怀特电子设计
WEDPS512K32-XBX
512Kx32 SRAM多芯片封装
特点
12的访问时间， 15 ， 17 ， 20 ， NS
包装
16毫米X 18毫米， 143 PBGA
组织为512Kx32 ，用户刀豆网络可配置为
1Mx16或2Mx8
商用，工业和军用温度
范围
TTL兼容的输入和输出
5V电源
低功耗CMOS
本产品如有更改，恕不另行通知。
引脚配置WEDPS512K32 - XBX
顶视图
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
-
CS#2
D9
D10
WE#2
GND
V
CC
CS#1
D1
D2
WE#1
GND
2
A2
A3
D8
D11
GND
GND
V
CC
V
CC
D0
D3
A6
A7
3
A1
A4
NC
GND
GND
GND
V
CC
V
CC
V
CC
NC
A5
A8
4
A0
D14
D12
GND
GND
GND
V
CC
V
CC
V
CC
D7
D6
A9
5
GND
D15
D13
GND
GND
GND
V
CC
V
CC
V
CC
D5
D4
V
CC
6
GND
NC
GND
GND
GND
GND
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
NC
V
CC
7
V
CC
CS#4
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
GND
GND
GND
GND
WE#3
GND
8
V
CC
D24
D26
V
CC
V
CC
V
CC
GND
GND
GND
D17
D19
GND
9
A18
D25
D27
V
CC
V
CC
V
CC
GND
GND
GND
D16
D18
A10
10
A17
OE ＃
WE#4
V
CC
V
CC
V
CC
GND
GND
GND
CS#3
A14
A11
11
A16
A15
D31
D28
V
CC
V
CC
GND
GND
D23
D20
A13
A12
12
GND
NC
D30
D29
NC
V
CC
GND
NC
D22
D21
NC
V
CC
框图
宽E ＃ 1 CS ＃ 1
OE ＃
A0-18
宽E ＃ 2 CS ＃ 2
宽E ＃ 3 CS ＃ 3
宽E ＃ 4 CS ＃ 4
引脚说明
I/O0-31
A0-18
WE#1-4
CS#1-4
OE ＃
VCC
GND
NC
数据输入/输出
地址输入
写入启用
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
512K ×8
512K ×8
512K ×8
512K ×8
8
8
8
8
I/O0-7
I/O8-15
I/O16-23
I/O24-31
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
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1
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怀特电子设计
WEDPS512K32-XBX
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
信号电压相对于GND
结温
电源电压
符号
T
A
T
英镑
V
G
T
J
V
CC
-0.5
民
-55
-65
-0.5
最大
+125
+150
V
CC
+0.5
150
7.0
单位
°C
°C
V
°C
V
CS
H
L
L
L
OE
X
L
H
X
WE
X
H
H
L
真值表
模式
待机
读
输出禁用
写
数据I / O
高Z
数据输出
高Z
DATA IN
动力
待机
活跃
活跃
活跃
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度（ MIL）
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
民
4.5
2.2
-0.5
-55
最大
5.5
V
CC
+ 0.3
+0.8
+125
单位
V
V
V
°C
描述
BGA封装热阻
符号
的Theta JA
热阻JB
最大
16.5
11.3
单位
° C / W
° C / W
笔记
1
1
结到环境（无空中溢流）
结到球
° C / W
1
结到外壳（顶部）
西塔JC
9.8
注：请参阅应用笔记"PBGA热阻Correlation"在万维网。
whiteedc.com在应用程序说明部分进行建模的条件。
电容
(T
A
= +25°C)
参数
OE ＃电容
WE＃ 1-4电容
CS ＃ 1-4电容
数据I / O容量
符号
C
OE
C
WE
C
CS
C
I / O
条件
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
I / O
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
最大单位
30
10
10
10
30
pF
pF
pF
pF
pF
地址输入电容
C
AD
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
此参数由设计保证，但未经测试。
DC特性
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流×32模式
待机电流
输出低电压
输出高电压
注： DC测试条件： V
IH
= V
CC
-0.3V, V
IL
= 0.3V
符号
I
LI
I
LO
I
CC
x 32
I
SB
V
OL
V
OH
条件
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
CS ＃ = V
IH
， OE ＃ = V
IH
, V
OUT
= GND到V
CC
CS ＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
中，f = 5MHz时， VCC = 5.5
CS ＃ = V
IH
， OE ＃ = V
IH
中，f = 5MHz时， VCC = 5.5
I
OL
= 8毫安
I
OH
= -4.0mA
2.4
民
最大
10
10
660
80
0.4
单位
A
A
mA
mA
V
V
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2
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怀特电子设计
WEDPS512K32-XBX
AC特性
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
读周期
读周期时间
地址访问时间
从地址变更输出保持
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出中低Z
输出使能到输出中低Z
芯片禁用高Z输出
输出禁止到输出中高Z
1.此参数由设计保证，但未经测试。
符号
t
RC
t
AA
t
OH
t
ACS
t
OE
t
CLZ
1
t
OLZ
1
t
CHZ
1
1
-12
民
12
12
0
12
7
1
0
7
7
2
0
0
最大
民
15
-15
最大
15
0
15
8
2
0
12
12
民
17
-17
最大
17
0
17
9
2
0
12
12
民
20
-20
最大
20
20
10
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
12
12
ns
ns
t
OHZ
AC特性
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
读周期
写周期时间
片选写的结束
地址有效到写结束
数据有效到写结束
把脉冲宽度
地址建立时间
地址保持时间
输出写入结束活动
写使能到输出中高Z
数据保持时间
1.此参数由设计保证，但未经测试。
符号
t
WC
t
CW
t
AW
t
DW
t
WP
t
AS
t
AH
t
OW1
t
WHZ1
t
DH
0
-12
民
12
10
10
8
10
0
0
2
7
0
最大
民
15
13
13
10
13
2
0
2
8
0
-15
最大
民
17
15
15
11
15
2
0
2
9
0
-17
最大
民
20
15
15
12
15
2
0
3
11
-20
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
AC测试电路
参数
I
OL
电流源
AC测试条件
典型值
V
IL
= 0, V
IH
= 3.0
5
1.5
1.5
单位
V
ns
V
V
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
输出时序参考电平
D.U.T.
C
EFF
= 50 pF的
V
Z
≈ 1.5V
（双极性电源供电）
I
OH
电流源
注意事项：
V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
＆放大器;我
OH
可编程从0到16毫安。
测试仪阻抗Z0 = 75
.
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
＆放大器;我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
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WEDPS512K32-XBX
时序波形 - 读周期
t
RC
地址
t
RC
地址
t
AA
t
AA
CS ＃
t
ACS
t
CHZ
t
OH
数据I / O
以前的数据有效
数据有效
t
CLZ
OE ＃
t
OE
t
OHZ
数据有效
高阻抗
读周期2 （ WE＃ = V
IH
)
t
OLZ
数据I / O
读周期1 （ CS ＃ = OE ＃ = V
IL
， WE＃ = V
IH
)
写周期 - WE＃控制
t
WC
地址
t
AW
t
CW
CS ＃
t
AS
WE＃
t
WHZ
数据I / O
t
DW
t
WP
t
OW
t
DH
t
AH
数据有效
写周期1 ， WE ＃控制
写周期 - CS ＃控制
t
WC
地址
t
AW
t
AS
CS ＃
t
WP
WE＃
t
DW
数据I / O
t
DH
t
CW
t
AH
数据有效
写周期2 ， CS ＃控制
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怀特电子设计
WEDPS512K32-XBX
包装7043 ： 143球栅阵列
底部视图
12 11 10 9
8
7
6
5 4
3
2
1
A
B
C
16.25 (0.640)
最大
13.97 (0.550)
喃
1.27
(0.050)
喃
D
E
F
G
H
J
K
L
M
1.27 （ 0.050 ） NOM
13.97 (0.550)
喃
18.25 (0.719)
最大
所有的线性尺寸为毫米，顺便为英寸
0.61 (0.024)
喃
1.93 （ 0.076 ） MAX
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5
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怀特电子设计
512Kx32 SRAM多芯片封装
特点
n
12的访问时间， 15 ， 17 ， 20 ， NS
n
包装
16毫米X 18毫米， 143 PBGA
n
组织为512Kx32 ，用户可配置为1Mx16或
2Mx8
WEDPS512K32-XBX
n
商用，工业和军用温度范围
n
TTL兼容的输入和输出
n
5伏电源
n
低功耗CMOS
注：本数据手册描述了一个产品，如有更改，恕不另行通知。
F
IG
. 1
P
IN
C
ONFIGURATION
F
OR
WEDPS512K32-XBX
T
OP
V
IEW
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
-
2
A2
A3
D8
D11
GND
GND
V
CC
V
CC
D0
D3
A6
A7
3
A1
A4
NC
GND
GND
GND
V
CC
V
CC
V
CC
NC
A5
A8
4
A0
D14
D12
GND
GND
GND
V
CC
V
CC
V
CC
D7
D6
A9
5
GND
D15
D13
GND
GND
GND
V
CC
V
CC
V
CC
D5
D4
V
CC
6
GND
NC
GND
GND
GND
GND
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
NC
V
CC
7
V
CC
CS4
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
GND
GND
GND
GND
WE3
GND
8
V
CC
D24
D26
V
CC
V
CC
V
CC
GND
GND
GND
D17
D19
GND
9
A18
D25
D27
V
CC
V
CC
V
CC
GND
GND
GND
D16
D18
A10
10
A17
OE
WE4
V
CC
V
CC
V
CC
GND
GND
GND
CS3
A14
A11
11
A16
A15
D31
D28
V
CC
V
CC
GND
GND
D23
D20
A13
A12
12
GND
NC
D30
D29
NC
V
CC
GND
NC
D22
D21
NC
V
CC
CS2
D9
D10
WE2
GND
V
CC
CS1
D1
D2
WE1
GND
B
LOCK
D
IAGRAM
宽E
1
CS
1
OE
A
0
-
18
512K ×8
512K ×8
512K ×8
512K ×8
宽E
2
CS
2
宽E
3
CS
3
宽E
4
CS
4
P
IN
D
ESCRIPTION
I / O
0-31
A
0-18
WE
1-4
CS
1-4
OE
数据输入/输出
地址输入
写入启用
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
8
8
8
8
V
CC
GND
NC
I / O
0-7
I / O
8-15
I / O
16-23
I / O
24-31
2003年2月Rev.5号
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
怀特电子设计
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
参数
工作温度
储存温度
信号电压相对于GND
结温
电源电压
符号
T
A
T
英镑
V
G
T
J
V
CC
-0.5
民
-55
-65
-0.5
最大
+125
+150
Vcc+0.5
150
7.0
单位
°C
°C
V
°C
V
CS
H
L
L
L
OE
X
L
H
X
WEDPS512K32-XBX
T
RUTH
T
ABLE
WE
X
H
H
L
模式
待机
读
输出禁用
写
数据I / O
高Z
数据输出
高Z
DATA IN
动力
待机
活跃
活跃
活跃
BGA牛逼
有源冰箱
R
ESISTANCE
R
ECOMMENDED
O
操作摄像机
C
ONDITIONS
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度（ MIL）
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
民
4.5
2.2
-0.5
-55
最大
5.5
V
CC
+ 0.3
+0.8
+125
单位
V
V
V
°C
描述
结到环境（无空中溢流）
结到球
结到外壳（顶部）
符号
的Theta JA
热阻JB
西塔JC
最大
16.5
11.3
9.8
单位
° C / W
° C / W
° C / W
笔记
1
1
1
注意：
请参考应用笔记"PBGA热阻Correlation"在
www.whiteedc.com在应用程序说明部分进行建模的条件。
C
APACITANCE
(T
A
= +25°C)
参数
OE电容
WE
1-4
电容
CS
1-4
电容
数据I / O容量
地址输入电容
符号
C
OE
C
WE
C
CS
C
I / O
C
AD
条件
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
I / O
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
最大单位
30
10
10
10
30
pF
pF
pF
pF
pF
此参数由设计保证，但未经测试。
DC
极特
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55°C
TO
+125°C)
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流×32模式
待机电流
输出低电压
输出高电压
I
CC
符号
I
LI
I
LO
x 32
条件
V
CC
= 5.5, V
IN
= G
ND
到V
CC
CS = V
IH
， OE = V
IH
, V
OUT
= GND到V
CC
CS = V
IL
， OE = V
IH
中，f = 5MHz时， VCC = 5.5
CS = V
IH
， OE = V
IH
中，f = 5MHz时， VCC = 5.5
I
OL
= 8毫安
I
OH
= -4.0mA
民
最大
10
10
660
80
0.4
单位
A
A
mA
mA
V
V
I
SB
V
OL
V
OH
2.4
注： DC测试条件： V
IH
= V
CC
-0.3V, V
IL
= 0.3V
怀特电子设计公司亚利桑那州凤凰城 （ 602 ） 437-1520
2
怀特电子设计
WEDPS512K32-XBX
AC - C
极特
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55°C
TO
+125°C)
参数
读周期
读周期时间
地址访问时间
从地址变更输出保持
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出中低Z
输出使能到输出中低Z
芯片禁用高Z输出
输出禁止到输出中高Z
t
RC
t
AA
t
OH
t
ACS
t
OE
t
CLZ
1
符号
民
12
-12
最大
民
15
12
0
12
7
1
0
7
7
2
0
0
-15
最大
民
17
15
0
15
8
2
0
12
12
-17
最大
民
20
17
0
17
9
2
0
12
12
-20
最大
单位
ns
20
ns
ns
20
10
ns
ns
ns
ns
12
12
ns
ns
t
OLZ
1
t
CHZ
1
t
OHZ
1
1.此参数由设计保证，但未经测试。
AC - C
极特
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55°C
TO
+125°C)
参数
读周期
写周期时间
片选写的结束
地址有效到写结束
数据有效到写结束
把脉冲宽度
地址建立时间
地址保持时间
输出写入结束活动
写使能到输出中高Z
t
WC
t
CW
t
AW
t
DW
t
WP
t
AS
t
AH
t
OW
1
符号
民
12
10
10
8
10
0
0
2
-12
最大
民
15
13
13
10
13
2
0
2
7
0
-15
最大
民
17
15
15
11
15
2
0
2
8
0
-17
最大
民
20
15
15
12
15
2
0
3
9
0
-20
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
11
ns
t
WHZ
1
0
数据保持时间
t
DH
1.此参数由设计保证，但未经测试。
F
IG
。 4 AC牛逼
美东时间
C
IRCUIT
I
OL
电流源
AC牛逼
美东时间
C
ONDITIONS
参数
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
输出时序参考电平
典型值
V
IL
= 0, V
IH
= 3.0
5
1.5
1.5
单位
V
ns
V
V
D.U.T.
C
EFF
= 50 pF的
V
Z
≈
1.5V
（双极性电源供电）
I
OH
电流源
注意事项：
VZ的可编程范围为-2V至+ 7V 。
IOL & IOH可编程从0到16毫安。
测试仪阻抗Z0 = 75
W
.
VZ典型VOH和VOL的中点。
人工晶状体& IOH被调整，以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
3
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怀特电子设计
F
IG
. 5 T
即时通信
W
AVEFORM
- R
EAD
C
YCLE
地址
WEDPS512K32-XBX
t
RC
t
AA
t
RC
地址
CS
t
ACS
t
AA
t
OH
OE
t
CHZ
t
CLZ
t
OE
数据有效
数据I / O
以前的数据有效
数据I / O
t
OLZ
高阻抗
t
OHZ
数据有效
读周期1 （ CS = OE = V
IL
我们= V
IH
)
读周期2 （WE = V
IH
)
F
IG
. 6 W
RITE
C
YCLE
- 我们
ONTROLLED
t
WC
地址
t
AW
t
CW
CS
t
AH
t
AS
WE
t
WP
t
OW
t
WHZ
t
DW
t
DH
数据I / O
数据有效
写周期1 ，我们控制
F
IG
. 6 W
RITE
C
YCLE
- CS
ONTROLLED
t
WC
地址
WS32K32-XHX
t
CW
t
AH
t
AS
CS
t
AW
t
WP
WE
t
DW
数据I / O
写周期2 ， CS控
t
DH
数据有效
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4
怀特电子设计
P
ACKAGE
756: 143 B
所有
G
RID
A
RRAY
底部视图
12 11 10 9
8
7
6
5 4
3
2
1
A
B
C
WEDPS512K32-XBX
16.25 (0.640)
最大
13.97 (0.550)
BSC
1.27
(0.050)
BSC
D
E
F
G
H
J
K
L
M
0.61 (0.024)
BSC
13.97 (0.550)
BSC
18.25 (0.719)
最大
2.21 (0.087)
最大
所有的线性尺寸为毫米，顺便为英寸
5
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