怀特电子设计
WE512K8 ， WE256K8 ，
WE128K8-XCX
512Kx8 CMOS EEPROM ， WE512K8 - XCX ， SMD 5962-93091
512Kx8位CMOS EEPROM模块
特点
阅读150 ， 200 ， 250 ， 300ns的访问时间
JEDEC标准的32引脚，密封陶瓷DIP
（ 300包）
商用，工业和军用温度
范围
MIL -STD- 883标准的设备可用
擦写次数10,000次
在25℃下数据保存10年
低功耗CMOS操作：
3毫安典型待机/ 100mA工作最大
自动页写操作
内部地址和数据锁存器
512字节， 1到128字节/列，四页
页写周期时间10ms最大。
数据轮询写入检测结束
硬件和软件数据保护
TTL兼容的输入和输出
图1
引脚CON组fi guration
顶视图
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
WE＃
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CS ＃
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
引脚说明
A0-18
I/O0-7
CS ＃
OE ＃
WE＃
V
CC
V
SS
地址输入
数据输入/输出
芯片选择
OUTPUT ENABLE
写使能
+ 5.0V电源
地
框图
A
0-16
I / O
0-7
WE＃
OE ＃
128K ×8
128K ×8
128K ×8
128K ×8
A
17
A
18
CS ＃
解码器
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2000年5月
第1版
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
WE512K8 ， WE256K8 ，
WE128K8-XCX
256Kx8 CMOS EEPROM ， WE256K8 - XCX ， SMD 5962-93155
256Kx8位CMOS EEPROM模块
特点
阅读150次访问， 200ns的
JEDEC标准的32引脚，密封陶瓷DIP
（ 302包）
商用，工业和军用温度
范围
MIL -STD- 883标准的设备可用
擦写次数10,000次
在25℃下数据保存10年
低功耗CMOS操作：
2毫安典型待机/ 90毫安工作最大
自动页写操作
内部地址和数据锁存器
512字节， 1 64字节/行，八页
页写周期时间10ms最大。
数据轮询写入检测结束
硬件和软件数据保护
TTL兼容的输入和输出
图2
引脚CON组fi guration
顶视图
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
WE＃
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CS ＃
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
引脚说明
A0-18
I/O0-7
CS ＃
OE ＃
WE＃
V
CC
V
SS
地址输入
数据输入/输出
芯片选择
OUTPUT ENABLE
写使能
+ 5.0V电源
地
框图
A
0-14
I / O
0-7
WE＃
OE ＃
1
32K ×8
2
32K ×8
8
32K ×8
A
15
A
16
A
17
CS ＃
解码器
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WE512K8 ， WE256K8 ，
WE128K8-XCX
128Kx8 CMOS EEPROM ， WE128K8 - XCX ， SMD 5962-93154
128Kx8位CMOS EEPROM模块
特点
阅读150次访问， 200ns的
JEDEC标准的32引脚，密封陶瓷DIP
（ 300包）
商用，工业和军用温度
范围
MIL -STD- 883标准的设备可用
擦写次数10,000次
在25℃下数据保存10年
低功耗CMOS操作：
1毫安典型待机/ 70毫安工作
自动页写操作
内部地址和数据锁存器
256字节， 1 64字节/列，四页
页写周期时间10ms最大。
数据轮询写入检测结束
硬件和软件数据保护
TTL兼容的输入和输出
科幻gure 3
引脚CON组fi guration
顶视图
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
WE＃
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CS ＃
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
引脚说明
A0-18
I/O0-7
CS ＃
OE ＃
WE＃
V
CC
V
SS
地址输入
数据输入/输出
芯片选择
OUTPUT ENABLE
写使能
+ 5.0V电源
地
框图
A
0-14
I / O
0-7
WE＃
OE ＃
32K ×8
32K ×8
32K ×8
32K ×8
A
15
A
16
CS ＃
解码器
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
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绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
信号电压的任何引脚
在OE ＃和A9电压
热阻结
到案
焊接温度
（焊接-10秒）
符号
T
A
T
英镑
V
G
θ
JC
-55到+125
-65到+150
-0.6至+ 6.25
-0.6至13.5
28
+300
单位
°C
°C
V
V
° C / W
°C
CS ＃
H
L
L
X
X
X
OE ＃
X
L
H
H
X
L
WE＃
X
H
L
X
H
X
WE512K8 ， WE256K8 ，
WE128K8-XCX
真值表
模式
待机
读
写
输出禁用
写
抑制
数据I / O
高Z
数据输出
DATA IN
高Z /数据输出
注意：
超出上述"Absolute最大Ratings"可能会导致永久性的
损坏设备。这是一个压力等级的设备只有和功能操作
在这些或任何上述其他条件的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
电容
T
A
= +25°C
参数
输入
电容
符号
C
IN
条件
V
IN
= 0V ， F = 1MHz的
512Kx8 256Kx8 128Kx8单位
最大
最大
最大
45
60
80
80
45
60
pF
pF
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度。 （米尔）
工作温度。 （印第安纳州）
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
T
A
民
4.5
2.0
-0.3
-55
-40
最大
5.5
V
CC
+ 0.3
+0.8
+125
+85
单位
V
V
V
°C
°C
产量
C
OUT
V
I / O
= 0V ， F = 1MHz的
电容
此参数由设计保证，但未经测试。
DC特性
V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
输入漏电流
输出漏电流
动态电源电流
待机电流
输出低电压
输出高电压
符号条件
I
LI
I
LO
I
CC
I
SB
V
OL
V
OH
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
CS ＃ = V
IH
， OE ＃ = V
IH
， VOUT = GND到V
CC
CS ＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
中，f = 5MHz时，V
CC
= 5.5
CS ＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
中，f = 5MHz时，V
CC
= 5.5
I
OL
= 2.1毫安，V
CC
= 4.5V
I
OH
= -400μA ，V
CC
= 4.5V
512K ×8
民
典型值
最大
10
10
100
8
0.45
民
256K ×8
典型值
最大
10
10
90
6
0.45
民
128K ×8
典型值
最大
10
10
70
4
0.45
单位
A
A
mA
mA
V
V
80
3
2.4
60
2
2.4
50
1
2.4
注： DC测试条件： VIH = VCC - 0.3V ， VIL = 0.3V
图4
AC测试电路
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
输出时序参考电平
典型值
V
IL
= 0, V
IH
= 3.0
5
1.5
1.5
单位
V
ns
V
V
注： V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
＆放大器;我
OH
可编程从0到16毫安。
测试仪阻抗Z0 = 75Ω 。
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
＆放大器;我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
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怀特电子设计
读
图5示出了读周期的波形。一个读周期开始
与选择地址，片选和输出使能。芯片
选择是通过将CS ＃线为低来完成。产量
能是通过将OE ＃线为低完成。内存
WE512K8 ， WE256K8 ，
WE128K8-XCX
通过I / O7后放置在I / O0所选择的数据字节
访问时间。存储器的输出被放置在高
阻抗状态后不久，无论是OE ＃线或CS ＃线
返回到高电平。
图5 - 读取波形
地址
CS ＃
OE ＃
产量
注意：
OE ＃可能会延迟到t
ACS
-t
OE
的CS ＃而不对T的影响下降沿后
OE
或用t
加
-t
OE
地址更改，恕不对T的影响后，
加
.
AC读取特性（见图5 ）
FOR WE512K8 - XCX
V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
从地址变化， OE ＃或CS ＃输出保持
输出使能到输出有效
片选或输出使能为高Z输出
符号
TRC
TACC
TACS
TOH
TOE
TDF
-150
民
150
最大
150
150
0
85
70
0
85
70
民
200
-200
最大
200
200
0
100
70
民
250
-250
最大
250
250
0
125
70
民
300
-300
最大
300
300
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
FOR WE256K8 - XCX和WE128K8 - XCX
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
从地址变化， OE ＃或CS ＃输出保持
输出使能到输出有效
片选或输出使能为高Z输出
符号
TRC
TACC
TACS
TOH
TOE
TDF
-150
民
150
最大
150
150
0
85
70
0
85
70
民
200
-200
最大
200
200
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
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