怀特电子设计
512Kx32 5V闪存模块， SMD 5962-94612
特点
n
60的访问时间， 70 ， 90 ， 120 ，为150ns
n
n
组织为512Kx32
WF512K32-XXX5
n
商用，工业和军用温度范围
n
5伏编程。 5V ±10 ％电源。
n
低功耗CMOS ， 6.5毫安待机
n
嵌入式擦除和编程算法
n
TTL兼容输入和CMOS输出
n
内置式去耦电容的低噪音运行
n
页编程操作和内部程序
包装
66针， PGA型， 1.075 ＆ QUOT ;方形，全封闭陶瓷
HIP （ 400包） 。
68领先， 40毫米，薄型3.5毫米（ 0.140 ＆ QUOT ; ） ， CQFP
（ 502包）
1
68领先， 23.9毫米（ 0.940" ）薄型CQFP （ G1U ）
3.5毫米（ 0.140" ）高， （ 519包）
68领先， 22.4毫米（ 0.880" ）薄型CQFP （ G2U ）
3.5毫米（ 0.140" ）高， （ 510包）
1
控制时间
n
重量
WF512K32N - XH1X5 - 13克典型
WF512K32 - XG4TX5
1
- 20克典型
WF512K32 - XG1UX5 - 5克典型
WF512K32 - XG2UX5
1
- 8克典型
n
10万次擦除/编程最低
n
部门架构
n
每一个64K字节的8大小相等的行业
n
任何部门的结合可以同时
删除。还支持整片擦除
注1 ：套餐不建议用于新设计
注2 ：见闪存编程应用笔记4M5的算法。
F
IG
. 1
P·C
IN
ONFIGUR ATION
F
OR
WF512K32N-XH1X5
IEW
T
OP
V
P
A0-18
WE1-4
CS1-4
OE
VCC
GND
NC
IN
D
ESCRIPTION
I / O0-31数据输入/输出
地址输入
写入启用
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
B
宽E
1
CS
1
OE
A
0
-
18
512K ×8
LOCK
D
IAGRAM
宽E
2
CS
2
宽E
3
CS
3
宽E
4
CS
4
512K ×8
512K ×8
512K ×8
8
8
8
8
I / O
0-7
I / O
8-15
I / O
16-23
I / O
24-31
2002年3月修订版6
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
怀特电子设计
F
IG
. 2
P·C
IN
ONFIGURATION
WF512K32-XXX5
P
A0-18
T
OP
F WF512K32 - XG4TX5
1
V
OR
IEW
IN
D
ESCRIPTION
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
CS
1
GND
CS
3
WE
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
V
CC
I / O0-31数据输入/输出
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
WE
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
I / O
16
I / O
17
I / O
18
I / O
19
I / O
20
I / O
21
I / O
22
I / O
23
GND
I / O
24
I / O
25
I / O
26
I / O
27
I / O
28
I / O
29
I / O
30
I / O
31
9 8 7 6 5 4 3 2 1 68 67 66 65 64 63 62 61
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
GND
I / O
8
I / O
9
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
I / O
14
I / O
15
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
CS1-4
OE
VCC
GND
NC
B
CS
1
A
0-18
WE
OE
LOCK
D
IAGR AM
CS
2
CS
3
CS
4
512K ×8
512K ×8
512K ×8
512K ×8
V
CC
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
CS
2
OE
CS
4
A
17
A
18
NC
NC
NC
NC
NC
8
8
8
8
I / O
0-7
I / O
8-15
I / O
16-23
I / O
24-31
F
IG
. 3
P·C
IN
ONFIGUR ATION
F
OR
WF512K32-XG2UX5
1
A
ND
WF512K32-XG1UX5
P
A0-18
IN
T
OP
V
IEW
D
ESCRIPTION
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
CS
3
GND
CS
4
WE
1
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
V
CC
I / O0-31数据输入/输出
地址输入
写入启用
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
I / O
16
I / O
17
I / O
18
I / O
19
I / O
20
I / O
21
I / O
22
I / O
23
GND
I / O
24
I / O
25
I / O
26
I / O
27
I / O
28
I / O
29
I / O
30
I / O
31
9 8 7 6 5 4 3 2 1 68 67 66 65 64 63 62 61
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
GND
I / O
8
I / O
9
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
I / O
14
I / O
15
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
A
16
CS
1
OE
CS
2
A
17
WE
2
WE
3
WE
4
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
V
CC
A
18
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
NC
NC
WE1-4
CS1-4
OE
VCC
GND
B
WE
1
CS
1
A
0-18
OE
LOCK
D
IAGRAM
WE
2
CS
2
WE
3
CS
3
WE
4
CS
4
512K ×8
512K ×8
512K ×8
512K ×8
8
8
8
8
I / O
0-7
I / O
8-15
I / O
16-23
I / O
24-31
注1 ：套餐不建议用于新设计
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
2
怀特电子设计
A
参数
BS LUTE
WF512K32-XXX5
C
（ TA = + 25 ° C）
APACITANCE
M
AXIMUM
R
AT I N的s
(1)
°C
V
V
°C
°C
参数
单位
工作温度
电源电压范围（V
CC
)
信号的电压范围（除A9的任何引脚）（2）
存储温度范围
引线温度（焊接， 10秒）
数据保留（MIL温度）
耐力 - 写/擦除周期（MIL温度）
A9电压保护部门（V
ID
) (3)
-55到+125
-2.0到+7.0
-2.0到+7.0
-65到+150
+300
20年
10万次分。
-2.0至14.0
符号
C
OE
C
WE
条件
最大
单位
OE电容
WE
1-4
电容
HIP （ PGA ）
CQFP G4T
CQFP G2U / G1U
CS
1-4
电容
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
50
20
50
15
pF
pF
C
CS
C
I / O
C
AD
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
I / O
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
20
20
50
pF
pF
pF
V
数据I / O容量
地址输入电容
注意事项：
1.强调以上的绝对最大额定值可能会造成永久性的损害
到设备。在最高级别扩展操作可能会降低
性能和可靠性的影响。
输入或I / O引脚2.最小直流电压为-0.5V 。期间的电压转换，
输入可能会过冲VSS至-2.0 V最高为20ns的时间。最大直流
电压输出和I / O引脚为VCC + 0.5V 。期间的电压转换，
输出可能会过冲至Vcc + 2.0V，最高为20ns的周期。
3. A9引脚上的最小直流输入电压为-0.5V 。期间的电压转换， A9的
可能过冲VSS至-2V最高为20ns的时间。最大直流输入
电压A9是+ 13.5V这可能会过冲至14.0 V的时间了
以20ns的。
此参数由设计保证，但未经测试。
L
参数
OW
C
CQFP
（ TA = + 25 ° C）
一个PACITA 权证
符号
条件
最大
单位
OE电容
CQFP G4电容
CS1-4电容
数据I / O容量
地址输入电容
COE
CWE
CCS
CI / O
CAD
VIN = 0 V ， F = 1.0 MHz的
VIN = 0 V ， F = 1.0 MHz的
VIN = 0 V ， F = 1.0 MHz的
VI / O = 0 V ， F = 1.0 MHz的
VIN = 0 V ， F = 1.0 MHz的
32
32
15
15
32
pF
pF
pF
pF
pF
此参数由设计保证，但未经测试。
R
参数
ECOMMENDED
O
P·E RAT我N G -
C
ONDITIONS
符号
民
最大
单位
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度。 （米尔）
工作温度。 （印第安纳州）
A
9
电压部门保护
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
T
A
V
ID
4.5
2.0
-0.5
-55
-40
11.5
5.5
V
CC
+ 0.5
+0.8
+125
+85
12.5
V
V
V
°C
°C
V
DC
- CMOS
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
HAR Cucumis Sativus查阅全文
OMPATIBLE
参数
符号
条件
民
最大
单位
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电流为读（ 1 ）
V
CC
有源电流的编程或擦除（ 2 ）
V
CC
待机电流
V
CC
静态电流
输出低电压
输出高电压
低V
CC
锁定电压
I
LI
I
LOx32
I
CC1
I
CC2
I
CC4
I
CC3
V
OL
V
OH1
V
LKO
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND或V
CC
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND或V
CC
CS = V
IL
， OE = V
IH
中，f = 5MHz时，
CS = V
IL
， OE = V
IH
V
CC
= 5.5 ， CS = V
IH
中，f = 5MHz时，
V
CC
= 5.5 ， CS = V
IH
I
OL
= 8.0毫安，V
CC
= 4.5
I
OH
= 2.5毫安， V
CC
= 4.5
0.85
X
10
10
190
240
6.5
0.6
0.45
V
CC
4.2
3.2
A
A
mA
mA
mA
mA
V
V
V
DC测试条件： VIL = 0.3V ， VIH = VCC - 0.3V
注意事项：
1.列出的IC卡的电流包括直流工作电流和（在5 MHz ）的频率依赖分量。的频率分量通常是较少than2
毫安/ MHz的，与OE的VIH 。
2. ICC活跃，而嵌入式算法（编程或擦除）正在进行中。
3
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
怀特电子设计
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
符号
-60
-70
WF512K32-XXX5
交流特性？写/擦除/编程操作， CS控
参数
-90
-120
-150
单位
民
最大
民
最大
民
最大
民
最大
民
最大
写周期时间
写使能设置时间
片选脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
片选脉冲宽高
的字节编程操作的持续时间（ 1 ）
扇区擦除时间（ 2 ）
阅读恢复时间
芯片编程时间
芯片擦除时间（ 3 ）
注意事项：
对于tWHWH1 1.典型值是为7μs 。
对于tWHWH2 2.典型值是1秒。
芯片擦除时间3.典型值是8秒。
t
AVAV
t
WLEL
t
ELEH
t
AVEL
t
DVEH
t
EHDX
t
ELAX
t
EHEL
t
WHWH1
t
WHWH2
t
GHEL
t
WC
t
WS
t
CP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
CPH
60
0
40
0
40
0
40
20
300
15
0
11
64
70
0
45
0
45
0
45
20
300
15
0
11
64
90
0
45
0
45
0
45
20
300
15
0
11
64
120
0
50
0
50
0
50
20
300
15
0
11
64
150
0
50
0
50
0
50
20
300
15
0
11
64
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
美国证券交易委员会
ns
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
F。 4 AC牛逼
IG
美东时间
C
IRCUIT
AC牛逼
参数
美东时间
C
ONDITIONS
典型值
单位
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
V
IL
= 0, V
IH
= 3.0
5
1.5
V
ns
V
输出时序参考电平
1.5
V
注意事项：
VZ的可编程范围为-2V至+ 7V 。
IOL & IOH可编程从0到16毫安。
测试仪阻抗Z0 = 75
W
.
VZ典型VOH和VOL的中点。
人工晶状体& IOH被调整，以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
4
怀特电子设计
AC - C
参数
极特
WF512K32-XXX5
PERATIONS
ONTROLLED
TO
?? W / ê
/P
O
我们
（ VCC = 5.0V ， TA = -55°C
+125°C)
RITE
R A SE
ROGR AM
符号
-60
-70
-90
民
最大
民
最大
民
-120
-150
单位
最大
写周期时间
片选建立时间
写使能脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
写使能脉冲宽度高
的字节编程操作的持续时间（ 1 ）
扇区擦除时间（ 2 ）
阅读恢复时间之前写
V
CC
建立时间
芯片编程时间
输出使能设置时间
输出使能保持时间（ 4 ）
芯片擦除时间（ 3 ）
t
AVAV
t
ELWL
t
WLWH
t
AVWH
t
DVWH
t
WHDX
t
WHAX
t
WHWL
t
WHWH1
t
WHWH2
t
GHWL
t
WC
t
CS
t
WP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
WPH
60
0
40
0
40
0
40
20
300
15
0
70
0
45
0
45
0
45
20
300
15
0
50
11
11
0
10
64
64
90
0
45
0
45
0
45
20
300
15
0
50
11
0
10
64
120
0
50
0
50
0
50
20
WF512K32-XXX5
150
ns
0
50
0
50
0
50
20
300
15
0
50
11
0
10
64
0
10
64
0
50
11
300
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
美国证券交易委员会
ns
s
美国证券交易委员会
ns
ns
美国证券交易委员会
民
最大
民
最大
t
VCS
50
t
OES
t
OEH
0
10
注意事项：
对于tWHWH1 1.典型值是为7μs 。
对于tWHWH2 2.典型值是1秒。
芯片擦除时间3.典型值是8秒。
4.切换和数据查询。
AC - C
R
O
（ VCC = 5.0V ， TA = -55°C
HAR动感画S
EAD
参数
符号
-60
民
最大
NLY
TO
O
+125°C)
最大
民
PER ATIONS
-70
-90
-120
-150
单位
民
最大
民
最大
民
最大
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
芯片选择到输出高Z（ 1 ）
输出使能高到输出高Z（ 1 ）
从报告中， CS或OE变化输出保持，
取其科幻RST
1.设计保证，但未经测试
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ
t
GHQZ
t
AXQX
t
RC
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
t
DF
t
OH
60
60
60
30
20
20
0
70
70
70
35
20
20
0
90
90
90
35
20
20
0
120
120
120
50
30
30
0
150
150
150
55
35
35
0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
QQ：2880707522 复制
