怀特电子设计
1Mx32 3.3V闪存模块
特点
100访问时间， 120为150ns
■
包装
66针， PGA类型， 1.185"广场，密封
陶瓷HIP （ 401包）
68引线，低廓CQFP （ G2T ） ， 4.6毫米
（ 0.180" ）的平方（ 509包）
■
■
百万次擦除/编程
部门架构
一个16K字节， 2 8K字节， 32K字节1和
在字节模式下连接fteen 64K字节
行业的任何组合可以同时
删除。还支持整片擦除
■
■
■
组织为1Mx32
商用，工业和军用温度
范围
3.3伏的读取和写入操作
■
■
■
■
■
■
■
WF1M32B-XXX3
引导扇区代码架构（下）
低功耗CMOS ， 1.0毫安待机
嵌入式擦除和编程算法
内置式去耦电容的低噪音运行
擦除挂起/恢复
支持或编程数据来读取数据
一个部门不被擦除
低电流消耗
典型值在5MHz ：
40毫安读操作工作电流
80毫安编程/擦除电流
重量
WF1M32B - XG2TX3 -8克典型
WF1M32B - XHX3 -13克典型
注意：对于编程的信息，请参阅闪存编程8M3应用笔记。
引脚配置WF1M32B ， XHX3
顶视图
1
I / O
8
I / O
9
I / O
10
A
14
A
16
A
11
A
0
A
18
I / O
0
I / O
1
I / O
2
11
22
12
RESET＃
引脚说明
I/O0-31
A0-19
数据输入/输出
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
RESET
电源
地
没有连接
23
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
OE ＃
A
17
WE＃
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
33
I / O
24
I / O
25
I / O
26
A
7
A
12
NC
A
13
A
8
I / O
16
I / O
17
I / O
18
34
V
CC
CS
4
#
NC
I / O
27
A
4
A
5
A
6
NC
CS
3
#
GND
I / O
19
44
45
I / O
31
I / O
30
I / O
29
I / O
28
A
1
A
2
A
3
I / O
23
I / O
22
I / O
21
56
WE＃
CS1-4#
OE ＃
RESET＃
V
CC
GND
NC
CS
2
#
GND
I / O
11
A
10
A
9
A
15
V
CC
CS
1
#
A
19
I / O
3
框图
CS1#
RESET＃
WE＃
OE ＃
A0-19
1M ×8
1M ×8
CS2#
CS3#
CS4#
1M ×8
1M ×8
I / O
20
55
66
8
8
8
8
I/O0-7
I/O8-15
I/O16-23
I/O24-31
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2006年3月
启5
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
引脚CON组fi guration为WF1M32B ， XG2TX3
顶视图
RESET＃
A0
A1
A2
A3
A4
A5
CS3#
GND
CS4#
WE1#
A6
A7
A8
A9
A10
V
CC
WF1M32B-XXX3
引脚说明
I/O0-31
A0-19
WE1-4
数据输入/输出
地址输入
写入启用
芯片选择
OUTPUT ENABLE
复位/掉电
电源
地
9 8 7 6 5 4 3 2 1 68 67 66 65 64 63 62 61
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
GND
I/O8
I/O9
I/O10
I/O11
I/O12
I/O13
I/O14
I/O15
10
60
11
59
12
58
13
57
14
56
15
55
16
54
17
53
18
52
19
51
20
50
21
49
22
48
23
47
24
46
25
45
26
44
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
V
CC
A11
A12
A13
A14
A15
A16
CS1#
OE ＃
CS2#
A17
WE2#
WE3#
WE4#
A18
A19
NC
I/O16
I/O17
I/O18
I/O19
I/O20
I/O21
I/O22
I/O23
GND
I/O24
I/O25
I/O26
I/O27
I/O28
I/O29
I/O30
I/O31
CS1-4
OE
RESET
V
CC
白68引G2T CQFP网络的LLS
同样的网络连接T和函数作为JEDEC的68引线
CQFJ或68 PLCC 。但G2T有
的TCE和铅检测的优势
CQFP形式。
GND
框图
WE1 ＃ CS1 ＃
RESET＃
OE ＃
A0-19
WE2 ＃ CS2 ＃
WE3 ＃ CS3 ＃
WE4 ＃ CS4 ＃
1M ×8
1M ×8
1M ×8
1M ×8
8
8
8
8
I/O0-7
I/O8-15
I/O16-23
I/O24-31
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2006年3月
启5
2
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
绝对最大额定值
参数
工作温度
电源电压范围（V
CC
)
信号电压范围
存储温度范围
引线温度（焊接， 10秒）
耐力（写入/擦除周期）
-55到+125
-0.5到+4.0
-0.5到+0.5的Vcc
-65到+150
+300
百万分钟。
单位
°C
V
V
°C
°C
周期
WF1M32B-XXX3
电容
T
A
= +25°C
符号
参数
OE ＃电容
C
OE
WE＃ 1-4电容
C
WE
CS1-4电容
C
CS
数据I / O容量
C
I / O
地址输入电容
C
AD
条件
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
I / O
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
最大
50
20
20
20
50
单位
pF
pF
pF
pF
pF
注意事项：
1.强调以上的绝对最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。延长运行在最高水平可能会降低性能，
影响可靠性。
此参数由设计保证，但未经测试。
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度。 （米尔）
工作温度。 （印第安纳州）
符号
民
最大
3.0
3.6
V
CC
V
IH
0.7× V
CC
V
CC
+ 0.3
V
IL
-0.5
+0.8
T
A
-55
+125
T
A
-40
+85
单位
V
V
V
°C
°C
参数
最小数据模式
保留时间
数据保留
测试条件
150°C
125°C
民
10
20
单位
岁月
岁月
直流特性 - CMOS兼容
V
CC
= 3.3V, V
SS
= 0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电流为读（ 1 ）
V
CC
有源电流的编程或擦除（ 2 ）
V
CC
待机电流
输出低电压
输出高电压
低V
CC
锁定电压（ 4 ）
符号
I
LI
I
LOx32
I
CC1
I
CC2
I
CC3
V
OL
V
OH1
V
LKO
条件
V
CC
= 3.6, V
IN
= GND或V
CC
V
CC
= 3.6, V
IN
= GND或V
CC
CS ＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
中，f = 5MHz时，
CS ＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
V
CC
= 3.6 ， CS = V
IH
中，f = 5MHz时，
I
OL
= 5.8毫安，V
CC
= 3.0
I
OH
= -2.0毫安，V
CC
= 3.0
民
最大
10
10
120
140
200
0.45
2.5
单位
A
A
mA
mA
A
V
V
V
0.85
X
V
CC
2.3
注意事项：
1.我
CC
目前上市的包括直流工作电流和（在5 MHz ）的频率依赖分量。的频率分量通常是小于8毫安/兆赫，以
OE ＃在V
IH
.
2. I
CC
积极而嵌入算法（编程或擦除）正在进行中。
3.直流测试条件： V
IL
= 0.3V, V
IH
= V
CC
- 0.3V
4.设计保证，但未经测试。
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2006年3月
启5
3
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
V
CC
= 3.3V, V
SS
= 0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
写周期时间
写使能设置时间
片选脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
片选脉冲宽高
的字节编程操作的持续时间（ 1 ）
扇区擦除时间
阅读恢复时间（ 2 ）
芯片编程时间
在t 1，典型值
WHWH1
是为9μs。
2.设计保证，但未经测试。
WF1M32B-XXX3
交流特性 - 写/擦除/编程操作 - CS ＃控制
符号
t
AVAV
t
WLEL
t
ELEH
t
AVEL
t
DVEH
t
EHDX
t
ELAX
t
EHEL
t
WHWH1
t
WHWH2
t
GHEL
t
WC
t
WS
t
CP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
CPH
民
100
0
45
0
45
0
45
20
-100
最大
民
120
0
50
0
50
0
50
20
-120
最大
民
150
0
50
0
50
0
50
20
-150
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
美国证券交易委员会
s
美国证券交易委员会
单位
300
15
0
50
0
300
15
0
50
300
15
50
AC测试电路
参数
I
OL
电流源
AC测试条件
典型值
V
IL
= 0, V
IH
= 2.5
5
1.5
1.5
单位
V
ns
V
V
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
D.U.T.
C
EFF
= 50 pF的
V
Z
≈
1.5V
输出时序参考电平
（双极性电源供电）
I
OH
电流源
注意事项：
V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
＆放大器;我
OH
可编程从0到16毫安。
测试仪阻抗Z0 = 75 Ω 。
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
＆放大器;我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2006年3月
启5
4
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
V
CC
= 3.3V, V
SS
= 0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
写周期时间
片选建立时间
写使能脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
写使能脉冲宽度高
的字节编程操作的持续时间（ 1 ）
扇区擦除
阅读恢复时间写前（ 3 ）
VCC建立时间
芯片编程时间
输出使能设置时间
输出使能保持时间（ 2 ）
在t 1，典型值
WHWH1
是为9μs。
2.切换和数据查询。
3.设计保证，但未经测试。
WF1M32B-XXX3
交流特性 - 写/擦除/编程操作 - WE＃控制
符号
t
AVAV
t
ELWL
t
WLWH
t
AVWL
t
DVWH
t
WHDX
t
WLAX
t
WHWL
t
WHWH1
t
WHWH2
t
GHWL
t
VCS
t
WC
t
CS
t
WP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
WPH
民
100
0
50
0
50
0
50
30
-100
最大
民
120
0
50
0
50
0
50
30
-120
最大
民
150
0
65
0
65
0
65
35
-150
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
美国证券交易委员会
s
s
美国证券交易委员会
ns
ns
单位
300
15
0
50
50
t
OES
t
OEH
0
10
0
10
0
50
300
15
0
50
50
0
10
300
15
50
交流特性 - 只读操作
V
CC
= 3.3V, V
SS
= 0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
芯片选择高到输出高Z（ 1 ）
输出使能高到输出高Z（ 1 ）
从地址输出保持， CS ＃或OE ＃
变化，无论是科幻RST
1.由设计保证，未经测试。
符号
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ
t
GHQZ
t
AXQX
t
RC
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
t
DF
t
OH
民
100
-100
最大
100
100
40
30
30
0
0
民
120
-120
最大
120
120
50
30
30
0
民
150
-150
最大
150
150
55
40
40
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2006年3月
启5
5
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
QQ：2881677436 复制
