怀特电子设计
WEDPS512K32V-XBX
512Kx32 SRAM 3.3V多芯片封装
特点
12的访问时间， 15 ， 17 ， 20ns的
包装
143 PBGA ， 16毫米X 18毫米， 288毫米
2
组织为512Kx32 ;用户刀豆网络可配置为
1Mx16或2Mx8
商用，工业和军用温度
范围
低电压工作：
?? 3.3V ± 10 ％电源
本产品如有更改，恕不另行通知。
低功耗数据保持“L”选项
TTL兼容的输入和输出
全静态操作：
??无时钟或刷新必需的。
三态输出。
引脚配置WEDPS512K32V - XBX
顶视图
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
-
CS2#
D9
D10
WE2#
GND
VCC
CS1#
D1
D2
WE1#
GND
2
A2
A3
D8
D11
GND
GND
VCC
VCC
D0
D3
A6
A7
3
A1
A4
NC
GND
GND
GND
VCC
VCC
VCC
NC
A5
A8
4
A0
D14
D12
GND
GND
GND
VCC
VCC
VCC
D7
D6
A9
5
GND
D15
D13
GND
GND
GND
VCC
VCC
VCC
D5
D4
VCC
6
GND
NC
GND
GND
GND
GND
VCC
VCC
VCC
VCC
NC
VCC
7
VCC
CS4#
VCC
VCC
VCC
VCC
GND
GND
GND
GND
WE3#
GND
8
VCC
D24
D26
VCC
VCC
VCC
GND
GND
GND
D17
D19
GND
9
A18
D25
D27
VCC
VCC
VCC
GND
GND
GND
D16
D18
A10
10
A17
OE ＃
WE4#
VCC
VCC
VCC
GND
GND
GND
CS3#
A14
A11
11
A16
A15
D31
D28
VCC
VCC
GND
GND
D23
D20
A13
A12
12
GND
NC
D30
D29
NC
VCC
GND
NC
D22
D21
NC
VCC
引脚说明
I / O
0-31
A
0-18
WE
1-4
#
CS
1-4
#
OE ＃
V
CC
GND
NC
数据输入/输出
地址输入
写入启用
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
8
WE
1
CS ＃
1
#
OE ＃
A
0-18
框图
WE
2
CS ＃
2
#
WE
3
CS ＃
3
#
WE
4
CS ＃
4
#
512K ×8
512K ×8
512K ×8
512K ×8
8
8
8
I / O
0 - 7
I / O
8 - 15
I / O
16 - 23
I / O
24 - 31
2004年6月
启5
1
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怀特电子设计
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
信号电压相对于GND
结温
电源电压
符号
T
A
T
英镑
V
G
T
J
V
CC
民
-55
-65
-0.5
-0.5
最大
+125
+150
4.6
150
4.6
单位
°C
°C
V
°C
V
CS ＃
H
L
L
L
OE ＃
X
L
X
H
WE＃
X
H
L
H
WEDPS512K32V-XBX
真值表
模式
待机
读
写
输出禁用
数据I / O
高Z
数据输出
DATA IN
高Z
动力
待机
活跃
活跃
活跃
BGA封装热阻
符号
结到环境（无空中溢流）
的Theta JA
结到球
热阻JB
结到外壳（顶部）
西塔JC
参数
最大
16.9
11.3
9.8
单位
° C / W
° C / W
° C / W
记
1
1
1
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
IH
V
IL
民
3.0
2.2
-0.3
最大
3.6
V
CC
+ 0.3
+0.8
单位
V
V
V
注：请参阅应用笔记"PBGA热阻Correlation"在
www.wedc.com在应用程序说明部分进行建模的条件。
电容
TA = + 25°C
参数
OE ＃电容
WE
1-4
＃电容
CS
1-4
＃电容
数据I / O容量
地址输入电容
符号
C
OE
C
WE
C
CS
C
I / O
C
AD
条件
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
I / O
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
最大
30
10
10
10
30
单位
pF
pF
pF
pF
pF
此参数由设计保证，但未经测试。
DC特性
V
CC
= 3.3V ± 0.3V ， -55°C
≤
T
A
≤
+125°C
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流（ ×32模式）
待机电流
输出低电压
输出高电压
符号
I
LI
I
LO
I
CC
x 32
I
SB
V
OL
V
OH
条件
V
IN
= GND到V
CC
CS ＃ = V
IH
， OE ＃ = V
IH
, V
OUT
= GND到V
CC
CS ＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
中，f = 5MHz时，V
CC
= 3.6V
CS ＃ = V
IH
， OE ＃ = V
IH
中，f = 5MHz时，V
CC
= 3.6V
I
OL
= 4.0毫安
I
OH
= -4.0mA
民
最大
10
10
400
120
0.4
单位
A
A
mA
mA
V
V
2.4
注： DC测试条件： V
IH
= V
CC
-0.3V, V
IL
= 0.3V.
联系工厂的低功耗选项。
数据保持特性（仅WEDPS512K32LV - XBX ）
-55°C
≤
T
A
≤
+125°C
参数
数据保持电压
数据保持电流
2004年6月
启5
符号
V
CC
I
CCDR
条件
V
CC
= 2.19V
CS = V
CC
- 0.2V
2
民
2.19
最大
单位
V
8.0
mA
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怀特电子设计
AC特性
V
CC
= 3.3V ， -55°C
≤
T
A
≤
+125°C
参数
读周期
读周期时间
地址访问时间
从地址变更输出保持
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出中低Z
输出使能到输出中低Z
芯片禁用高Z输出
输出禁止到输出中高Z
1.此参数由设计保证，但未经测试。
WEDPS512K32V-XBX
符号
t
RC
t
AA
t
OH
t
ACS
t
OE
t
CLZ
1
t
OLZ
1
t
CHZ
1
t
OHZ
1
民
12
0
-12
最大
12
0
12
7
1
0
7
7
1
0
民
15
-15
最大
15
0
15
8
1
0
8
8
民
17
-17
最大
17
0
17
8
1
0
8
8
民
20
-20
最大
20
20
10
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10
10
AC特性
V
CC
= 3.3V ， -55°C
≤
T
A
≤
+125°C
参数
写周期
写周期时间
片选写的结束
地址有效到写结束
数据有效到写结束
把脉冲宽度
地址建立时间
地址保持时间
输出写入结束活动
写使能到输出中高Z
数据保持时间
1.此参数由设计保证，但未经测试。
符号
民
t
WC
t
CW
t
AW
t
DW
t
WP
t
AS
t
AH
t
OW
1
t
WHZ
1
t
DH
12
10
10
8
10
0
0
2
-12
最大
民
15
12
12
9
12
0
0
2
7
0
0
-15
最大
民
17
12
12
9
14
0
0
3
8
0
-17
最大
民
20
14
14
10
14
0
0
3
8
0
-20
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
9
图4 - AC测试电路
AC测试条件
I
OL
电流源
参数
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
输出时序参考电平
V
Z
≈
1.5V
（双极性电源供电）
典型值
V
IL
= 0, V
IH
= 3.0
5
1.5
1.5
单位
V
ns
V
V
D.U.T.
C
EFF
= 50 pF的
I
OH
电流源
注意事项：
V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
＆放大器;我
OH
可编程从0到16毫安。
测试仪阻抗Z0 = 75 Ω 。
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
＆放大器;我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
2004年6月
启5
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WEDPS512K32V-XBX
时序波形 - 读周期
CS ＃
OE ＃
读周期2 （ CS ＃ = OE ＃ = V
IL
， WE＃ = V
IH
)
读周期2 （ WE＃ = V
IH
)
写周期 - WE＃控制
CS ＃
WE＃
写周期1 ， WE ＃控制
写周期 - CS ＃控制
CS ＃
WE＃
写周期2 ， CS ＃控制
2004年6月
启5
4
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WEDPS512K32V-XBX
套餐756 ： 143球栅阵列
底部视图
12 11 10 9
8
7
6
5 4
3
2
1
A
B
C
16.25 (0.640)
最大
13.97 (0.550)
BSC
1.27
(0.050)
BSC
D
E
F
G
H
J
K
L
M
1.27 （ 0.050 ） BSC
13.97 (0.550)
BSC
18.25 (0.719)
最大
0.61 (0.024)
BSC
1.93 (0.076)
最大
所有的线性尺寸为毫米，顺便为英寸
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