号
民
t
AVAV
t
ELWL
t
WLWH
t
AVWH
t
DVWH
t
WHDX
t
WHAX
t
WHWL
t
WHWH1
t
WHWH2
t
GHWL
t
VCS
0
50
11
0
10
64
t
WC
t
CS
t
WP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
WPH
60
0
40
0
40
0
40
20
300
15
0
50
11
0
10
64
-60
最大
民
70
0
45
0
45
0
45
20
300
15
0
50
11
0
10
64
-70
最大
民
90
0
45
0
45
0
45
20
300
15
0
50
11
0
10
64
-90
最大
-120
民
120
0
50
0
50
0
50
20
300
15
0
50
11
最大
-150
民
0
50
0
50
0
50
20
300
15
最大
单位
WF512K32-XXX5
150
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
美国证券交易委员会
ns
s
美国证券交易委员会
ns
ns
美国证券交易委员会
交流特性 - 只读操作
(V
CC
= 5.0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
芯片选择到输出高Z（ 1 ）
输出使能高到输出高Z（ 1 ）
从报告中， CS或OE变化输出保持，
取其科幻RST
1.设计保证，但未经测试
符号
民
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ
t
GHQZ
t
AXQX
t
RC
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
t
DF
t
OH
0
60
60
60
30
20
20
0
-60
最大
民
70
70
70
35
20
20
0
-70
最大
民
90
90
90
35
20
20
0
-90
最大
民
120
120
120
50
30
30
0
-120
最大
-150
民
150
150
150
55
35
35
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
5
怀特电子设计公司凤凰城，亚利桑那州 （ 602 ） 437-1520
