A1008U1X
WCMA1008U1X
128K ×8静态RAM
特点
高速
- 55ns和70ns的可用性
电压范围
— 2.7V–3.6V
超低有功功率
- 典型的有源电流：20mA @频率= F
最大
（速度为70ns ）
低待机功耗
易于内存扩展CE和OE特点
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
集成电路掉电特性，降低了功耗
取消的时候超过99 ％ 。
写设备通过采取芯片使能实现
一（ CE
1
）和写使能（ WE）输入低和芯片
启用两个（ CE
2
）输入高。在8个I / O引脚的数据（I / O
0
通过I / O
7
）然后被写入到所指定的位置的
地址引脚（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片恩完成
能够一（ CE
1
）和输出使能（ OE ）低，而强迫
写使能（ WE）和芯片使能两（ CE
2
）高。下
这些条件下，所述存储器单元的内容试样
田间由地址引脚会出现在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
1
高或CE
2
LOW ）时，输出被禁用（ OE高） ，或
在写操作期间（CE
1
低，CE
2
高，和WE为低电平） 。
该WCMA1008U1X可在一个32引脚TSOP和
STSOP包。
功能说明
该WCMA1008U1X是一个高性能的CMOS静态
内存由8位， 128K字。容易记忆expan-
锡安是由一个低电平有效芯片使能（ CE提供
1
） ，一个应答
略去高芯片使能（ CE
2
） ，一个低电平有效输出使能
（ OE ）和三态驱动器。这些设备有一个automat-
逻辑框图
销刀豆网络gurations
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
25
26
26
27
28
29
30
31
32
1
2
3
4
5
6
7
8
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
A
3
STSOP
顶视图
（不按比例）
输入缓冲器
I / O
0
I / O
1
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
行解码器
检测放大器
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
512x 256x 8
ARRAY
CE
1
CE
2
WE
OE
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
TSOP I
顶视图
（不按比例）
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
A
3
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
WCMA1008U1X
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度.................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................... 55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位..... ..........- 0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
........................................ 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[1]
..................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
输出电流为输出（ LOW ） ............................ 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ........ >200毫安
工作范围
产品
WCMA1008U1X
范围
产业
环境温度
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
2.7V至3.6V
产品组合
功率耗散（工业）
产品
分钟。
WCMA1008U1X
2.7V
V
CC
范围
典型值。
[2]
速度
马克斯。
3.6V
70纳秒
55纳秒
工作，我
CC
f = f
最大
典型值。
[2]
待机（我
SB2
)
典型值。
[2]
0.4
A
马克斯。
30
A
马克斯。
40毫安
3.0V
20毫安
注意事项：
1. V
白细胞介素（分钟）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25°C.
2
WCMA1008U1X
电气特性
在整个工作范围
WCMA1008U1X-70/55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
租金
输出漏电流
租金
V
CC
工作电源
当前
自动CE
掉电电流
rent- TTL输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
= 3.6V
70ns
I
OUT
= 0毫安
55ns
CMOS电平
最大。 V
CC
，CE
1
≥V
IH
,
70ns
CE
2
＆ LT ; V
IH
55ns
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
，CE
1
≥
V
CC
- 0.3V ，CE
2
<0.3
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
f = f
最大
= 1/t
RC
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
测试条件
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 2.7V
2
–0.5
–1
–1
20
23
15
17
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.5V
0.8
+1
+1
40
50
300
350
A
典型值。
[2]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
I
SB2
自动CE
掉电电流
rent- CMOS输入
0.4
30
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= VCC
（典型值）
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
热阻
描述
热阻
[3]
（结到环境）
热阻
[3]
（结点到外壳）
注意：
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
测试条件
静止的空气中，焊接在4.25 X 1.125英寸， 4层打印
编辑电路板
符号
Θ
JA
Θ
JC
BGA
55
16
单位
° C / W
° C / W
3
WCMA1008U1X
开关特性
在整个工作范围
[5]
WCMA1008U1X-55
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
[8,]
WCMA1008U1X-70
分钟。
70
马克斯。
单位
ns
70
10
70
35
10
25
10
25
0
70
70
60
60
0
0
55
30
0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
25
5
ns
ns
描述
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
LOW和CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[6]
OE高到高Z
[6, 7]
CE
1
LOW和CE
2
高到低Z
[6]
CE
1
高或CE
2
低到高Z
[6, 7]
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到Power -UP
CE
1
高或CE
2
低到掉电
写周期时间
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[6, 7]
WE高到低Z
[6]
分钟。
55
马克斯。
55
5
55
20
10
20
10
20
0
55
55
45
45
0
0
45
25
0
20
5
注意事项：
5.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时V的基准水平
CC （典型值）。
0 / 2 ，输入脉冲电平到V
CC （典型值）。
的，和输出负载
指定I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
7. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
8.记忆的内部写入时间由WE的重叠定义，CE
1
= V
IL
和CE
2
= V
IH
。所有的信号必须是活动的发起和写入任何这些
信号可以通过将非活动结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的边缘。
5
A1008U1X
WCMA1008U1X
128K ×8静态RAM
特点
高速
- 55ns和70ns的可用性
电压范围
— 2.7V–3.6V
超低有功功率
- 典型的有源电流：20mA @频率= F
最大
（速度为70ns ）
低待机功耗
易于内存扩展CE和OE特点
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
集成电路掉电特性，降低了功耗
取消的时候超过99 ％ 。
写设备通过采取芯片使能实现
一（ CE
1
）和写使能（ WE）输入低和芯片
启用两个（ CE
2
）输入高。在8个I / O引脚的数据（I / O
0
通过I / O
7
）然后被写入到所指定的位置的
地址引脚（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片恩完成
能够一（ CE
1
）和输出使能（ OE ）低，而强迫
写使能（ WE）和芯片使能两（ CE
2
）高。下
这些条件下，所述存储器单元的内容试样
田间由地址引脚会出现在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
1
高或CE
2
LOW ）时，输出被禁用（ OE高） ，或
在写操作期间（CE
1
低，CE
2
高，和WE为低电平） 。
该WCMA1008U1X可在一个32引脚TSOP和
STSOP包。
功能说明
该WCMA1008U1X是一个高性能的CMOS静态
内存由8位， 128K字。容易记忆expan-
锡安是由一个低电平有效芯片使能（ CE提供
1
） ，一个应答
略去高芯片使能（ CE
2
） ，一个低电平有效输出使能
（ OE ）和三态驱动器。这些设备有一个automat-
逻辑框图
销刀豆网络gurations
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
25
26
26
27
28
29
30
31
32
1
2
3
4
5
6
7
8
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
A
3
STSOP
顶视图
（不按比例）
输入缓冲器
I / O
0
I / O
1
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
行解码器
检测放大器
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
512x 256x 8
ARRAY
CE
1
CE
2
WE
OE
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
TSOP I
顶视图
（不按比例）
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
A
3
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
WCMA1008U1X
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度.................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................... 55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位..... ..........- 0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
........................................ 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[1]
..................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
输出电流为输出（ LOW ） ............................ 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ........ >200毫安
工作范围
产品
WCMA1008U1X
范围
产业
环境温度
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
2.7V至3.6V
产品组合
功率耗散（工业）
产品
分钟。
WCMA1008U1X
2.7V
V
CC
范围
典型值。
[2]
速度
马克斯。
3.6V
70纳秒
55纳秒
工作，我
CC
f = f
最大
典型值。
[2]
待机（我
SB2
)
典型值。
[2]
0.4
A
马克斯。
30
A
马克斯。
40毫安
3.0V
20毫安
注意事项：
1. V
白细胞介素（分钟）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25°C.
2
WCMA1008U1X
电气特性
在整个工作范围
WCMA1008U1X-70/55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
租金
输出漏电流
租金
V
CC
工作电源
当前
自动CE
掉电电流
rent- TTL输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
= 3.6V
70ns
I
OUT
= 0毫安
55ns
CMOS电平
最大。 V
CC
，CE
1
≥V
IH
,
70ns
CE
2
＆ LT ; V
IH
55ns
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
，CE
1
≥
V
CC
- 0.3V ，CE
2
<0.3
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
f = f
最大
= 1/t
RC
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
测试条件
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 2.7V
2
–0.5
–1
–1
20
23
15
17
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.5V
0.8
+1
+1
40
50
300
350
A
典型值。
[2]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
I
SB2
自动CE
掉电电流
rent- CMOS输入
0.4
30
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= VCC
（典型值）
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
热阻
描述
热阻
[3]
（结到环境）
热阻
[3]
（结点到外壳）
注意：
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
测试条件
静止的空气中，焊接在4.25 X 1.125英寸， 4层打印
编辑电路板
符号
Θ
JA
Θ
JC
BGA
55
16
单位
° C / W
° C / W
3
WCMA1008U1X
开关特性
在整个工作范围
[5]
WCMA1008U1X-55
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
[8,]
WCMA1008U1X-70
分钟。
70
马克斯。
单位
ns
70
10
70
35
10
25
10
25
0
70
70
60
60
0
0
55
30
0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
25
5
ns
ns
描述
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
LOW和CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[6]
OE高到高Z
[6, 7]
CE
1
LOW和CE
2
高到低Z
[6]
CE
1
高或CE
2
低到高Z
[6, 7]
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到Power -UP
CE
1
高或CE
2
低到掉电
写周期时间
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[6, 7]
WE高到低Z
[6]
分钟。
55
马克斯。
55
5
55
20
10
20
10
20
0
55
55
45
45
0
0
45
25
0
20
5
注意事项：
5.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时V的基准水平
CC （典型值）。
0 / 2 ，输入脉冲电平到V
CC （典型值）。
的，和输出负载
指定I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
7. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
8.记忆的内部写入时间由WE的重叠定义，CE
1
= V
IL
和CE
2
= V
IH
。所有的信号必须是活动的发起和写入任何这些
信号可以通过将非活动结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的边缘。
5
QQ：2880707522 复制
