S0808U1X
WCMS0808U1X
32K x 8静态RAM
特点
低电压范围：
—
2.7V
3.6V
低有功功率和备用电源
易于内存扩展CE和OE特点
TTL兼容的输入和输出
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
deselect-时降低功率消耗了99％以上
ED 。该WCMS0808U1X在450密耳范围内可用
（ 300密耳的车身宽度）窄体SOIC和TSOP 。
一个低电平有效写使能信号（ WE ）控制令状
存储器的荷兰国际集团/读出操作。当CE和WE输入
上的八个数据输入/输出管脚（都为低，数据I / O的
0
通过I / O
7
）写入到由寻址的存储器位置
地址本上的地址引脚（A
0
至A
14
).
读出装置通过选择装置来实现
并启用输出， CE和OE低电平有效，虽然我们
保持非活动状态还是很高的。在这些条件下， CON组
位置帐篷解决了地址上的信息
引脚上存在八个数据输入/输出管脚。
输入/输出引脚保持，除非高阻抗状态
该芯片被选择，输出被使能，和写使能
（WE）为HIGH 。
功能说明
该WCMS0808U1X是由一个高性能
CMOS静态RAM由8位， 32K字。易
存储器扩展是通过一个低有效芯片使能提供
（ CE）和低电平有效输出使能（ OE ）和三态driv-
ERS 。这些器件具有自动断电功能，
逻辑框图
销刀豆网络gurations
窄
SOIC
顶视图
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
A
4
A
3
A
2
A
1
OE
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
INPUTBUFFER
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
CE
WE
OE
A
14
A
13
A
12
A
11
A
1
A
0
行解码器
I / O
0
I / O
1
检测放大器
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
512x512
ARRA
Y
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
OE
A
1
A
2
A
3
A
4
WE
V
CC
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
TSOP I
顶视图
（不按比例）
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
14
A
13
A
12
WCMS0808U1X
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度
..................................... 65°C
至+ 150°C
环境温度与
电源应用................................................ ... 0 ° C至+ 70°C
电源电压对地电位
（引脚28至引脚14） ........................................... ......- 0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
........................................ 0.5V
到V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[1]
.................................... 0.5V
到V
CC
+ 0.5V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
产业
环境温度
40
°
C至+ 85
°
C
V
CC
2.7V至3.6V
产品组合
功率耗散（ LL设备）
产品
分钟。
WCMS0808U1X
2.7V
V
CC
范围
典型值。
3.0
马克斯。
3.6V
70纳秒
速度
工作（我
CC
)
典型值。
11毫安
马克斯。
30毫安
待机（我
SB2
)
典型值。
0.1
A
马克斯。
40
A
电气特性
在整个工作范围
WCMS0808U1X
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源
当前
CE自动断电
电流 - TTL输入
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
= 3.6V,
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
,
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
CC
– 0.3V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
Ind'l
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
=
1.0
mA
V
CC
=最小值，我
OL
= 2.1毫安
2.2
0.5
1
1
11
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+1
+1
30
典型值。
[1]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
I
SB1
I
SB2
Ind'l
Ind'l
100
0.1
300
40
A
A
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 3.0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= VCC典型值，T
A
= 25 ℃，和叔
AA
=70ns.
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
第10 2
WCMS0808U1X
开关特性
在整个工作范围
[5]
WCMS0808U1X
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
[8,9]
描述
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[6]
OE高到高Z
[6, 7]
CE低到低Z
[6]
CE高到高阻
[6, 7]
CE为低电时
CE高到掉电
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[6, 7]
WE高到低Z
[6]
分钟。
70
马克斯。
单位
ns
70
10
70
35
5
25
10
25
0
70
70
60
60
0
0
50
30
0
25
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项：
4.无输入可能超过V
CC
+0.3V.
5.测试条件假设的5纳秒或VCC / 2 ， 0输入脉冲电平到Vcc和输出的时间小于参考电平信号转换时间
装载指定I的
OL
/I
OH
100 - pF负载电容。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定
装置。
7. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的作为交流测试负载（b）部分。转变是从稳态电压测量± 200 mV的。
8.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写和
两种信号可以通过去HIGH终止写入。的数据输入的设置和保持时间应参考信号的上升沿那
结束写入。
9.最小写入周期时间为写周期＃3（ WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
第10 4
S0808U1X
WCMS0808U1X
32K x 8静态RAM
特点
低电压范围：
—
2.7V
3.6V
低有功功率和备用电源
易于内存扩展CE和OE特点
TTL兼容的输入和输出
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
deselect-时降低功率消耗了99％以上
ED 。该WCMS0808U1X在450密耳范围内可用
（ 300密耳的车身宽度）窄体SOIC和TSOP 。
一个低电平有效写使能信号（ WE ）控制令状
存储器的荷兰国际集团/读出操作。当CE和WE输入
上的八个数据输入/输出管脚（都为低，数据I / O的
0
通过I / O
7
）写入到由寻址的存储器位置
地址本上的地址引脚（A
0
至A
14
).
读出装置通过选择装置来实现
并启用输出， CE和OE低电平有效，虽然我们
保持非活动状态还是很高的。在这些条件下， CON组
位置帐篷解决了地址上的信息
引脚上存在八个数据输入/输出管脚。
输入/输出引脚保持，除非高阻抗状态
该芯片被选择，输出被使能，和写使能
（WE）为HIGH 。
功能说明
该WCMS0808U1X是由一个高性能
CMOS静态RAM由8位， 32K字。易
存储器扩展是通过一个低有效芯片使能提供
（ CE）和低电平有效输出使能（ OE ）和三态driv-
ERS 。这些器件具有自动断电功能，
逻辑框图
销刀豆网络gurations
窄
SOIC
顶视图
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
A
4
A
3
A
2
A
1
OE
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
INPUTBUFFER
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
CE
WE
OE
A
14
A
13
A
12
A
11
A
1
A
0
行解码器
I / O
0
I / O
1
检测放大器
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
512x512
ARRA
Y
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
OE
A
1
A
2
A
3
A
4
WE
V
CC
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
TSOP I
顶视图
（不按比例）
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
14
A
13
A
12
WCMS0808U1X
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度
..................................... 65°C
至+ 150°C
环境温度与
电源应用................................................ ... 0 ° C至+ 70°C
电源电压对地电位
（引脚28至引脚14） ........................................... ......- 0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
........................................ 0.5V
到V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[1]
.................................... 0.5V
到V
CC
+ 0.5V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
产业
环境温度
40
°
C至+ 85
°
C
V
CC
2.7V至3.6V
产品组合
功率耗散（ LL设备）
产品
分钟。
WCMS0808U1X
2.7V
V
CC
范围
典型值。
3.0
马克斯。
3.6V
70纳秒
速度
工作（我
CC
)
典型值。
11毫安
马克斯。
30毫安
待机（我
SB2
)
典型值。
0.1
A
马克斯。
40
A
电气特性
在整个工作范围
WCMS0808U1X
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源
当前
CE自动断电
电流 - TTL输入
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
= 3.6V,
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
,
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
CC
– 0.3V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
Ind'l
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
=
1.0
mA
V
CC
=最小值，我
OL
= 2.1毫安
2.2
0.5
1
1
11
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+1
+1
30
典型值。
[1]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
I
SB1
I
SB2
Ind'l
Ind'l
100
0.1
300
40
A
A
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 3.0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= VCC典型值，T
A
= 25 ℃，和叔
AA
=70ns.
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
第10 2
WCMS0808U1X
开关特性
在整个工作范围
[5]
WCMS0808U1X
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
[8,9]
描述
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[6]
OE高到高Z
[6, 7]
CE低到低Z
[6]
CE高到高阻
[6, 7]
CE为低电时
CE高到掉电
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[6, 7]
WE高到低Z
[6]
分钟。
70
马克斯。
单位
ns
70
10
70
35
5
25
10
25
0
70
70
60
60
0
0
50
30
0
25
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项：
4.无输入可能超过V
CC
+0.3V.
5.测试条件假设的5纳秒或VCC / 2 ， 0输入脉冲电平到Vcc和输出的时间小于参考电平信号转换时间
装载指定I的
OL
/I
OH
100 - pF负载电容。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定
装置。
7. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的作为交流测试负载（b）部分。转变是从稳态电压测量± 200 mV的。
8.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写和
两种信号可以通过去HIGH终止写入。的数据输入的设置和保持时间应参考信号的上升沿那
结束写入。
9.最小写入周期时间为写周期＃3（ WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
第10 4
QQ：2881677436 复制
