WCMA2016U4X
WCMA2016U4X
128K ×16静态RAM
特点
低电压范围：
— 2.7V-3.3V
超低有功功率
- 典型工作电流：1.5毫安， F = 1MHz的
- 典型工作电流： 7毫安@频率= F
最大
低待机功耗
易内存扩展CE和OE特点
取消时自动断电
CMOS的最佳速度/功耗
当取消选择（CE HIGH或两者BLE和99％以上
BHE是HIGH ） 。的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）是
置于高阻抗状态时：取消选择（ CE
HIGH ） ，输出被禁止（ OE为高电平） ，这两个字节高恩
能和低字节使能禁用（ BHE ， BLE HIGH ） ，或
在写操作期间（CE低电平和WE为低电平） 。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
16
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
该WCMA2016U4X是采用48球FBGA封装。
功能说明
该WCMA2016U4X是一个高性能的CMOS静态
RAM的16位组织为128K字。这些设备
采用先进的电路设计，提供超低电流活跃
租。该器件非常适合于便携式应用，如CEL-
细胞性电话。该器件还具有自动pow-
ER-下降功能，显著降低功耗
由80％时，地址不切换。该还可以装置
将其置于待机模式功耗降低
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
10
行解码器
128K ×16
RAM阵列
2048 x 1024
检测放大器
I / O
0
- I / O
7
I / O
8
- I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
CE
BHE
BLE
A
11
POW
-
唐氏儿
电路
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
WCMA2016U4X
引脚配置
[1, 2]
FBGA （顶视图）
4
5
3
A
0
A
3
A
5
NC
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
A
2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
1
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
I / O
14
I / O
15
NC
2
OE
6
NC
I / O
0
I / O
2
V
CC
V
SS
I / O
6
I / O
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
BHE
I / O
10
I / O
11
I / O
12
DNU
I / O
13
NC
A
8
A
14
A
12
A
9
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位...- 0.5V至V
CCmax
+ 0.5V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[3]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[3]
.................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
设备
WCMA2016U4X
范围
产业
环境
温度
V
CC
-40 ° C至+ 85°C 2.7V至3.3V
产品组合
功率耗散（工业）
产品
V
CC
范围
V
CC（分钟）
V
CC （典型值）。
[4]
V
CC （最大）
WCMA2016U4X
2.7V
3.0V
3.3V
70纳秒
速度
工作，我
CC
F = 1 MHz的
典型值。
[4]
1毫安
马克斯。
2毫安
f = f
最大
典型值。
[4]
7毫安
马克斯。
15毫安
待机（我
SB2
)
典型值。
[4]
1
A
马克斯。
15
A
注意事项：
1. NC引脚未连接到模具上。
2. E3 （ DNU ）可以保留为NC或Vss ，以确保适当的应用程序。
3. V
白细胞介素（分钟）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
4.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25°C.
2
WCMA2016U4X
电气特性
在整个工作范围
WCMA2016U4X
参
ETER
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
租金
输出漏电流
租金
V
CC
工作电源
当前
自动CE
掉电电流
rent- CMOS输入
自动CE
掉电电流
rent- CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= 3.6V
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
测试条件
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 2.7V
2.2
–0.3
–1
–1
7
1
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5V
0.8
+1
+1
15
2
100
1
15
A
mA
典型值。
[4]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
I
CC
I
SB1
CE > V
CC
– 0.3V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V ，
f = f
最大
CE > V
CC
– 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0 ， VCC = 3.3V
I
SB2
电容
[5]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）。
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
热阻
描述
热阻
（结到环境）
[5]
热阻
（结点到外壳）
[5]
注意：
5.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
测试条件
静止的空气中，焊接在4.25 X 1.125英寸， 4层
印刷电路板
符号
Θ
JA
Θ
JC
BGA
55
16
单位
° C / W
° C / W
3
WCMA2016U4X
交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
V
CC
典型值
10%
GND
上升时间： 1 V / ns的
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间： 1 V / ns的
相当于：
戴维南等效
R
TH
V
TH
产量
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
3.0V
1.105
1.550
0.645
1.75V
单位
千欧
千欧
千欧
伏
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR[5]
t
R[6]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
V
CC
= 1.0V
CE > V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
0
70
条件
分钟。
1.0
0.5
典型值。
[4]
马克斯。
3.6
7.5
单位
V
A
ns
ns
数据保存波形
[7]
数据保持方式
V
CC
CE或
V
CC（分钟）
t
CDR
V
DR
> 1.0 V
V
CC（分钟）
t
R
BHE.BLE
注意：
6.全部设备交流操作需要线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s.
7. BHE.BLE既BHE和BLE的和。芯片可以通过禁用该芯片使能信号或通过禁用这两个BHE和BLE被取消。
4
WCMA2016U4X
开关特性
在整个工作范围
[8]
70纳秒
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE[10]
t
HZBE
写周期
[12]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
BHE / BLE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[9, 11]
WE高到低Z
[9]
10
70
60
60
0
0
50
60
30
0
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[9]
OE高到高Z
[9, 11]
CE低到低Z
[9]
CE高到高阻
[9, 11]
CE为低电时
CE高到掉电
BHE / BLE低到数据有效
BHE / BLE低到低Z
[9]
BHE / BLE高到高阻
[9, 11]
5
25
0
70
70
10
25
5
25
10
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
民
最大
单位
注意事项：
8.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时V的基准水平
CC （典型值）。
0 / 2 ，输入脉冲电平到V
CC （典型值）。
和
指定I的输出负载
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
9.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
少
于T
LZWE
对于任何给定的设备。
10.如果两个字节使能切换起来这个数值为10ns
11. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
转换测量
当输出进入高阻抗状态。
12.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
， BHE和/或BLE = V
IL
。所有的信号必须是活动开始
写任何这些信号可以通过将非活动结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考的
该终止写信号的边缘..
5
QQ：2881677436 复制
