【超前信息一般物理指标WCMC2016V1X128K ×16的伪静态RAM DIE基板的连接请求：地晶】,IC型号WCMC2016V1X,WCMC2016V1X PDF资料,WCMC2016V1X经销商,ic,电子元器件-51电子网

超前信息

一般物理指标

WCMC2016V1X

128K ×16的伪静态RAM DIE

基板的连接请求：

地

晶圆直径[mm ] ：

200.00

芯片尺寸（微米）：

4010.74 x 1565.84

步长（微米）：

4095.44 x 1650.89

抄写尺寸（微米）：

84.70 x 84.94

垫次数：

64

垫尺寸（微米）：

73.6 x 73.6

产品参数及供货情况，请参阅WCMC2016V1X产品数据表可从赛普拉斯

安森美半导体网站（ http://www.cypress.com ）。

MFG型号：

GC2016V5A

模具产品型号：

模具技术：

力晶0.165微米

金属I：

420纳米氮化钛/铝铜

金属II ：

880纳米氮化钛/钛/铝铜/锡

金属三：

无

模具钝化：

780nm的P-的Si3N4 +聚酰亚胺

产品厚度指南

CODE

XW

XW14

XW11

描述

死（ 25-30万）的晶圆形式。

模具（ 14万美元）晶圆形式。

模具（ 11万美元）晶圆形式。

民

617

320

252

喃

685

355

280

最大

754

391

308

单位

m

伟达半导体公司

38-xyxyx

修订后的2001年8月22日

超前信息

焊盘位置

64

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

63

61

60

59

58

57

56

55

54

53

52

51

50

49

48

47

46

45

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

WCMC2016V1X

38-xyxyx

第 - 2 - 5

超前信息

在微米的所有单位。（0,0）是在模具的下左手角落。

焊盘坐标和信号说明

ID

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

31

32

33

34

35

垫名称

A15

TEST1

A14

TEST2

A13

A12

A11

A10

A9

A8

TEST3

TEST4

WE

CE2

VCC

VSS

UBE

LBE

TEST5

TEST6

TEST7

A17

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A16

VSS

VCC

I/O15

I/O7

I/O14

I/O6

垫功能说明

ADDR

DNU

ADDR

DNU

ADDR

DNU

WE

CE

2

V

CC

V

CC

GND

BHE

BLE

DNU

ADDR

GND

V

CC

DQ

15

DQ

7

DQ

14

DQ

6

地址

不要使用

地址

不要使用

地址

不要使用

写使能/选择吧

芯片使能/ 2选择

供电（核心）

接地（也V

SS

)

接地（也V

SS

)

字节（高）启用/选择吧

字节（低）启用/选择吧

不要使用

地址

地

供电（核心）

双向数据

输入/输出15

双向数据

输入/输出7

双向数据

输入/输出14

双向数据

输入/输出端6

X坐标

[m]

98.31

1467.54

WCMC2016V1X

y坐标

[m]

3950.48

3851.12

3751.76

3652.40

3553.04

3453.68

3354.32

3254.96

3155.60

3056.24

2956.88

2857.52

2758.16

2658.80

2559.44

2460.08

2261.36

2201.66

2261.36

2162.00

2062.64

1963.28

1863.92

1764.56

1665.20

1565.84

1466.48

1367.12

1267.76

1168.40

1069.04

3909.67

3810.31

3710.95

3611.59

3484.95

3358.31

3231.67

38-xyxyx

第 - 3 - 5

超前信息

ID

36

37

38

39

40

41

42

43

44

45

46

47

48

49

50

51

52

53

54

55

58

59

60

61

62

垫名称

I/O13

I/O5

I/O12

I/O4

VSS

VCC

I/O11

I/O3

I/O10

I/O2

I/O9

I/O1

I/O8

I/O0

TEST8

TEST9

OE ＃

VSS

VCC

TEST10

A0

垫功能说明

DQ

13

DQ

5

DQ

12

DQ

4

GND

VCC

DQ

11

DQ

3

DQ

10

DQ

2

DQ

9

DQ

1

DQ

8

DQ

0

DNU

OE

GND

VCC

DNU

ADDR

双向数据

输入/输出13

双向数据

输入/输出5

双向数据

输入/输出12

双向数据

输入/输出4

接地（也V

SS

)

接地（也V

SS

)

接地（也V

SS

)

供电（核心）

双向数据

输入/输出11

双向数据

输入/输出3

双向数据

输入/输出10

双向数据

输入/输出2

双向数据

输入/输出9

双向数据

输入/输出1

双向数据

输入/输出8

双向数据

输入/输出0

不要使用

OUTPUT ENABLE

地

供电（核心）

不要使用

地址

X坐标

[m]

1467.54

WCMC2016V1X

y坐标

[m]

3105.04

2978.4

2851.76

2725.12

2598.20

2498.84

2399.48

2300.12

2200.76

2101.40

2002.04

1875.40

1748.76

1622.13

1495.49

1368.85

1242.21

1115.57

988.61

843.80

744.44

645.08

545.72

446.36

347.00

模具订购信息

硅型

KGD2

订购代码

WCMC2016V1X-2XWI

WCMC2016V1X-2XW14I

WCMC2016V1X-2XW11I

晶圆码

XW

XW14

XW11

晶圆/裸片类型

死（ 25-30万）的晶圆形式。

模具（ 14万美元）晶圆形式。

模具（ 11万美元）晶圆形式。

工作范围

产业

该数据表的编写，并经伟达半导体公司..伟达Semidonductor ，公司保留修改权利

规格，恕不另行通知。

更多的电池寿命是一个商标，的MoBL是注册商标赛普拉斯半导体公司。

38-xyxyx

第 - 4 - 5

伟达半导体公司， 2003。本文所含信息可能随时更改，恕不另行通知。伟达半导体公司对使用比任何其他电路的不负责

电路体现在伟达半导体产品。它也没有传达或暗示根据专利或其他权利的任何许可。伟达半导体公司不授权将其产品用作

在生命支持系统故障或故障可合理地预期会导致显著的伤害到用户的关键组成部分。列入伟达半导体产品

在生命支持系统中的应用意味着制造商将承担所有使用风险，并在此过程中已豁免伟达半导体的一切费用。

超前信息

修订历史

文档标题： WCMC2016V1X MoBL3

2 MB（ 128K ×16 ）伪静态RAM DI

文件编号： 38 - xyxyx

转

**

ECN

发行日期

原稿。

变化

MPR

变化的说明

新的数据表

WCMC2016V1X

38-xyxyx

第 - 5 - 5

超前信息

一般物理指标

WCMC2016V1X

128K ×16的伪静态RAM DIE

基板的连接请求：

地

晶圆直径[mm ] ：

200.00

芯片尺寸（微米）：

4010.74 x 1565.84

步长（微米）：

4095.44 x 1650.89

抄写尺寸（微米）：

84.70 x 84.94

垫次数：

64

垫尺寸（微米）：

73.6 x 73.6

产品参数及供货情况，请参阅WCMC2016V1X产品数据表可从赛普拉斯

安森美半导体网站（ http://www.cypress.com ）。

MFG型号：

GC2016V5A

模具产品型号：

模具技术：

力晶0.165微米

金属I：

420纳米氮化钛/铝铜

金属II ：

880纳米氮化钛/钛/铝铜/锡

金属三：

无

模具钝化：

780nm的P-的Si3N4 +聚酰亚胺

产品厚度指南

CODE

XW

XW14

XW11

描述

死（ 25-30万）的晶圆形式。

模具（ 14万美元）晶圆形式。

模具（ 11万美元）晶圆形式。

民

617

320

252

喃

685

355

280

最大

754

391

308

单位

m

伟达半导体公司

38-xyxyx

修订后的2001年8月22日

超前信息

焊盘位置

64

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

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27

28

29

30

63

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60

59

58

57

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54

53

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50

49

48

47

46

45

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

WCMC2016V1X

38-xyxyx

第 - 2 - 5

超前信息

在微米的所有单位。（0,0）是在模具的下左手角落。

焊盘坐标和信号说明

ID

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

31

32

33

34

35

垫名称

A15

TEST1

A14

TEST2

A13

A12

A11

A10

A9

A8

TEST3

TEST4

WE

CE2

VCC

VSS

UBE

LBE

TEST5

TEST6

TEST7

A17

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A16

VSS

VCC

I/O15

I/O7

I/O14

I/O6

垫功能说明

ADDR

DNU

ADDR

DNU

ADDR

DNU

WE

CE

2

V

CC

V

CC

GND

BHE

BLE

DNU

ADDR

GND

V

CC

DQ

15

DQ

7

DQ

14

DQ

6

地址

不要使用

地址

不要使用

地址

不要使用

写使能/选择吧

芯片使能/ 2选择

供电（核心）

接地（也V

SS

)

接地（也V

SS

)

字节（高）启用/选择吧

字节（低）启用/选择吧

不要使用

地址

地

供电（核心）

双向数据

输入/输出15

双向数据

输入/输出7

双向数据

输入/输出14

双向数据

输入/输出端6

X坐标

[m]

98.31

1467.54

WCMC2016V1X

y坐标

[m]

3950.48

3851.12

3751.76

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2261.36

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1267.76

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3710.95

3611.59

3484.95

3358.31

3231.67

38-xyxyx

第 - 3 - 5

超前信息

ID

36

37

38

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50

51

52

53

54

55

58

59

60

61

62

垫名称

I/O13

I/O5

I/O12

I/O4

VSS

VCC

I/O11

I/O3

I/O10

I/O2

I/O9

I/O1

I/O8

I/O0

TEST8

TEST9

OE ＃

VSS

VCC

TEST10

A0

垫功能说明

DQ

13

DQ

5

DQ

12

DQ

4

GND

VCC

DQ

11

DQ

3

DQ

10

DQ

2

DQ

9

DQ

1

DQ

8

DQ

0

DNU

OE

GND

VCC

DNU

ADDR

双向数据

输入/输出13

双向数据

输入/输出5

双向数据

输入/输出12

双向数据

输入/输出4

接地（也V

SS

)

接地（也V

SS

)

接地（也V

SS

)

供电（核心）

双向数据

输入/输出11

双向数据

输入/输出3

双向数据

输入/输出10

双向数据

输入/输出2

双向数据

输入/输出9

双向数据

输入/输出1

双向数据

输入/输出8

双向数据

输入/输出0

不要使用

OUTPUT ENABLE

地

供电（核心）

不要使用

地址

X坐标

[m]

1467.54

WCMC2016V1X

y坐标

[m]

3105.04

2978.4

2851.76

2725.12

2598.20

2498.84

2399.48

2300.12

2200.76

2101.40

2002.04

1875.40

1748.76

1622.13

1495.49

1368.85

1242.21

1115.57

988.61

843.80

744.44

645.08

545.72

446.36

347.00

模具订购信息

硅型

KGD2

订购代码

WCMC2016V1X-2XWI

WCMC2016V1X-2XW14I

WCMC2016V1X-2XW11I

晶圆码

XW

XW14

XW11

晶圆/裸片类型

死（ 25-30万）的晶圆形式。

模具（ 14万美元）晶圆形式。

模具（ 11万美元）晶圆形式。

工作范围

产业

该数据表的编写，并经伟达半导体公司..伟达Semidonductor ，公司保留修改权利

规格，恕不另行通知。

更多的电池寿命是一个商标，的MoBL是注册商标赛普拉斯半导体公司。

38-xyxyx

第 - 4 - 5

伟达半导体公司， 2003。本文所含信息可能随时更改，恕不另行通知。伟达半导体公司对使用比任何其他电路的不负责

电路体现在伟达半导体产品。它也没有传达或暗示根据专利或其他权利的任何许可。伟达半导体公司不授权将其产品用作

在生命支持系统故障或故障可合理地预期会导致显著的伤害到用户的关键组成部分。列入伟达半导体产品

在生命支持系统中的应用意味着制造商将承担所有使用风险，并在此过程中已豁免伟达半导体的一切费用。

超前信息

修订历史

文档标题： WCMC2016V1X MoBL3

2 MB（ 128K ×16 ）伪静态RAM DI

文件编号： 38 - xyxyx

转

**

ECN

发行日期

原稿。

变化

MPR

变化的说明

新的数据表

WCMC2016V1X

38-xyxyx

第 - 5 - 5